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公開番号2024140343
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023051439
出願日2023-03-28
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人株式会社カネカ
代理人個人,個人
主分類H01L 27/146 20060101AFI20241003BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高い矩形性を有するフレームを形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子10と、基板20と、透明基板30と、フレーム40とを備える半導体装置1の製造方法であって、透明基板30に対して、印刷版をセットするセット工程と、印刷版を用いた印刷法により、透明基板30上に、熱硬化性材料を用いてフレームの材料を印刷する印刷工程と、印刷版を取り外すことなく、フレームの材料を加熱し、フレームの材料を仮硬化させる仮硬化工程と、仮硬化工程後に、印刷版を取り外すリセット工程と、リセット工程後に、フレームの材料を本硬化させてフレーム40を得る本硬化工程と、本硬化工程後のフレーム40が形成された透明基板30、または、本硬化工程前のフレームの材料が形成された透明基板30を、半導体素子10が搭載された基板20に組み合わせる組合工程とを含む。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載された基板と、
前記基板と対向するように配置された透明基板と、
前記半導体素子を囲うように、前記基板と前記透明基板との間に配置されたフレームと、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記透明基板に対して、印刷版をセットするセット工程と、
前記印刷版を用いた印刷法により、前記透明基板上に、熱硬化性材料または光硬化性および熱硬化性材料を用いて前記フレームの材料を印刷する印刷工程と、
前記印刷版を取り外すことなく、前記フレームの材料を加熱し、前記フレームの材料を仮硬化させる仮硬化工程と、
前記仮硬化工程後に、前記印刷版を取り外すリセット工程と、
前記リセット工程後に、前記フレームの材料に加熱、光照射、または、光照射および加熱を行い、前記フレームの材料を本硬化させて前記フレームを得る本硬化工程と、
前記本硬化工程後の前記フレームが形成された前記透明基板、または、前記本硬化工程前の前記フレームの材料が形成された前記透明基板を、前記半導体素子が搭載された前記基板に組み合わせる組合工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 610 文字）【請求項２】
半導体素子と、
前記半導体素子と対向するように配置された透明基板と、
前記半導体素子の機能領域を囲うように、前記半導体素子と前記透明基板との間に配置されたフレームと、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記透明基板に対して、印刷版をセットするセット工程と、
前記印刷版を用いた印刷法により、前記透明基板上に、熱硬化性材料または光硬化性および熱硬化性材料を用いて前記フレームの材料を印刷する印刷工程と、
前記印刷版を取り外すことなく、前記フレームの材料を加熱し、前記フレームの材料を仮硬化させる仮硬化工程と、
前記仮硬化工程後に、前記印刷版を取り外すリセット工程と、
前記リセット工程後に、前記フレームの材料に加熱、光照射、または、光照射および加熱を行い、前記フレームの材料を本硬化させて前記フレームを得る本硬化工程と、
前記本硬化工程後の前記フレームが形成された前記透明基板、または、前記本硬化工程前の前記フレームの材料が形成された前記透明基板を、前記半導体素子に組み合わせる組合工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記印刷工程における前記フレームの材料の印刷と、前記仮硬化工程における前記フレームの材料の加熱とは、同時に行われる、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、ＣＭＯＳセンサまたはＣＣＤセンサなどのイメージセンサである固体撮像装置が知られている。このような半導体装置は、例えば、半導体素子（半導体チップ）と、半導体素子が搭載された基板と、基板と対向するように配置された透明基板と、半導体素子を囲うように、基板と透明基板との間に配置されたフレームとを備え、半導体素子が基板と、透明基板と、フレームとで封止された中空構造を有する（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、光硬化性樹脂層または光硬化性と熱硬化性を兼ねた樹脂層をスクリーン印刷することによってフレームを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１０－１２９６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のように、光硬化性樹脂層または熱硬化性樹脂層をスクリーン印刷することによってフレームを形成する場合、スクリーン版におけるメッシュへの目詰まりを防ぐためにスクリーン版を取り外してからＵＶ照射または加熱を行っているが、印刷材料がダレてしまい、フレームの矩形性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、高い矩形性を有するフレームを形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子が搭載された基板と、前記基板と対向するように配置された透明基板と、前記半導体素子を囲うように、前記基板と前記透明基板との間に配置されたフレームとを備える半導体装置の製造方法であって、前記透明基板に対して、印刷版をセットするセット工程と、前記印刷版を用いた印刷法により、前記透明基板上に、熱硬化性材料または光硬化性および熱硬化性材料を用いて前記フレームの材料を印刷する印刷工程と、前記印刷版を取り外すことなく、前記フレームの材料を加熱し、前記フレームの材料を仮硬化させる仮硬化工程と、前記仮硬化工程後に、前記印刷版を取り外すリセット工程と、前記リセット工程後に、前記フレームの材料に加熱、光照射、または、光照射および加熱を行い、前記フレームの材料を本硬化させて前記フレームを得る本硬化工程と、前記本硬化工程後の前記フレームが形成された前記透明基板、または、前記本硬化工程前の前記フレームの材料が形成された前記透明基板を、前記半導体素子が搭載された前記基板に組み合わせる組合工程とを含む。
【０００８】
本発明に係る別の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子と対向するように配置された透明基板と、前記半導体素子の機能領域を囲うように、前記半導体素子と前記透明基板との間に配置されたフレームとを備える半導体装置の製造方法であって、前記透明基板に対して、印刷版をセットするセット工程と、前記印刷版を用いた印刷法により、前記透明基板上に、熱硬化性材料または光硬化性および熱硬化性材料を用いて前記フレームの材料を印刷する印刷工程と、前記印刷版を取り外すことなく、前記フレームの材料を加熱し、前記フレームの材料を仮硬化させる仮硬化工程と、前記仮硬化工程後に、前記印刷版を取り外すリセット工程と、前記リセット工程後に、前記フレームの材料に加熱、光照射、または、光照射および加熱を行い、前記フレームの材料を本硬化させて前記フレームを得る本硬化工程と、前記本硬化工程後の前記フレームが形成された前記透明基板、または、前記本硬化工程前の前記フレームの材料が形成された前記透明基板を、前記半導体素子に組み合わせる組合工程とを含む。
【０００９】
上記の半導体装置の製造方法において、前記仮硬化工程では、前記印刷工程において印刷を行う前記透明基板の印刷面とは反対の裏面側から加熱してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体装置において、高い矩形性を有するフレームを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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