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公開番号2024022890
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-02-21
出願番号2022126330
出願日2022-08-08
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240214BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高周波信号の伝送特性を向上する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第1面上に設けられ、第1端子、第2端子、及びゲートを有する第1素子及び第2素子と、発光素子と、上記発光素子の発光状態に応じて、上記第1素子及び上記第2素子をオン状態又はオフ状態にする受光素子と、上記第1素子の上記第1端子、及び上記第2素子の上記第1端子を電気的に接続する第1配線と、を備え、上記第1配線は、シート状の導電体である、半導体装置。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
基板と、
各々が前記基板の第1面上に設けられ、第1端子、第2端子、及びゲートを有する第1素子及び第2素子と、
発光素子と、
前記発光素子の発光状態に応じて、前記第1素子及び前記第2素子をオン状態又はオフ状態にする受光素子と、
前記第1素子の前記第1端子、及び前記第2素子の前記第1端子を電気的に接続する第1配線と、
を備え、
前記第1配線は、シート状の導電体である、
半導体装置。
続きを表示(約 1,200 文字)【請求項2】
前記第1素子及び前記第2素子は、前記第1面内の第1方向に沿って並び、
前記第1素子の前記第1端子及び前記ゲートは、前記第1素子の上面に配置され、
前記第2素子の前記第1端子及び前記ゲートは、前記第2素子の上面に配置され、
前記第1素子の前記第1端子は、前記第1素子の前記ゲート、及び前記第2素子の前記ゲートによって、前記第1方向に挟まれる第1サブ部分を有し、
前記第2素子の前記第1端子は、前記第1素子の前記ゲート、及び前記第2素子の前記ゲートによって、前記第1方向に挟まれる第2サブ部分を有し、
前記第1配線は、前記第1サブ部分及び前記第2サブ部分の各々と接する、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記受光素子と、前記第1素子の前記第1端子と、を電気的に接続する第2配線と、
前記受光素子と、前記第1素子の前記ゲートと、を電気的に接続する第3配線と、
前記受光素子と、前記第2素子の前記第1端子と、を電気的に接続する第4配線と、
前記受光素子と、前記第2素子の前記ゲートと、を電気的に接続する第5配線と、
をさらに備え、
前記第2配線、前記第3配線、前記第4配線、及び前記第5配線は、ワイヤである、
請求項2記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1素子の前記第1端子は、前記第1方向と直交する前記第1面内の第2方向に沿って、前記第1素子の前記ゲートと並ぶ第3サブ部分を有し、
前記第2素子の前記第1端子は、前記第2方向に沿って、前記第2素子の前記ゲートと並ぶ第4サブ部分を有し、
前記第2配線は、前記第3サブ部分と接し、
前記第4配線は、前記第4サブ部分と接する、
請求項3記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1配線は、リボンボンディングによって形成された導電性のリボンである、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1配線は、金属板、又は成型された金属部材である、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1配線は、フレキシブル基板である、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1素子及び前記第2素子は、前記第1面内の第1方向に沿って並び、
前記第1配線は、前記第1方向と直交する前記第1面内の第2方向に沿って、前記第1素子の前記第1端子、及び前記第2素子の前記第1端子のそれぞれの全体に渡って接する、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1素子の前記第1端子、及び前記第2素子の前記第1端子を電気的に接続する第6配線を、
さらに備え、
前記第6配線は、シート状の導電体である、
請求項1記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)【背景技術】
【0002】
半導体装置として、フォトリレー装置が知られている。フォトリレー装置は、発光素子及び受光素子を含む。フォトリレー装置は、無接点のリレーであり、交流信号や直流信号の伝送に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2007-165621号公報
特許第6272459号公報
特開2015-037111号公報
特開2021-089971号公報
特許第5985452号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
高周波信号の伝送特性を向上する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第1面上に設けられ、第1端子、第2端子、及びゲートを有する第1素子及び第2素子と、発光素子と、上記発光素子の発光状態に応じて、上記第1素子及び上記第2素子をオン状態又はオフ状態にする受光素子と、上記第1素子の上記第1端子、及び上記第2素子の上記第1端子を電気的に接続する第1配線と、を備え、上記第1配線は、シート状の導電体である、半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【0006】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
実施形態に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図2のIII-III線に沿った断面図。
実施形態に係る半導体装置、及び比較例に係る半導体装置のそれぞれを用いた場合の周波数に対する伝送特性の変化を示すグラフ。
第1変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図。
第2変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。
【0008】
1 実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【0009】
実施形態に係る半導体装置は、例えば交流信号や直流信号を伝送するためのフォトリレー装置である。実施形態に係る半導体装置は、例えば電子部品のパッケージである。なお、以下の説明において、交流信号及び直流信号を単に信号とも呼ぶ。
【0010】
実施形態に係る半導体装置の構成の一例について、図1を用いて説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置の構成の一例を説明するための回路図である。
(【0011】以降は省略されています)

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