TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025106524
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-07-15
出願番号
2025066054,2024066047
出願日
2025-04-14,2019-10-23
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
H10D
30/67 20250101AFI20250708BHJP()
要約
【課題】電気特性が良好で、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体層108、第2の絶縁層110、金属酸化物層114及び導電層112が、第1の絶縁層103上にこの順に積層される半導体装置であって、第2の絶縁層の端部は、半導体層の端部よりも内側に位置し、導電層及び金属酸化物層の端部は、第2の絶縁層の端部よりも内側に位置する。第3の絶縁層116は、第1の絶縁層の上面、半導体層の上面及び側面、第2の絶縁層の上面及び側面、金属酸化物層の側面並びに導電層の上面及び側面と接する。半導体層において、第1の領域は、第1の絶縁層及び金属酸化物層と重なる。第2の領域は、第1の領域を挟み第2の絶縁層と重なるが金属酸化物層と重ならない。第3の領域は、第1の領域及び一対の第2の領域を挟むが、第2の絶縁層と重ならず、第3の絶縁層と接し、第1の領域、第2の領域よりも低抵抗である部分を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
酸化物半導体層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第3の絶縁層と、金属酸化物層と、導電層と、を有し、
前記酸化物半導体層、前記第2の絶縁層、前記金属酸化物層、及び前記導電層は、前記第1の絶縁層上にこの順に積層され、
チャネル長方向の断面において、前記第2の絶縁層の端部は、前記酸化物半導体層の端部よりも内側に位置し、
前記導電層及び前記金属酸化物層の端部はそれぞれ、前記第2の絶縁層の端部よりも内側に位置し、
前記第3の絶縁層は、前記第1の絶縁層の上面、前記酸化物半導体層の上面及び側面、前記第2の絶縁層の上面及び側面、前記金属酸化物層の側面、並びに前記導電層の上面及び側面と接し、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、一対の第2の領域と、一対の第3の領域と、を有し、
前記第1の領域は、前記第1の絶縁層及び前記金属酸化物層と重なり、
前記第2の領域は、前記第1の領域を挟み、前記第2の絶縁層と重なり、且つ前記金属酸化物層と重ならず、
前記第3の領域は、前記第1の領域及び一対の前記第2の領域を挟み、且つ前記第2の絶縁層と重ならず、
前記第3の領域は、前記第3の絶縁層と接し、
前記第3の領域は、前記第1の領域よりも低抵抗である部分を含み、
前記第2の領域は、前記第3の領域よりも高抵抗である部分を含む、半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、半導体装置に関する。本発明の一態様は、表示装置に関する。本発
明の一態様は、半導体装置、または表示装置の作製方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能
しうる装置全般を指す。
【背景技術】
【0003】
トランジスタに適用可能な半導体材料として、金属酸化物を用いた酸化物半導体が注目
されている。例えば、特許文献1では、複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化
物半導体層の中で、チャネルとなる酸化物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且
つインジウムの割合をガリウムの割合よりも大きくすることで、電界効果移動度(単に移
動度、またはμFEという場合がある)を高めた半導体装置が開示されている。
【0004】
半導体層に用いることのできる金属酸化物は、スパッタリング法などを用いて形成でき
るため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体層に用いることができる。また
、多結晶シリコンや非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利
用することが可能なため、設備投資を抑えられる。また、金属酸化物を用いたトランジス
タは、非晶質シリコンを用いた場合に比べて高い電界効果移動度を有するため、駆動回路
を設けた高性能の表示装置を実現できる。
【0005】
表示装置においては、画面サイズが大型化する傾向にあり、対角60インチ以上さらに
は、対角120インチ以上の画面サイズも視野に入れた開発が行われている。加えて、画
面の解像度もフルハイビジョン(画素数1920×1080、または「2K」などとも言
われる)、ウルトラハイビジョン(画素数3840×2160、または「4K」などとも
言われる)、スーパーハイビジョン(画素数7680×4320、または「8K」などと
も言われる)と高精細化の傾向にある。
【0006】
画面サイズの大型化や高精細化は、表示部内の配線抵抗を増大させる傾向にある。特許
文献2では、非晶質シリコントランジスタを用いた液晶表示装置において、配線抵抗の増
大を抑えるために、銅(Cu)を使用して低抵抗の配線層を形成する技術が開示されてい
る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特開2014-7399号公報
特開2004-163901号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の一態様は、電気特性の良好な半導体装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【0009】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様は、半導体層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第3の絶縁層と、
金属酸化物層と、導電層と、を有する半導体装置である。半導体層、第2の絶縁層、金属
酸化物層、及び導電層は、第1の絶縁層上にこの順に積層される。チャネル長方向の断面
において、第2の絶縁層の端部は、半導体層の端部よりも内側に位置し、導電層及び金属
酸化物層の端部はそれぞれ、第2の絶縁層の端部よりも内側に位置する。第3の絶縁層は
、第1の絶縁層の上面、半導体層の上面及び側面、第2の絶縁層の上面及び側面、金属酸
化物層の側面、並びに導電層の上面及び側面と接する。半導体層は、第1の領域と、一対
の第2の領域と、一対の第3の領域と、を有する。第1の領域は、第1の絶縁層及び金属
酸化物層と重なる。第2の領域は、第1の領域を挟み、第2の絶縁層と重なり、且つ金属
酸化物層と重ならない。第3の領域は、第1の領域及び一対の第2の領域を挟み、且つ第
2の絶縁層と重ならない。また、第3の領域は、第3の絶縁層と接し、第1の領域よりも
低抵抗である部分を含む。第2の領域は、第3の領域よりも高抵抗である部分を含む。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
日亜化学工業株式会社
発光装置
22日前
東レ株式会社
太陽電池の製造方法
1か月前
個人
高性能高耐圧逆導通半導体装置
22日前
東レ株式会社
圧電性材料の製造方法
23日前
マグネデザイン株式会社
GSRセンサ
17日前
ローム株式会社
光センサ
16日前
住友電気工業株式会社
受光素子
2日前
ローム株式会社
半導体発光装置
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
1か月前
個人
圧電素子及び摩擦発電共成デバイス
1か月前
富士電機株式会社
半導体装置
29日前
三菱電機株式会社
半導体装置
1か月前
AGC株式会社
太陽電池モジュール
22日前
株式会社村田製作所
電子部品
1か月前
三菱電機株式会社
半導体装置
23日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
17日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
22日前
旭化成株式会社
紫外線発光素子
15日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
29日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
22日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
29日前
東レ株式会社
転写体、機能性素子の製造方法
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
今日
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
22日前
株式会社エレックス
発光装置の製造方法
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
29日前
住友電気工業株式会社
半導体装置
16日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
17日前
株式会社カネカ
太陽電池モジュール
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1か月前
日亜化学工業株式会社
発光素子
1か月前
旭化成株式会社
発光素子及び発光装置
16日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
17日前
三菱ケミカル株式会社
積層圧電シート
18日前
株式会社エネコートテクノロジーズ
太陽電池
1か月前
続きを見る
他の特許を見る