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公開番号2024152504
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023066734
出願日2023-04-14
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20241018BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】研削時のデバイス破損を抑制するために形成する改質層の加工位置ずれを抑制することができるウエーハの加工方法を提供すること。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、外周縁に沿って面取り部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの外周縁から所定距離内側に位置づけ、外周縁に沿ってウエーハの裏面側からレーザービームを照射することでウエーハの内部に環状の改質層を形成する環状改質層形成ステップ2と、環状改質層形成ステップ2を実施した後、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みまで薄化する薄化ステップ3と、を備え、環状改質層形成ステップ2では、レーザービームが面取り部よりも径方向内側でウエーハに入射し、かつ径方向外側に向かうように、ウエーハの厚み方向に対して所定角度傾斜した方向にレーザービームを照射する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
外周縁に沿って面取り部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの外周縁から所定距離内側に位置づけ、該外周縁に沿って該ウエーハの裏面側から該レーザービームを照射することで該ウエーハの内部に環状の改質層を形成する環状改質層形成ステップと、
該環状改質層形成ステップを実施した後、該ウエーハの該裏面を研削して所定の厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、
該環状改質層形成ステップでは、
該レーザービームが該面取り部よりも径方向内側で該ウエーハに入射し、かつ径方向外側に向かうように、該ウエーハの厚み方向に対して所定角度傾斜した方向に該レーザービームを照射する
ことを特徴とする、ウエーハの加工方法。
続きを表示（約 110 文字）【請求項２】
該薄化ステップを実施する前に、
該ウエーハの表面側を、該ウエーハとは異なる支持ウエーハに貼り合わせる貼り合わせステップを更に備える
ことを特徴とする、請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年のデバイスチップの低背化や高集積化に伴い、３次元積層された半導体ウエーハの開発が進んでいる。例えばＴＳＶ（Through-Silicon Via）ウエーハは、貫通電極によって２つのチップ同士の貼り合わせによる両チップの電極の接続を可能にしている。
【０００３】
こうしたウエーハは、基台となる支持ウエーハ（シリコンやガラス、セラミックス等）に貼り合わされた状態で研削して薄化される。通常、ウエーハは、外周縁が面取りされているため、極薄に研削されると外周縁が所謂ナイフエッジとなり、研削中にエッジの欠けが発生しやすい。これにより、デバイスにまで欠けが延長してデバイスの破損に繋がる可能性がある。
【０００４】
ナイフエッジの対策として、ウエーハを貼り合わせてから、デバイスの外周縁に沿ってレーザービームを照射して環状の改質層を形成することで、その研削中に発生するウエーハのエッジ欠けがデバイスに伸展することを抑制するエッジトリミング方法も考案された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－０５７７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の方法では、環状の改質層をウエーハの外周縁近傍に形成するため、レーザービームを照射する領域がウエーハの外周縁に形成された面取り部に設定される可能性がある。この場合、レーザービームが照射する位置が傾斜面となるため、改質層の加工位置がずれてしまう等の問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、研削時のデバイス破損を抑制するために形成する改質層の加工位置ずれを抑制することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、外周縁に沿って面取り部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの外周縁から所定距離内側に位置づけ、該外周縁に沿って該ウエーハの裏面側から該レーザービームを照射することで該ウエーハの内部に環状の改質層を形成する環状改質層形成ステップと、該環状改質層形成ステップを実施した後、該ウエーハの該裏面を研削して所定の厚みまで薄化する薄化ステップと、を備え、該環状改質層形成ステップでは、該レーザービームが該面取り部よりも径方向内側で該ウエーハに入射し、かつ径方向外側に向かうように、該ウエーハの厚み方向に対して所定角度傾斜した方向に該レーザービームを照射することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のウエーハの加工方法は、該薄化ステップを実施する前に、該ウエーハの表面側を、該ウエーハとは異なる支持ウエーハに貼り合わせる貼り合わせステップを更に備えてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明は、研削時のデバイス破損を抑制するために形成する改質層の加工位置ずれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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