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公開番号2025112729
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-01
出願番号2024007149
出願日2024-01-22
発明の名称半導体洗浄用の洗浄剤組成物、及び、半導体基板の洗浄方法
出願人信越化学工業株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250725BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体基板上に存在するシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物及び半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体洗浄用の洗浄剤組成物は、4級アンモニウム塩と、下記化学式で表される酸アミド化合物と、を含む。ここで、R₁～R₃は有機基であり、R₁は少なくとも1つのヘテロ原子を含み、化学式1はR₁～R₃から選択される2つ以上が連結するような環状構造は含まない。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
４級アンモニウム塩と、
下記化学式１で表される酸アミド化合物と、
を含む半導体洗浄用の洗浄剤組成物：
［化学式１］
JPEG
2025112729000005.jpg
55
76
ここで、Ｒ
１
～Ｒ
３
は有機基であり、Ｒ
１
は少なくとも１つのヘテロ原子を含み、
化学式１はＲ
１
～Ｒ
３
から選択される２つ以上が連結するような環状構造は含まない。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
Ｒ
１
は炭素数が４以上である、
請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項３】
Ｒ
１
は－Ｒ－Ｏ－Ｒ'構造を含み、Ｒ及びＲ'はアルキル基である、
請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項４】
Ｒ
２
及びＲ
３
の少なくとも一方は炭素数が５以上である、
請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項５】
Ｒ
２
及びＲ
３
はアルキル基である、
請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項６】
前記４級アンモニウム塩は、Ｒ
Ａ
Ｒ
Ｂ
Ｒ
Ｃ
Ｒ
Ｄ
Ｎ
＋
Ｆ
－
で表され、Ｒ
Ａ
～Ｒ
Ｄ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択される第１アンモニウム塩である、
請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項７】
前記第１アンモニウム塩を、洗浄剤組成物全体において０．１～２０．０質量％含む、
請求項６に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項８】
前記４級アンモニウム塩は、
Ｒ
Ａ
Ｒ
Ｂ
Ｒ
Ｃ
Ｒ
Ｄ
Ｎ
＋
Ｆ
－
で表され、Ｒ
Ａ
～Ｒ
Ｄ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択される第１アンモニウム塩と、
Ｒ
Ｅ
Ｒ
Ｆ
Ｒ
Ｇ
Ｒ
Ｈ
Ｎ
＋
Ｘ
－
で表され、Ｒ
Ｅ
～Ｒ
Ｈ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択され、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＯＨから選択される第２アンモニウム塩と、
を含む請求項１に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項９】
前記第１アンモニウム塩を、洗浄剤組成物全体において０．１～２０．０質量％含む、
請求項８に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
【請求項１０】
前記第２アンモニウム塩を、洗浄剤組成物全体において０．１～５．０質量％含む、
請求項８に記載の半導体洗浄用の洗浄剤組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体洗浄用の洗浄剤組成物、及び、半導体基板の洗浄方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には「基板上に存在するシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、
前記洗浄剤組成物は、
（Ａ）有機溶媒：７５～９９質量部と、
（Ｂ）水：０～５質量部と、
（Ｃ）アンモニウム塩：１～２０質量部と
を含有し（但し、（Ａ）+（Ｂ）+（Ｃ）＝１００質量部である。）、
前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し、
前記アンモニウム塩が、水酸化物イオン、フッ化物イオン及び塩化物イオンのうち少なくとも１種を含有することを特徴とする、洗浄剤組成物。（請求項１）」が開示されている。
特許文献２には「第四級フッ化アルキルアンモニウム又は第四級フッ化アルキルアンモニウムの水和物と、非プロトン性溶媒とを含む組成物であって、前記非プロトン性溶媒が、
（Ａ）窒素原子上に活性水素を有さない炭素原子数４以上のＮ－置換アミド化合物、及び
（Ｂ）エーテル化合物
を含む、組成物。（請求項１）」が開示されている。
特許文献３には「接着剤残留物を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、
第四級アンモニウム塩と、第１有機溶媒及び第２有機溶媒を含む溶媒とを含み、
上記第１有機溶媒が、式（Ｚ）で表される酸アミド誘導体であり、
上記第２有機溶媒が、上記酸アミド誘導体とは異なる他の有機溶媒であり、
含水量が、４．０質量％未満であることを特徴とする洗浄剤組成物。（請求項１）」が開示されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ＷＯ２０２０／２３５６０５号公報
［特許文献２］ＷＯ２０２０／０８００６０号公報
［特許文献３］ＷＯ２０２１／１００６５１号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の第１の態様においては、４級アンモニウム塩と酸アミド化合物を含む半導体洗浄用の洗浄剤組成物を提供する。酸アミド化合物は、下記化学式１で表される。
JPEG
2025112729000001.jpg
55
76
ここで、Ｒ
１
～Ｒ
３
は有機基であってよい。Ｒ
１
は少なくとも１つのヘテロ原子を含んでよい。化学式１はＲ
１
～Ｒ
３
から選択される２つ以上が連結するような環状構造は含まなくてよい。
【０００４】
上記において、Ｒ
１
は炭素数が４以上であってよい。
【０００５】
上記において、Ｒ
１
は－Ｒ－Ｏ－Ｒ'構造を含み、Ｒ及びＲ'はアルキル基であってよい。
【０００６】
上記において、Ｒ
２
及びＲ
３
の少なくとも一方は炭素数が５以上であってよい。
【０００７】
上記において、Ｒ
２
及びＲ
３
はアルキル基であってよい。
【０００８】
上記において、４級アンモニウム塩は、Ｒ
Ａ
Ｒ
Ｂ
Ｒ
Ｃ
Ｒ
Ｄ
Ｎ
＋
Ｆ
－
で表されてよい。ここで、Ｒ
Ａ
～Ｒ
Ｄ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択されてよい。
【０００９】
上記において、４級アンモニウム塩は、第１アンモニウム塩と第２アンモニウム塩とを含んでよい。第１アンモニウム塩は、Ｒ
Ａ
Ｒ
Ｂ
Ｒ
Ｃ
Ｒ
Ｄ
Ｎ
＋
Ｆ
－
で表され、Ｒ
Ａ
～Ｒ
Ｄ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択されてよい。第２アンモニウム塩は、Ｒ
Ｅ
Ｒ
Ｆ
Ｒ
Ｇ
Ｒ
Ｈ
Ｎ
＋
Ｘ
－
で表され、Ｒ
Ｅ
～Ｒ
Ｈ
はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択され、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＯＨから選択されてよい。
【００１０】
上記において、洗浄剤組成物は、第１アンモニウム塩を、洗浄剤組成物全体において０．１～２０．０質量％含んでよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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