特許ウォッチ

公開番号2025106675
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-16
出願番号2024000099
出願日2024-01-04
発明の名称半導体光装置及びその製造方法並びにセンサ
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H10H 20/857 20250101AFI20250709BHJP()
要約【課題】接合部材の供給量の管理を容易にし得るとともに向上した信頼性を有する半導体光装置を提供する。
【解決手段】半導体光装置1は、ダイパッド10を含む基板8と、半導体光素子30と、接合部材40とを備える。ダイパッド10の第1端縁11及び第2端縁12は、半導体光素子30の長手方向に沿って延在している。半導体光素子30は、主面10aの平面視において、主面10aと、第1端縁11に形成されている第1凹部16と、第2端縁12に形成されている第2凹部17とに重なっている。接合部材40は、主面10a上、第1凹部16内及び第2凹部17内に設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
半導体光素子と、
接合部材とを備え、
前記基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置されているダイパッドとを含み、
前記ダイパッドは、第１端縁と第２端縁と第３端縁と第４端縁とを含み、かつ、前記第１端縁、前記第２端縁、前記第３端縁及び前記第４端縁によって規定される主面を有しており、
前記第１端縁と前記第２端縁とは、各々、前記主面の平面視において前記半導体光素子の長手方向に沿って延在しており、
前記第３端縁と前記第４端縁とは、各々、前記平面視において前記半導体光素子の短手方向に沿って延在しており、かつ、前記第１端縁と前記第２端縁とに接続されており、
前記第１端縁に、前記第２端縁に向かって凹む第１凹部が形成されており、
前記第２端縁に、前記第１端縁に向かって凹む第２凹部が形成されており、
前記半導体光素子は、前記接合部材を用いて前記ダイパッドの前記主面に接合されており、かつ、前記平面視において前記半導体光素子は前記主面、前記第１凹部及び前記第２凹部に重なっており、
前記接合部材は、前記主面上、前記第１凹部内及び前記第２凹部内に設けられている、半導体光装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記半導体光素子の前記短手方向における前記第１凹部の第１長さ及び前記半導体光素子の前記短手方向における前記第２凹部の第２長さは、各々、３０μｍ以上である、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項３】
ｄ
１１
－（Ｌ
１１
＋Ｌ
１２
）はＬ
２１
の９０％以下であり、ただし、ｄ
１１
は前記半導体光素子の前記短手方向における前記第１端縁と前記第２端縁との間の距離であり、Ｌ
１１
は前記半導体光素子の前記短手方向における前記第１凹部の第１長さであり、Ｌ
１２
は前記半導体光素子の前記短手方向における前記第２凹部の第２長さであり、Ｌ
２１
は前記半導体光素子の前記短手方向における前記半導体光素子の第１素子長である、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項４】
ｄ
１１
－（Ｌ
１１
＋Ｌ
１２
）はＬ
２１
の４０％以上である、請求項３に記載の半導体光装置。
【請求項５】
前記半導体光素子の前記長手方向における前記第３端縁と前記第１凹部との間の第１距離、前記半導体光素子の前記長手方向における前記第３端縁と前記第２凹部との間の第２距離、前記半導体光素子の前記長手方向における前記第４端縁と前記第１凹部との間の第３距離、及び、前記半導体光素子の前記長手方向における前記第４端縁と前記第２凹部との間の第４距離は、各々、３０μｍ以上である、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項６】
前記半導体光素子の前記長手方向における前記第１凹部の第１幅及び前記半導体光素子の前記長手方向における前記第２凹部の第２幅は、各々、前記半導体光素子の前記長手方向における前記半導体光素子の第２素子長の３０％以上である、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項７】
前記第３端縁と前記第４端縁との間の距離は、前記半導体光素子の前記長手方向における前記半導体光素子の第２素子長よりも大きい、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項８】
前記基板は、前記第１端縁と前記第３端縁とによって形成される前記ダイパッドの角部に接続されている接続電極をさらに含み、
前記平面視において、前記第１凹部及び前記第２凹部は、各々、前記半導体光素子の前記長手方向に細長い形状を有している、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項９】
前記基板は、前記ダイパッドに接続されている接続電極をさらに含み、
前記第３端縁及び前記第４端縁のうち前記接続電極から遠位する端縁に、凹部は形成されていない、請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項１０】
前記第３端縁及び前記第４端縁のうち前記接続電極に近位する端縁に、第３凹部が形成されており、
前記半導体光素子は、前記第３端縁及び前記第４端縁のうち前記接続電極から遠位する前記端縁と前記第３凹部との間に配置されている、請求項８に記載の半導体光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体光装置及びその製造方法並びにセンサに関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０１３－２２５６９０号公報（特許文献１）は、電極と、ＬＥＤチップとを備える半導体発光装置を開示している。電極は、ダイボンディングパッドと、延出部とを含む。ダイボンディングパッドの外縁は、ＬＥＤチップの外縁よりも内方に位置している。延出部は、ダイボンディングパッドからＬＥＤチップの外方に延びている。ＬＥＤチップは、ダイボンディングパッドに銀ペーストを用いてボンディングされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－２２５６９０号公報［概要］
【０００４】
本開示の目的は、半導体光素子が平面視において細長い形状を有する場合に接合部材の供給量の管理を容易にし得るとともに向上した信頼性を有する半導体光装置及びその製造方法並びにセンサを提供することである。
【０００５】
本開示の半導体光装置は、基板と、半導体光素子と、接合部材とを備える。基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に配置されているダイパッドとを含む。ダイパッドは、第１端縁と第２端縁と第３端縁と第４端縁とを含み、かつ、第１端縁、第２端縁、第３端縁及び第４端縁によって規定される主面を有している。第１端縁と第２端縁とは、各々、主面の平面視において半導体光素子の長手方向に沿って延在している。第３端縁と第４端縁とは、各々、主面の平面視において半導体光素子の短手方向に沿って延在しており、かつ、第１端縁と第２端縁とに接続されている。第１端縁に、第２端縁に向かって凹む第１凹部が形成されている。第２端縁に、第１端縁に向かって凹む第２凹部が形成されている。半導体光素子は、接合部材を用いてダイパッドの主面に接合されており、かつ、主面の平面視において半導体光素子は主面、第１凹部及び第２凹部に重なっている。接合部材は、主面上、第１凹部内及び第２凹部内に設けられている。
【０００６】
本開示の半導体光装置の製造方法は、基板上に接合部材を供給することを備える。基板は、絶縁基板と、絶縁基板上に配置されているダイパッドとを含む。ダイパッドは、第１端縁と第２端縁と第３端縁と第４端縁とを含み、かつ、第１端縁、第２端縁、第３端縁及び第４端縁によって規定される主面を有している。第３端縁と第４端縁とは、各々、第１端縁と第２端縁とに接続されている。第１端縁に、第２端縁に向かって凹む第１凹部が形成されている。第２端縁に、第１端縁に向かって凹む第２凹部が形成されている。接合部材は、主面上、第１凹部内及び第２凹部内に設けられている。本開示の半導体光装置の製造方法は、半導体光素子を接合部材上に載置することを備える。主面の平面視において、半導体光素子は、主面、第１凹部及び第２凹部に重なっている。第１端縁と第２端縁とは、各々、主面の平面視において半導体光素子の長手方向に沿って延在している。第３端縁と第４端縁とは、各々、主面の平面視において半導体光素子の短手方向に沿って延在している。本開示の半導体光装置の製造方法は、接合部材を硬化させて、接合部材を用いて半導体光素子をダイパッドの主面に接合することを備える。
【０００７】
本開示のセンサは、本開示の半導体光装置と、半導体光装置に含まれる半導体発光素子から放射される光を受光する受光素子とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施の形態の半導体光装置の概略平面図である。
図２は、実施の形態の半導体光装置の、図１に示される断面線ＩＩ－ＩＩにおける概略断面図であり、比較例の半導体光装置の、図７に示される断面線ＩＩ－ＩＩにおける概略断面図である。
図３は、実施の形態の半導体光装置の、図１に示される断面線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける概略断面図である。
図４は、実施の形態の半導体光装置の概略部分拡大平面図である。
図５は、実施の形態の半導体光装置の製造方法のフローチャートを示す図である。
図６は、実施の形態の光センサの概略図である。
図７は、比較例の半導体光装置の概略平面図である。
図８は、比較例の半導体光装置の、図７に示される断面線ＶＩＩＩ－ＶＩＩＩにおける概略断面図である。［詳細な説明］
【０００９】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【００１０】
図１から図４を参照して、本開示の実施の形態の半導体光装置１を説明する。半導体光装置１は、基板８と、半導体光素子３０と、接合部材４０と、導電ワイヤ５０と、レジスト５２と、封止部材５５とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許