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公開番号2025032420
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023137672
出願日2023-08-28
発明の名称半導体装置及び製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250305BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】サージによる突入電流を低減する。
【解決手段】外部接続配線は、配線部材の変形によって設けられて第1の方向に延伸するコイル部40を有する。コイル部40には、第1の方向に直交する第1のスリットと第1の方向に直交する第2のスリットとが、第1の方向に沿って交互に一組以上設けられている。コイル部40は、第1のスリットと第1の方向に隣接する第2のスリットとの間の第1スリット間領域と、第2のスリットと第1の方向に隣接する第1のスリットとの間の第2スリット間領域とを含み、第1スリット間領域の中央部に設けられた第1の頂部が、配線部材の主面に対して直交する第3の方向に突出し、第2スリット間領域の中央部に設けられた第2の頂部が、主面に対して第3の方向の反対方向に突出している。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品に接続される一端と、前記一端の反対側の他端とを備える板状の配線部材からなる外部接続配線と、
を有し、
前記外部接続配線は、前記配線部材の変形によって設けられ、前記配線部材の前記一端から前記他端への第１の方向に延伸するコイル部と、前記コイル部に対して前記一端側及び前記他端側に設けられた平板状の平板部とを有し、
前記コイル部は、
それぞれ前記配線部材の主面に対する側面であって、前記第１の方向に直交する第２の方向に位置する第１の側面及び前記第２の方向の反対方向に位置する第２の側面と、
前記配線部材における前記第１の側面から前記第２の方向の反対方向に延伸し、前記第１の方向に直交する第１のスリットと、
前記配線部材における前記第２の側面から前記第２の方向に延伸し、前記第１の方向に直交する第２のスリットと、
を有し、
前記第１のスリットと前記第２のスリットとが前記第１の方向に沿って交互に一組以上設けられ、
前記コイル部は、前記第１のスリットと前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットとの間の第１スリット間領域と、前記第２のスリットと前記第１の方向に隣接する前記第１のスリットとの間の第２スリット間領域とを含み、
前記第１スリット間領域の前記第２の方向に対する中央部に設けられた第１の頂部が、前記主面に対して直交する第３の方向に突出し、前記第２スリット間領域の前記第２の方向に対する中央部に設けられた第２の頂部が、前記主面に対して前記第３の方向の反対方向に突出している、
半導体装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
スイッチング動作を行う半導体チップをさらに有し、
前記電子部品は、前記半導体チップのスイッチング動作を制御する制御回路を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記他端は、前記電子部品の温度の計測値を示す電圧を出力する出力端子である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１スリット間領域は、前記第１の頂部において折り曲げられ、前記第２スリット間領域は、前記第２の頂部において折り曲げられている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１スリット間領域は、前記第３の方向に湾曲する形状を成し、前記第２スリット間領域は、前記第３の方向の反対方向に湾曲する形状を成している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電子部品と前記配線部材の前記一端及び前記コイル部とを収納し、前記配線部材の前記他端が外側に延伸するケースをさらに有し、
前記ケースは、
前記コイル部及び前記平板部が配置される平坦面と、
前記平坦面における前記コイル部が設けられた領域に形成され、前記コイル部における前記平坦面のおもて面の反対側に突出している部分が収容される凹部と、
を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
板状で第１の方向に延伸する配線部材に対し、前記配線部材の主面に対する側面のうち前記第１の方向に直交する第２の方向に位置する第１の側面から前記第２の方向の反対方向に延伸し、前記第１の方向に直交する第１のスリットと、前記主面に対する側面のうち前記第２の方向の反対方向に位置する第２の側面から前記第２の方向に延伸し、前記第１の方向に直交する第２のスリットとを、前記第１の方向に沿って交互に一組以上形成し、
前記第１のスリットと前記第１の方向に隣接する前記第２のスリットとの間の第１スリット間領域における前記第２の方向の中央部を、前記主面に対して直交する第３の方向に突出させ、前記第２のスリットと前記第１の方向に隣接する前記第１のスリットとの間の第２スリット間領域における前記第２の方向の中央部を、前記主面に対して前記第３の方向の反対方向に突出させることで、前記第１スリット間領域及び前記第２スリット間領域によるコイル部を前記配線部材に形成する、
製造方法。
【請求項８】
前記コイル部を形成する工程では、前記第１スリット間領域を、前記第２の方向の中央部において前記第３の方向側に凸になるように折り曲げ、前記第２スリット間領域を、前記第２の方向の中央部において前記第３の方向の反対方向側に凸になるように折り曲げる、
請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記コイル部を形成する工程では、前記第１スリット間領域を前記第３の方向側に湾曲させ、前記第２スリット間領域を前記第３の方向の反対方向側に湾曲させる、
請求項７に記載の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、例えば、スイッチング動作を行う半導体チップや、半導体チップのスイッチング動作を制御する制御回路などの各種の電子部品が搭載されている。
また、関連技術として、一端が信号端子に接続されたインダクタと、カソードがインダクタの他端に接続され、アノードがグランドに接続されたショットキーバリアダイオードとから構成される静電気保護回路が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
さらに、絶縁基板上の導体パターンのうち、発振回路を構成するコイル部に発振周波数調整用のトリミング部が形成され、トリミング部に溝部が形成され、トリミング部の内部にスリットが設けられた発振回路用基板が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、冷却部材の第２面に導電性部材が接続され、冷却部材の第１面と導電性部材とに、高電位側端子部及び低電位側端子部がそれぞれ選択的に接続されている半導体装置が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
また、半導体基板と、高周波ライン用のＥＳＤ（Electro-Static Discharge）保護回路に導通する第１、第２の入出力電極が形成された半導体基板と、各入出力電極に接続された第１、第２の端子電極を備えた再配線層とを有するＥＳＤ保護デバイスが提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００６】
また、静電保護回路を主半導体チップとは別の半導体チップ上に形成し、主半導体チップが搭載されるリードフレームの一主面に静電保護用チップを搭載し、主半導体チップのボンディングパッドとリードフレームの外部ピンとの間を、静電保護用チップを介して配線部材によって導電接続させた半導体装置が提案されている（例えば、特許文献５参照）。
【０００７】
また、折曲部を順次結合部で結合した形状の板状体を打ち抜き、折曲部を打ち抜き体から９０度折り曲げることで形成されたアンテナ装置が提案されている（例えば、特許文献６参照）。
【０００８】
また、第１導体パターン及び第２導体パターンがスルーホール導体を介してヘリカル状に配置され、第１導体パターン、第２導体パターン及びスルーホール導体によってインダクタが形成されたインダクタ部品が提案されている（例えば、特許文献７参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開２００５－１１７０００号公報
特開平９－２７０５７０号公報
特開２０１７－５０３３６号公報
特開２０１４－３３２０７号公報
特開平６－１４０５６４号公報
特開２００５－３４１０９１号公報
特開２０１７－２２０５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、サージによる突入電流を低減可能な半導体装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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