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公開番号2025106442
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-15
出願番号2025063652,2023516425
出願日2025-04-08,2022-04-05
発明の名称成形物、ハンドリング用シート、ハンドリング方法、薄型デバイスのハンドリング方法、薄化ウエハの取り出し方法、モールド封止再配置素子の取り出し方法、薄化ウエハの製造方法、モールド封止再配置素子、及びパッケージの製造方法
出願人信越化学工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250708BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】薄化されたウエハやモールドで封止した再配置素子を容易に扱うことができる耐薬品性に優れたシート、該シートを含む薄化ウエハハンドリング用シート並びに該薄化ウエハハンドリング用シートを用いた薄型ウエハのハンドリング方法及び薄型デバイスのハンドリング方法を提供する。
【解決手段】薄化ウエハハンドリング用シート10のシート1は、高さが50ミクロンから500ミクロンであり、直径が10ミクロンから1mmの円柱状若しくは半円柱状又は長さが100ミクロンから1mmであり、太さが10ミクロンから1mmの角柱状の複数の構造体1aを表面上に有し、複数の構造体が等間隔で配置した構造あるいは複数の構造体が、間隔の最大値が間隔の最小値の3倍未満となるように配列した構造を表面上に有し、熱硬化性樹脂により成型される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
高さが５０ミクロンから５００ミクロンであり、直径が１０ミクロンから１ｍｍの円柱状若しくは半円柱状、又は長さが１００ミクロンから１ｍｍであり、太さが１０ミクロンから１ｍｍの角柱状の複数の構造体を表面上に有し、前記複数の構造体が等間隔で配置した構造、あるいは、前記複数の構造体が、間隔の最大値が間隔の最小値の３倍未満となるように配列した構造を表面上に有し、樹脂の硬化物を含み、
薄化ウエハ又はモールド封止再配置素子のハンドリングに使用されることを特徴とする成形物。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記樹脂が硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の成形物。
【請求項３】
前記樹脂が、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂及びフッ素樹脂からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載の成形物。
【請求項４】
基材と、
前記基材上に積層された請求項１～３いずれか一項に記載の成形物と
を含むものであることを特徴とするハンドリング用シート。
【請求項５】
厚さ３００ミクロン以下の薄化ウエハ又はモールド封止再配置素子を請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着したうえでハンドリングすることを特徴とするハンドリング方法。
【請求項６】
厚さ３００ミクロン以下のシリコンウエハ又は化合物半導体ウエハを搭載する厚さ１．５ミリメートル以下の角型ガラスパネル又は金属パネルを、請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着したうえでハンドリングすることを特徴とする薄型デバイスのハンドリング方法。
【請求項７】
キャリアに支持された薄化ウエハを請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着した状態で前記キャリアを前記薄化ウエハから剥離することを特徴とする薄化ウエハの取り出し方法。
【請求項８】
キャリアに支持されたモールド封止再配置素子を請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着した状態で前記キャリアを前記モールド封止再配置素子から剥離することを特徴とするモールド封止再配置素子の取り出し方法。
【請求項９】
キャリアに支持された薄化ウエハを請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着した状態で前記キャリアを前記薄化ウエハから剥離することを含むことを特徴とする取り出された薄化ウエハの製造方法。
【請求項１０】
キャリアに支持されたモールド封止再配置素子を請求項１～３いずれか一項に記載の成形物に接着した状態で前記キャリアを前記モールド封止再配置素子から剥離することを含むことを特徴とする取り出されたモールド封止再配置素子の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、シート、薄化ウエハハンドリング用シート、薄型ウエハのハンドリング方法及び薄型デバイスのハンドリング方法に関する。特に、本発明は、３００ミクロン以下に薄化された薄型シリコンウエハ、あるいは化合物半導体ウエハ、あるいは１ミリメートル以下の角型ガラスパネル、ガラスウェハを破損することなく扱うための接着用シートに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高密度化のために、従来の５００ミクロンを超える厚みから、３００ミクロン以下、特に１００ミクロン以下のウエハ厚を使用した半導体素子製造が盛んに実施されている。
【０００３】
また、半導体デバイスの３次元化のために、１ミリメートル以下、特に５００ミクロン以下に薄化したガラスパネルの上に、３００ミクロン以下、特に１００ミクロン以下のウエハ厚を使用した半導体素子を機能上必要な構成に再配置してパッケージとする製造方法も多く開発されている。
【０００４】
このような薄型ウエハの製造や薄型パネルを使ったパッケージ製造に関して、例えば、三次元半導体素子実装の重要なプロセスであるＴＳＶ（ＴｈｒｏｕｇｈＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）プロセスでは、シリコンウエハの表裏両面に回路形成を施し、それを導通させるため、ＴＳＶ（ＴｈｒｏｕｇｈＳｉｌｉｃｏｎＶｉａ）、いわゆる貫通電極形成が実施されるが、この電極形成のためには、半導体素子となるシリコンウエハをキャリアと呼ばれる支持のためのガラスウエハと、仮接着剤（ＴｅｍｐｏｒａｒｙＧｌｕｅ剤）を介して接着させ、そのうえで、シリコンウエハの薄化、さらには回路形成等が実施される。
【０００５】
また、薄型パネルを使ったパッケージ製造に関して、例えば、薄型ガラスパネルの上にＡＩ用のＦＰＧＡ素子や多段積層ＤＲＡＭであるＨＢＭ素子を再配置して構成され、一つの機能をなす。ガラスパネル上への素子の再配置後、パネルはモールド樹脂などで封止され、その後薄型化、平坦化を行い、電極を露出させ回路形成等が実施される。
【０００６】
上記に示した二つの薄型基板を取り扱う方法では、回路形成時には、キャリアであるシリコンウエハやガラスウエハが支持基材となり、当該プロセスの実施が進行するが、プロセス終了後、３００ミクロン、場合によっては、１００ミクロン以下に薄化された回路形成されたシリコンウエハやモールドで封止した再配置素子を取り出す必要がある。
【０００７】
従来、この薄化シリコンウエハやモールド封止再配置素子の取り出し時には、一般的にＵＶ剥離方式を利用したダイシングテープを利用して、ガラスキャリアが接続された状態で、取り出すべきシリコンウエハにこのダイシングテープを張り、その状態で、キャリアをレーザー剥離方式等により除去することが一般的である。
【０００８】
ただし、このようにして取り出された、ダイシングテープ上に張られた回路形成された薄化シリコンウエハの表面には、通常、薄化プロセス中に使用された仮接着剤樹脂が残存している。
この残存樹脂は、溶剤洗浄法等で、溶解除去する必要がある。
【０００９】
一方、ダイシングテープの接着用の糊は、未硬化のアクリル樹脂等を利用している場合が多く、この仮接着剤の残渣樹脂の溶剤洗浄工程で、使用する溶剤に溶解してしまい、剥離、膨潤等の問題を引き起こすことが知られており、使用可能な洗浄溶剤が非常に限られるという問題を有している。
【００１０】
特許文献１には、先端がマッシュルーム形状であるマイクロファイバを含む乾式接着性繊維構造体（ｄｒｙａｄｈｅｓｉｖｅｆｉｂｅｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に関する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
（【００１１】以降は省略されています）

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