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公開番号2025131149
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-09
出願番号2024028699
出願日2024-02-28
発明の名称誘電体組成物および積層電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250902BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高周波帯域で比誘電率が低く誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高く、かつ、Cuを含む導体と同時焼成可能な誘電体組成物等を提供する
【解決手段】ディオプサイド相を有する誘電体組成物である。ディオプサイド相の少なくとも一部がディオプサイド結晶相である。任意の断面においてディオプサイド結晶相の面積をディオプサイド相の面積で割った値が0.80を上回る。
【選択図】図2A
特許請求の範囲【請求項１】
ディオプサイド相を有する誘電体組成物であって、
前記ディオプサイド相の少なくとも一部がディオプサイド結晶相であり、
任意の断面において前記ディオプサイド結晶相の面積を前記ディオプサイド相の面積で割った値が０．８０を上回る誘電体組成物。
続きを表示（約 460 文字）【請求項２】
任意の断面における前記ディオプサイド結晶相の面積割合が４０．０％を上回り８０．０％未満である請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
さらにＳｒＴｉＯ
3
結晶相およびＡｌ
2
Ｏ
3
結晶相を有し、
任意の断面における前記ＳｒＴｉＯ
3
結晶相の面積割合をＡ（ＳＴ）、前記Ａｌ
2
Ｏ
3
結晶相の面積割合をＡ（Ａｌ）として、Ａ（ＳＴ）が１．０％を上回り１５．０％未満であり、かつ、Ａ（Ａｌ）が１０．０％を上回り２０．０％未満である請求項２に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
誘電体層と内部電極層とを交互に積層されてなる積層部分を有し、前記誘電体層が請求項１～３のいずれかに記載の誘電体組成物を有する積層電子部品。
【請求項５】
前記内部電極層がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＮｉおよびＰｄから選択される１種以上を含有する請求項４に記載の積層電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物および積層電子部品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
情報通信機器の分野では、情報通信速度の高速化に伴い、高周波信号を低損失で伝送することが求められている。このため、情報通信機器に含まれる電子部品や積層電子部品（例えば積層セラミックコンデンサ）に含まれる導体用の材料として銅や銀などの電気抵抗が低い金属材料が用いられる。
【０００３】
そして、導体がＣｕを含む場合において導体と同時焼成できる程度に低温焼結でき、かつ、伝送損失を十分に低減できる程度に比誘電率が小さい誘電体材料が求められている。
【０００４】
さらに、積層電子部品の小型化のために誘電体層の薄層化が求められる。しかし、薄層化によりリーク特性や耐電圧が低下する。したがって、絶縁抵抗が高い誘電体材料が求められている。
【０００５】
特許文献１には、ガラスセラミックス焼結体等に関する発明が記載されている。特定の組成を有するガラス成分、セラミックフィラーおよび複合酸化物を特定の範囲内で含有することにより高周波領域での誘電損失を低減したガラスセラミックス焼結体が得られる。
【０００６】
特許文献２には、誘電体磁器に関する発明が記載されている。特定の組成を有する結晶化ガラス粉末およびＡｌ
2
Ｏ
3
粉末を特定の範囲内で含有する混合物を用いることにより、周波数１４ＧＨｚ以上１６ＧＨｚ以下の範囲における比誘電率、Ｑ値および３点曲げ強度が特定の範囲内である誘電体磁器が得られる。
【０００７】
特許文献３には、セラミックス組成物等に関する発明が記載されている。ディオプサイド結晶粉末に対し、ＳｒＴｉＯ
3
粉末および／またはＣａＴｉＯ
3
粉末、Ａｌ成分、Ｌｉ成分、Ｂ成分、Ｚｎ成分、Ｃｕ成分、Ａｇ成分およびＣｏ成分をそれぞれ特定の範囲内で含有することにより、低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミック組成物が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特許第６２９３７０４号公報
特許第５３４１３０１号公報
特許第５８８７０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高周波帯域で比誘電率が低く誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高く、かつ、Ｃｕを含む導体と同時焼成可能な誘電体組成物等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の誘電体組成物は、ディオプサイド相を有する誘電体組成物であって、
前記ディオプサイド相の少なくとも一部がディオプサイド結晶相であり、
任意の断面において前記ディオプサイド結晶相の面積を前記ディオプサイド相の面積で割った値が０．８０を上回る。
（【００１１】以降は省略されています）

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