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公開番号2025105017
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2023223267
出願日2023-12-28
発明の名称プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/31 20060101AFI20250703BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板にラジカルを供給するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内にプラズマ形成空間を区画する天壁及び側壁と、前記側壁に設けられ、高周波電力が供給される複数の電極対と、を備える、プラズマ処理装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記処理容器内にプラズマ形成空間を区画する天壁及び側壁と、
前記側壁に設けられ、高周波電力が供給される複数の電極対と、を備える、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記側壁は、絶縁体で構成され、
前記天壁は、導電体で構成され、
前記天壁は、第１のインピーダンス制御回路を介して接地される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ形成空間を区画する底壁をさらに有し、
前記底壁は、導電体で構成され、
前記底壁は、第２のインピーダンス制御回路を介して接地される、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記側壁は絶縁体で構成され、
前記天壁は絶縁体で構成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ形成空間を区画する底壁をさらに有し、
前記底壁は、絶縁体で構成される、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記底壁と前記載置台との間に、接地されるイオントラップ部材を備える、
請求項３または請求項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記天壁は、前記プラズマ形成空間に第１のガスを供給するシャワーヘッドであって、
前記イオントラップ部材は、前記載置台が設けられる処理空間に第２のガスを供給する管体である、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記載置台は、第３のインピーダンス制御回路を介して接地される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記載置台は、接地される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記電極対を構成する電極の中心同士を結ぶ線と前記載置台に載置された基板の処理面とは、平行である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プラズマ形成空間内で形成されたプラズマ化した処理ガスに含まれるイオンをトラップするためのイオントラップ部材を備え、プラズマ化した処理ガスから基板に対して高密度のラジカルを供給する成膜装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－５８３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、基板にラジカルを供給するプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内にプラズマ形成空間を区画する天壁及び側壁と、前記側壁に設けられ、高周波電力が供給される複数の電極対と、を備える、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、基板にラジカルを供給するプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図の一例。
電極対をプラズマ処理装置の上方から見た模式図及び高周波供給ユニットの構成図の一例。
電極に印加される高周波電力の一例。
第２実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図の一例。
第３実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図の一例。
第４実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図の一例。
第５実施形態に係るプラズマ処理装置の縦断面図の一例。
電極対をプラズマ処理装置の上方から見た模式図及び高周波供給ユニットの構成図の一例。
電極に印加される高周波電力の一例。
電極をプラズマ処理装置の上方から見た模式図の一例。
側壁の円筒面を展開して電極の配置を示す模式図の一例。
側壁と電極の構造を示す水平断面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［第１実施形態に係るプラズマ処理装置１］
第１実施形態に係るプラズマ処理装置１について、図１から図３を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１の縦断面図の一例である。プラズマ処理装置１は、処理ガスのプラズマＰを生成し、プラズマ化した処理ガスから半導体ウエハ等の基板Ｗｆにラジカルを供給して、基板Ｗｆに所望の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す基板処理装置である。例えば、プラズマ処理装置１は、膜原料を含む原料ガスと、プラズマ化した処理ガスである反応ガスと、を反応させて、ＰＥＡＬＤ（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）により基板Ｗｆに成膜を行う装置として構成されてもよい。なお、プラズマ処理装置１は、これに限られるものではなく、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）により基板Ｗｆに成膜を行う装置として構成されてもよい。また、プラズマ処理装置１はエッチング装置であってもよい。
【００１０】
プラズマ処理装置１は、略円筒状の気密な処理容器２と、載置台３と、ガス供給部４と、を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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