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公開番号2024164405
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-27
出願番号2023079853
出願日2023-05-15
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H01L 23/36 20060101AFI20241120BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の絶縁性を維持して、放熱性を向上する。
【解決手段】半導体装置は、上面23bを含む放熱ベース23と、配置領域22b1が設定されたおもて面22bとおもて面22bの反対側の裏面22aとを含み、裏面22aが放熱ベース23の上面23bに配置される絶縁層22と、裏面20aを含み、裏面20aが絶縁層22の配置領域22b1に配置される回路導電層20と、を含む回路基板2を含んでいる。この際、絶縁層22の配置領域22b1における第1厚さH1が、絶縁層22の配置領域22b1以外の外側領域22b2,22b3の第2厚さH2より薄い。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
上面を含む放熱ベースと、
配置領域が設定された第１おもて面と前記第１おもて面の反対側の第１裏面とを含み、前記第１裏面が前記放熱ベースの前記上面に配置される絶縁層と、
第２裏面を含み、前記第２裏面が前記絶縁層の前記配置領域に配置される導電層と、
を含み、
前記絶縁層の前記配置領域における第１厚さが、前記絶縁層の前記配置領域以外の部分の第２厚さより薄い、
半導体装置。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
前記導電層の前記第２裏面と前記放熱ベースの前記上面の前記配置領域に対向する対向領域との少なくとも一方が前記絶縁層に向かって凸状に突出する突出部を含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
側面視で、前記放熱ベースの前記対向領域の平面方向の両端部の第３端部は、前記導電層の前記平面方向の両端部の第２端部よりも内側に設けられている、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電層の前記第２裏面と前記放熱ベースの前記上面の前記対向領域との少なくとも一方の前記突出部は、前記絶縁層に向かって湾曲する湾曲面状の頂点を含む山型を成している、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部が少なくとも前記放熱ベースの前記対向領域に含まれており、
前記対向領域に含まれる前記突出部の外周面は、前記第３端部で前記対向領域に接続され、前記上面に対して所定の立ち上がり角度で立ち上がっている、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記立ち上がり角度の最大値は、
側面視で、前記導電層の前記第２端部を中心として前記第２厚さを半径とする円の前記絶縁層内の円周部分に対して前記突出部の前記外周面が接する際の角度である、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１厚さは、前記導電層の前記第２裏面と前記放熱ベースの前記上面の前記対向領域との少なくとも一方の前記突出部の前記頂点と前記頂点から前記導電層の前記第２裏面または前記放熱ベースの前記対向領域への最短距離である、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１厚さは、前記第２厚さの０．５倍以上、１．０倍未満である、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１厚さは、前記第２厚さの０．８倍以上である、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２厚さは、０．１２ｍｍ以上、０．２ｍｍ以下である、
請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、ベース基板とベース基板上に設けられた樹脂層と樹脂層上に形成された複数の回路導電層とを含んでいる。半導体装置は、さらに、複数の回路導電層に含まれる所定の回路導電層に半導体チップが設けられている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、半導体装置は、ベース基板とベース基板上に設けられた樹脂層と樹脂層上に内端部側が接合され、外端部が外部に延伸する外部接続端子とを含んでいる（例えば、特許文献２）。半導体装置は、さらに、外部接続端子の内端部側の上に半導体チップが設けられている（例えば、特許文献３，４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２１－１３２０８０号公報
国際公開第２００５／０９４１４４号
特開２０２２－０３７７３９号公報
特開２０１８－０８８５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、絶縁性が維持され、放熱性が向上された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、上面を含む放熱ベースと、配置領域が設定された第１おもて面と前記第１おもて面の反対側の第１裏面とを含み、前記第１裏面が前記放熱ベースの前記上面に配置される絶縁層と、第２裏面を含み、前記第２裏面が前記絶縁層の前記配置領域に配置される導電層と、を含み、前記絶縁層の前記配置領域における第１厚さが、前記絶縁層の前記配置領域以外の部分の第２厚さより薄い、半導体装置を提供する。
【０００７】
また、前記導電層の前記第２裏面と前記放熱ベースの前記上面の前記配置領域に対向する対向領域との少なくとも一方が前記絶縁層に向かって凸状に突出する突出部を含んでよい。
【０００８】
また、側面視で、前記放熱ベースの前記対向領域の平面方向の両端部の第３端部は、前記導電層の前記平面方向の両端部の第２端部よりも内側に設けられてよい。
また、前記導電層の前記第２裏面と前記放熱ベースの前記上面の前記対向領域との少なくとも一方の前記突出部は、前記絶縁層に向かって湾曲する湾曲面状の頂点を含む山型を成してよい。
【０００９】
また、前記突出部が少なくとも前記放熱ベースの前記対向領域に含まれており、前記対向領域に含まれる前記突出部の外周面は、前記第３端部で前記対向領域に接続され、前記上面に対して所定の立ち上がり角度で立ち上がってよい。
【００１０】
また、前記立ち上がり角度の最大値は、側面視で、前記導電層の前記第２端部を中心として前記第２厚さを半径とする円の前記絶縁層内の円周部分に対して前記突出部の前記外周面が接する際の角度であってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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