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公開番号2024166553
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-29
出願番号2023082725
出願日2023-05-19
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/0683 20060101AFI20241122BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】面発光レーザチップから出力されたレーザ光の一部を受光チップが受光しやすくなること。
【解決手段】半導体発光装置10は、発光面33を有し、当該発光面33からレーザ光を出射する面発光レーザチップ30と、受光チップ40と、レーザ光が通過可能な材料によって形成され、面発光レーザチップ30および受光チップ40を封止する封止部材50と、封止部材50に設けられ、レーザ光の一部を受光チップ40に向けて反射する反射部70と、を含む。受光チップ40は、反射部70による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
発光面を有し、当該発光面からレーザ光を出射する面発光レーザチップと、
受光チップと、
前記レーザ光が通過可能な材料によって形成され、前記面発光レーザチップおよび前記受光チップを封止する封止部材と、
前記封止部材に設けられ、前記レーザ光の一部を前記受光チップに向けて反射する反射部と、
を含み、
前記受光チップは、前記反射部による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている
半導体発光装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記反射部は、前記封止部材の封止表面の一部に形成された凹凸によって構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記封止部材の前記封止表面は、平坦面と、前記平坦面よりも粗い粗面と、を含み、
前記反射部は、前記粗面によって構成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記反射部は、前記封止部材の封止表面上に形成された反射層を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記封止部材は、前記レーザ光が透過する封止表面と、前記封止表面のうち一部に形成された凹部と、を含み、
前記反射部は、前記凹部に設けられた反射層を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記封止部材の封止表面のうち前記封止表面に垂直な方向から視て前記受光チップと重なる部分に形成された遮光層を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記遮光層は、前記反射部を覆っている
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記封止部材の封止表面に垂直な方向から視て、前記面発光レーザチップの前記発光面および前記受光チップの受光面は第１方向において互いに離隔して配置されており、
前記反射部は、前記封止表面に垂直な方向から視て前記発光面と前記受光面との前記第１方向の間に形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記反射部は、前記封止表面に垂直な方向から視て前記面発光レーザチップと前記受光チップとの前記第１方向の間を跨ぐように設けられている
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記面発光レーザチップのチップ表面には、前記発光面と、前記チップ表面に垂直な方向から視て前記発光面と第１方向に離隔して形成された電極と、が形成されており、
前記受光チップは、前記第１方向において前記発光面に対して前記電極とは反対側に配置されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、様々な電子機器に搭載される光源装置として、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体発光装置では、ＬＥＤチップが用いられるため、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤチップに代えて、例えば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザチップによって高出力化に対応することが考えられる。
【０００５】
また、半導体発光装置では、ＬＥＤチップから出射される光の一部を受光する受光チップを備え、受光チップの受光量に基づいてＬＥＤチップから出射される光の強度を制御する構成の採用が進められている。
【０００６】
このような半導体発光装置に対してＬＥＤチップに代えて面発光レーザチップが用いられる場合、面発光レーザチップはＬＥＤチップよりも指向角が狭いため、面発光レーザチップから出射されたレーザ光の一部を受光チップが受光することは難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する半導体発光装置は、発光面を有し、当該発光面からレーザ光を出射する面発光レーザチップと、受光チップと、前記レーザ光が通過可能な材料によって形成され、前記面発光レーザチップおよび前記受光チップを封止する封止部材と、前記封止部材に設けられ、前記レーザ光の一部を前記受光チップに向けて反射する反射部と、を含み、前記受光チップは、前記反射部による反射光の少なくとも一部を受光する位置に配置されている。
【発明の効果】
【０００８】
上記半導体発光装置によれば、面発光レーザチップから出力されたレーザ光の一部を受光チップが受光しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図４は、図１の半導体発光装置の概略平面図である。
図５は、第２実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図６は、図５の一点鎖線の枠を拡大した概略断面図である。
図７は、第３実施形態の半導体発光装置について、半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図８は、図７のＦ８－Ｆ８線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図９は、第４実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１０は、第５実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、第６実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１２は、図１１の面発光レーザチップの概略平面図である。
図１３は、第７実施形態の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図１４は、図１３の面発光レーザチップを備える半導体発光装置の概略平面図である。
図１５は、第８実施形態の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図１６は、図１５の面発光レーザチップを備える半導体発光装置の概略平面図である。
図１７は、変更例の半導体発光装置について、反射部およびその周辺を拡大した概略断面図である。
図１８は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１９は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図２０は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図２１は、変更例の半導体発光装置について、面発光レーザチップの概略平面図である。
図２２は、変更例の半導体発光装置について、反射部およびその周辺を拡大した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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