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公開番号2025129564
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-05
出願番号2024026276
出願日2024-02-26
発明の名称半導体装置
出願人ミネベアパワーデバイス株式会社
代理人弁理士法人磯野国際特許商標事務所
主分類H10D 12/00 20250101AFI20250829BHJP()
要約【課題】ゲート電極にワイヤボンディングが容易にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置20は、半導体デバイス1を備えるとともに、半導体デバイス1上には、エミッタ電極(アルミ電極2E)とゲート電極(アルミ電極2G)とを備え、エミッタ電極は、当該エミッタ電極を覆うようにめっき部(Niめっき層3E)が形成され、ゲート電極は、スパッタ膜で構成された非めっき部として形成されていることを特徴とする。非めっき部は、平面視して矩形状であり、矩形状の3つの角が直角形状である。非めっき部に対向するめっき部は、平面視してR形状を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体デバイスを備えるとともに、
前記半導体デバイス上には、エミッタ電極とゲート電極とを備え、
前記エミッタ電極は、当該エミッタ電極を覆うようにめっき部が形成され、
前記ゲート電極は、スパッタ膜で構成された非めっき部として形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 210 文字）【請求項２】
前記非めっき部は、平面視して矩形状であり、前記矩形状の３つの角が直角形状である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記非めっき部は、平面視して四角形である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記非めっき部に対向するめっき部は、平面視してＲ形状を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
電力変換装置等において、放熱性向上のために両面冷却モジュールが用いられているが、使用されるＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）チップの両面にＣｕ板等を半田接合するため、ＩＧＢＴの表面にも半田接合するためのＮｉめっき等をする必要がある。
【０００３】
特許文献１には、「電力用半導体素子の上面には、エミッタ電極とゲート電極とが離間して配設されている。エミッタ電極及びゲート電極は、例えばスパッタ法により成膜された厚さ５μｍのアルミニウム（Ａｌ）を主材料とする膜と、その上に無電解めっき法により成膜された厚さ１０μｍのニッケル（Ｎｉ）を主材料とする膜と、その上にフラッシュめっき法により成膜された厚さ０．０５μｍの金（Ａｕ）を主材料とする膜とからなる３層構造を有する。このようなエミッタ電極及びゲート電極によれば、金属焼結体と良好な接合を得ることができる。」ことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－４３１５４号公報（段落００１３参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、前記したように、エミッタ領域及びゲート電極に、無電解めっき法により成膜されたニッケル（Ｎｉ）を主材料とする膜が形成されている。
【０００６】
一方、ＩＧＢＴの表面においてＣｕ板等の接合は、面積の大きいエミッタ領域のみにされて、ゲート領域は、従来通りのワイヤボンディングで接合されることが多い。ゲート領域（ゲート電極）までめっきをされると、めっき膜質（表面光沢等）の違いにより新たにワイヤボンディングの条件だしやそれに伴う信頼性の確認等をする必要があった。
【０００７】
本発明は、前記した課題を解決するためになされたものであり、例えばゲート電極にワイヤボンディングが容易にできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、半導体デバイスを備えるとともに、前記半導体デバイス上には、エミッタ電極とゲート電極とを備え、前記エミッタ電極は、当該エミッタ電極を覆うようにめっき部が形成され、前記ゲート電極は、スパッタ膜で構成された非めっき部として形成されていることを特徴とする。本発明のその他の態様については、後記する実施形態において説明する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えばゲート領域にワイヤボンディングが容易にできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態に係る半導体装置のめっき品を示す上面図である。
実施形態に係る図１のＢ－Ｂ’断面を示す図である。
実施形態に係る両面冷却パワーモジュールの構成を示す断面図である。
比較例の半導体装置のめっき品を示す上面図である。
比較例の図４のＡ－Ａ’断面を示す図である。
比較例の両面冷却パワーモジュールの構成を示す断面図である。
実施形態に係るめっき前の状態を示す図である。
実施形態に係るゲートパッドのレジスト保護状態を示す図である。
実施形態に係る無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の状態を示す図である。
実施形態に係るレジスト除去後の状態を示す図である。
実施形態に係る半導体装置の他のめっき品を示す上面図である。
実施形態に係る半導体装置のその他のめっき品を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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