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公開番号2025108499
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-23
出願番号2025063322,2024059164
出願日2025-04-07,2018-01-05
発明の名称誘導デバイス及び関連システム
出願人エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250715BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ガス流誘導デバイスを含む放射源を提供する。
【解決手段】プラズマ形成領域を含むチャンバと、チャンバ内に配置され、プラズマ形成領域から放出された放射を収集し、収集した放射を中間焦点領域に方向付けるように構成された放射コレクタと、第1のガス流を中間焦点領域からプラズマ形成領域に方向付けるように構成されたデブリ軽減システムと、第1のガス流が周囲に方向付けられるようにチャンバ内に配置された誘導デバイスと、を備える放射源。EUV容器の容器内壁の汚染を低減するためのシステム及び装置が提供される。このシステム及び装置は、複数のノズルを介して容器内壁から離れる方向にガスを導入する容器内壁ガス供給部を備える。このシステム及び装置はまた、EUV容器内の容器内壁及びEUVコレクタからガスが離れる方向を促進する流動形状を提供しつつ、EUV容器からガスを排出する非対称排出部を任意選択的に備える。
【選択図】図4A
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマ形成領域を含むチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記プラズマ形成領域から放出された放射を収集し、前記収集した放射を中間焦点領域に方向付けるように構成された放射コレクタと、
第１のガス流を前記中間焦点領域から前記プラズマ形成領域に方向付けるように構成されたデブリ軽減システムと、
前記第１のガス流が周囲に方向付けられるように前記チャンバ内に配置された誘導デバイスと、
を備える放射源。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記誘導デバイスが、前記第１のガス流が対称的に前記誘導デバイスの周囲に方向付けられる及び／又は前記誘導デバイスにより拡散されるように配置される、請求項１に記載の放射源。
【請求項３】
前記デブリ軽減システムが、第２のガス流を前記放射コレクタから前記プラズマ形成領域に方向付けるように構成される、請求項１又は請求項２に記載の放射源。
【請求項４】
前記誘導デバイスが、前記第１のガス流と前記第２のガス流との相互作用を低減させるように構成される、請求項３に記載の放射源。
【請求項５】
前記誘導デバイスが、前記第１のガス流と前記第２のガス流との相互作用を妨げるように構成される、請求項３又は請求項４に記載の放射源。
【請求項６】
前記誘導デバイスが、前記第１のガス流の前記放射コレクタに向かうジェットの形成を妨げるように構成される、請求項１から５のいずれかに記載の放射源。
【請求項７】
前記誘導デバイスが、前記放射コレクタの光軸に少なくとも部分的に沿って延在するように前記チャンバ内に配置される、請求項１から６のいずれかに記載の放射源。
【請求項８】
前記誘導デバイスが、前記中間焦点領域に又はその近くに配置される、請求項１から７のいずれかに記載の放射源。
【請求項９】
前記誘導デバイスが、前記誘導デバイスの第１の端部から前記誘導デバイスの第２の端部に向かってテーパ状に配置され、前記第１の端部が拡大部を含み、前記第２の端部が尖頭部又は丸み部を含む、請求項１から８のいずれかに記載の放射源。
【請求項１０】
前記誘導デバイスが、前記誘導デバイスの前記第１の端部が前記中間焦点領域から遠位に配置され、前記誘導デバイスの前記第２の端部が前記中間焦点領域に又はその近位に配置されるように前記チャンバ内に配置される、請求項９に記載の放射源。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１７年１月６日出願の米国出願第１５／４００，９２９号、２０１７年２月２８日出願の欧州出願第１７１５８２８０．２号、及び２０１７年１２月８日出願の米国出願第６２／５９６，６２９号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
続きを表示（約 2,000 文字）【０００２】
[0002] 本開示は、ガス流誘導デバイスと、そのような誘導デバイスを含む放射源とに関する。本開示は、例えばリソグラフィシステムで使用する誘導デバイス及び放射源に関する。本開示はまた、容器内壁のガス供給部によってデブリから保護される容器内壁を有するＥＵＶ容器を含む放射源、並びにより具体的には、容器内壁のＥＵＶ容器のＥＵＶコレクタより重力方向上方にある一部分などの容器内面を保護するためにＥＵＶ容器内にガス流を供給するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）から基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上へパターンを投影することができる。
【０００４】
[0004] 基板上にパターンを投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る装置）より小さいフィーチャを基板上に形成するために使用することができる。
【０００５】
[0005] リソグラフィシステムは、１つ以上の放射源と、ビームデリバリシステムと、１つ以上のリソグラフィ装置とを備えてよい。ビームデリバリシステムは、放射源の１つ以上からリソグラフィ装置のそれぞれに放射を搬送するように構成されてよい。
【０００６】
[0006] 極端紫外線（ＥＵＶ）放射は、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）などの用途に使用される。ＥＵＶ源は、スズ（Ｓｎ）などのターゲット材料を高出力レーザ放射源からの放射で照明することによりＥＵＶ放射を生成することができる。ターゲット材料をレーザ放射で照明することでレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）が生成され、結果としてＥＵＶ放射を放出することができる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007] スズなどのターゲット材料をレーザ放射で照明してプラズマを生成するとき、ターゲット材料のある部分はデブリになる。例えば、ターゲット材料デブリには、Ｓｎ蒸気、ＳｎＨ
４
蒸気、Ｓｎ原子、Ｓｎイオン、Ｓｎクラスタ、Ｓｎ微粒子、Ｓｎナノ粒子、及びＳｎ堆積物が含まれてよい。ＳｎデブリがＥＵＶコレクタ又はＥＵＶ容器の１つ以上の容器内壁に蓄積する場合、ＥＵＶコレクタの効率性、寿命、及び有用性は低減する可能性がある。
【０００８】
[0008] ＥＵＶ放射はプラズマを使用して生成することができる。プラズマは、例えばレーザビームを放射源の燃料に向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマはＥＵＶ放射を放出することができる。燃料の一部はデブリになり、デブリは放射源の１つ以上のコンポーネントに蓄積する可能性がある。
【０００９】
[0009] これによって放射源の１つ以上のコンポーネントが汚染される可能性があり、この汚染を除去するのは困難な場合がある。デブリによる放射源の１つ以上のコンポーネントの汚染は、放射源の性能、例えば生成されるＥＵＶ放射の質の低下を引き起こし、ひいては関連するリソグラフィ装置の性能の低下を引き起こす可能性がある。これによって最終的に放射源のコンポーネントを洗浄又は交換する間のリソグラフィ装置の休止時間が長くなる可能性がある。本発明の実施形態が生じるのはこのような状況の中である。
【００１０】
[00010] 本開示の実施形態は、容器内壁ガス供給部を備えたＥＵＶ容器に関連するシステム及び装置、より具体的には１つ以上の容器内壁上のデブリ汚染を低減可能なガス流の流動形状をＥＵＶ容器内に提供するためのシステム及び装置を提供する。一実施形態は、シャワーヘッド又はカーテンフローを介して容器にガスを導入すること、及び排出構成によって容器からガスを排出することを含む。一構成では、容器は非対称の排出構成を有するように設計される。別の構成では、容器は対称な排出構成を有するように設計される。本開示は、プロセス、装置、システム、デバイス又は方法を実行するように構成されたコンピュータ可読媒体上の命令などの様々な手段で実施できることを理解されたい。本開示のいくつかの発明の実施形態を以下で説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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