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公開番号2024075174
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-03
出願番号2022186421
出願日2022-11-22
発明の名称高周波バイアス回路
出願人株式会社東芝,東芝インフラシステムズ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01P 1/00 20060101AFI20240527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】広帯域化できる高周波バイアス回路を提供する。
【解決手段】高周波バイアス回路は、絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面上に設けられる導電体と、前記絶縁基板の前記裏面とは反対側の表面上に設けられ、前記絶縁基板を介して前記導電体に向き合う高周波伝送線路に接続される線路部と、前記線路部から離間して前記絶縁基板の前記表面上に設けられ、前記絶縁基板の前記表面から前記裏面に至るスルーホールを介して、前記導電体に電気的に接続される接地部と、前記絶縁基板の前記表面上において、前記線路部と前記接地部とに跨って設けられ、前記線路部と前記接地部に接続されるキャパシタと、を備える。前記導電体は、前記絶縁基板の前記裏面における前記線路部に向き合う領域を露出させるように設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の裏面上に設けられる導電体と、
前記絶縁基板の前記裏面とは反対側の表面上に設けられ、前記絶縁基板を介して前記導電体に向き合う高周波伝送線路に接続される線路部と、
前記線路部から離間して前記絶縁基板の前記表面上に設けられ、前記絶縁基板の前記表面から前記裏面に至るスルーホールを介して、前記導電体に電気的に接続される接地部と、
前記絶縁基板の前記表面上において、前記線路部と前記接地部とに跨って設けられ、前記線路部と前記接地部に接続されるキャパシタと、
を備え、
前記導電体は、前記絶縁基板の前記裏面における前記線路部に向き合う領域を露出させるように設けられる、高周波バイアス回路。
続きを表示(約 310 文字)【請求項2】
前記線路部は、前記高周波伝送線路を介して、高周波デバイスに電気的に接続される請求項1記載の高周波バイアス回路。
【請求項3】
前記絶縁基板の前記表面上に設けられ、前記線路部につながるバイアス供給端をさらに備え、
前記線路部と前記バイアス供給端との間のバイアス線路は、前記絶縁基板を介して、前記導電体に向き合う請求項1記載の高周波バイアス回路。
【請求項4】
前記接地部は、前記絶縁基板を介して、前記導電体に向き合う請求項1記載の高周波バイアス回路。
【請求項5】
前記線路部および前記接地部は、λ/4スタブを構成する請求項1記載の高周波バイアス回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
実施形態は、高周波バイアス回路に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
高周波デバイスおよび伝送線路により構成される高周波回路において、高周波デバイスに所定の電位を供給するバイアス回路は、高周波特性に影響せず、伝送線路をより広帯域で使用できることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2022/138087号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、伝送線路を広帯域化できる高周波バイアス回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る高周波バイアス回路は、絶縁基板と、前記絶縁基板の裏面上に設けられる導電体と、前記絶縁基板の前記裏面とは反対側の表面上に設けられ、前記絶縁基板を介して前記導電体に向き合う高周波伝送線路に接続される線路部と、前記線路部から離間して前記絶縁基板の前記表面上に設けられ、前記絶縁基板の前記表面から前記裏面に至るスルーホールを介して、前記導電体に電気的に接続される接地部と、前記絶縁基板の前記表面上において、前記線路部と前記接地部とに跨って設けられ、前記線路部と前記接地部に接続されるキャパシタと、を備える。前記導電体は、前記絶縁基板の前記裏面における前記線路部に向き合う領域を露出させるように設けられる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
実施形態に係る高周波回路を示す回路図である。
実施形態に係る高周波バイアス回路を示す模式斜視図である。
実施形態に係る高周波バイアス回路を示す模式図である。
実施形態に係る高周波回路のシミュレーションモデルを示す回路図である。
実施形態に係る高周波バイアス回路の特性を示すグラフである。
実施形態に係る別の高周波回路を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【0008】
さらに、各図中に示すX軸、Y軸およびZ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。X軸、Y軸、Z軸は、相互に直交し、それぞれX方向、Y方向、Z方向を表す。また、Z方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【0009】
図1は、実施形態に係る高周波回路1を示す模式図である。高周波回路1は、例えば、高周波デバイス10と、伝送線路15と、バイアス回路20と、を備える。高周波デバイス10は、例えば、増幅器である。高周波デバイス10は、RFスイッチ、移相器、可変アッテネータ等であってもよい。
【0010】
高周波信号は、入力側端子RFin、DCカットキャパシタC1を介して、高周波デバイス10に入力される。高周波デバイス10の高周波出力は、伝送線路15およびDCカットキャパシタC2を介して、出力側端子RFoutから出力される。バイアス回路20は、高周波デバイス10にDCバイアスを供給する。
(【0011】以降は省略されています)

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