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公開番号2025109861
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-25
出願番号2025081021,2021516273
出願日2025-05-14,2020-04-24
発明の名称個片化体形成用フィルム
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250717BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】個片化されることによって複数の個片化体となる個片化体形成用フィルムを提供する。
【解決手段】本開示に係る個片化体形成用フィルムは個片化されることによって複数の個片化体となるフィルムであって、第一の熱硬化性樹脂層と、第二の熱硬化性樹脂層と、第一及び第二の熱硬化性樹脂層の間に配置された中間層とを備える多層構造を有し、中間層が第一及び第二の熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する。
【選択図】図14

特許請求の範囲【請求項１】
第一の熱硬化性樹脂層と、
第二の熱硬化性樹脂層と、
前記第一及び第二の熱硬化性樹脂層の間に配置された中間層と、
を備える多層構造を有し、
前記中間層が前記第一及び第二の熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有し、
個片化されることによって複数の個片化体となる、個片化体形成用フィルム。
続きを表示（約 120 文字）【請求項２】
前記中間層がポリイミド樹脂によって構成されている、請求項１に記載の個片化体形成用フィルム。
【請求項３】
前記中間層の厚さが５～１００μｍである、請求項１又は２に記載の個片化体形成用フィルム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法に関する。また、本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法に関する。なお、ドルメン（ｄｏｌｍｅｎ、支石墓）は、石墳墓の一種であり、複数の支柱石と、その上に載せられた板状の岩とを備える。ドルメン構造を有する半導体装置において、支持片が「支柱石」に相当し、第二のチップが「板状の岩」に相当する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の分野において、高集積、小型化及び高速化が求められている。半導体装置の一態様として、基板上に配置されたコントローラーチップの上に半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献１は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアセンブリを開示している。特許文献１の図１Ａに図示された半導体アセンブリ１００はドルメン構造を有するということができる。すなわち、半導体アセンブリ１００は、パッケージ基板１０２と、その表面上に配置されたコントローラダイ１０３と、コントローラダイ１０３の上方に配置されたメモリダイ１０６ａ，１０６ｂと、メモリダイ１０６ａを支持する支持部材１３０ａ，１３０ｂとを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０１７－５１５３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は、支持部材（支持片）として、シリコンなどの半導体材料を使用できること、より具体的には半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用できることを開示している（特許文献１の［００１２］、［００１４］及び図２参照）。半導体ウェハを使用してドルメン構造用の支持片を製造するには、通常の半導体チップの製造と同様、例えば、以下の各工程が必要である。
（１）半導体ウェハにバックグラインドテープを貼り付ける工程
（２）半導体ウェハをバックグラインドする工程
（３）ダイシングリングとその中に配置されたバックグラインド後の半導体ウェハに対し、粘着層と接着剤層とを有するフィルム（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）を貼り付ける工程
（４）半導体ウェハからバックグラインドテープを剥がす工程
（５）半導体ウェハを個片化する工程
（６）半導体チップと接着剤片の積層体からなる支持片を粘着層からピックアップする工程
【０００５】
本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片を効率的に製造することができ、半導体装置の生産効率の向上に寄与し得る支持片の製造方法を提供する。また、本開示は、上記支持片を使用してドルメン構造を有する半導体装置を効率的に製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面はドルメン構造を有する半導体装置の製造に使用される支持片の製造方法に関する。
【０００７】
本開示に係る製造方法の第一の態様は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）複数のニードルによって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片をピックアップする工程
上記支持片形成用フィルムは以下のフィルムのいずれか一つである。
・熱硬化性樹脂層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層とを有する多層フィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する金属層とを有する多層フィルム
【０００８】
本開示に係る製造方法の第二の態様は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）平坦な先端面を有する部材によって支持片を基材フィルムの側から突き上げた状態で支持片をピックアップする工程
上記支持片形成用フィルムは以下のフィルムのいずれか一つである。
・熱硬化性樹脂層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層のうち少なくとも一部を硬化させた層からなるフィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する樹脂層とを有する多層フィルム
・熱硬化性樹脂層と、当該熱硬化性樹脂層よりも高い剛性を有する金属層とを有する多層フィルム
【０００９】
本開示において、支持片形成用フィルムが有する樹脂層は、例えば、ポリイミド層である。樹脂層は、例えば、熱硬化性樹脂層と異なる材質からなる。支持片形成用フィルムが有する金属層は、例えば、銅層又はアルミニウム層である。なお、上記熱硬化性樹脂層の熱硬化後の剛性は樹脂層又は金属層の剛性よりも低くても高くてもよい。
剛性は、物体が曲げ又はねじれに対して破壊に耐える能力を意味する。
【００１０】
本開示に係る上記製造方法においては、支持片形成用フィルムを個片化して得られる支持片を使用する。これにより、支持片として、半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用する従来の製造方法と比較すると、支持片を作製する工程を簡略化できる。すなわち、従来、上述の（１）～（６）の工程を必要としていたのに対し、支持片形成用フィルムは半導体ウェハを含まないため、半導体ウェハのバックグラインドに関する（１）、（２）及び（４）の工程を省略できる。また、樹脂材料と比較して高価な半導体ウェハを使用しないため、コストも削減できる。なお、熱硬化性樹脂層は他の部材（例えば、基板）に対して接着性を有するため、支持片に接着剤層等を別途設けなくてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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