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公開番号2024058577
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-25
出願番号2023128295
出願日2023-08-07
発明の名称半導体パッケージ
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20240418BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】放熱性能の確保に有利な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による半導体パッケージは、少なくとも一つの第1再配線層と少なくとも一つの第1絶縁層とが交互に積層された第1再配線構造物と、第1再配線構造物の一面上に配置された第1半導体チップと、第1再配線構造物と第1半導体チップとの間に配置された封止材と、第1再配線構造物と第1半導体チップとを電気的に連結し、封止材を貫通する第1導電性ポストと、少なくとも一部分が、第1導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に第1半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、少なくとも一部分が、第1再配線構造物と放熱部材との間に配置され、封止材によって封止される第2半導体チップと、を含み、第1半導体チップは、第1導電性ポストが貫通する方向に第1導電性ポストに重なり、第2半導体チップに重ならないように配置されることができる。
【選択図】図1a
特許請求の範囲【請求項１】
少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、
前記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとを電気的に連結し、前記封止材を貫通する第１導電性ポストと、
少なくとも一部分が、前記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に前記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、
少なくとも一部分が、前記第１再配線構造物と前記放熱部材との間に配置され、前記封止材によって封止される第２半導体チップと、を含み、
前記第１半導体チップは、前記第１導電性ポストが貫通する方向に前記第１導電性ポストに重なり、前記第２半導体チップに重ならないように配置される、半導体パッケージ。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、
前記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとを電気的に連結し、前記封止材を貫通する第１導電性ポストと、
少なくとも一部分が、前記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に前記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、
少なくとも一部分が、前記第１再配線構造物と前記放熱部材との間に配置され、前記封止材によって封止される第２半導体チップと、
前記第２半導体チップと前記放熱部材との間に配置され、少なくとも一つの第２再配線層と少なくとも一つの第２絶縁層とが交互に積層された第２再配線構造物と、を含む、半導体パッケージ。
【請求項３】
少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、
前記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、
前記第１再配線構造物と前記第１半導体チップとを電気的に連結し、前記封止材を貫通する第１導電性ポストと、
少なくとも一部分が、前記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に前記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、
少なくとも一部分が前記第１再配線構造物と前記放熱部材との間に配置され、前記封止材によって封止される第２半導体チップと、
前記第２半導体チップと前記放熱部材との間に配置され、前記封止材によって封止される第３半導体チップと、
前記第１再配線構造物の他面上に配置され、前記第１及び第２半導体チップのうち少なくとも一つに電気的に連結される第１バンプと、を含み、
前記第１及び第２半導体チップは、前記第１再配線構造物を介して互いに電気的に連結され、
前記第１導電性ポストは、前記封止材の中心から第１方向に偏って配置され、
前記第２及び第３半導体チップは、前記封止材の中心から前記第１方向とは異なる第２方向に偏って配置される、半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第２半導体チップと前記放熱部材との間に配置され、前記封止材によって封止される第３半導体チップをさらに含む、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第３半導体チップは、前記封止材が前記第３半導体チップと前記放熱部材との間を塞がないように前記放熱部材に向かって露出する、請求項４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第１導電性ポストは、前記封止材の中心から第１方向に偏って配置され、
前記第２半導体チップは、前記封止材の中心から前記第１方向とは異なる第２方向に偏って配置される、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記第１再配線構造物の他面上に配置され、前記第１及び第２半導体チップのうち少なくとも一つに電気的に連結される第１バンプをさらに含み、
前記第１及び第２半導体チップは、前記第１再配線構造物を介して互いに電気的に連結される、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記第１導電性ポストと前記第１半導体チップとの間に電気的に連結され、前記第１導電性ポストが貫通する方向に前記第１導電性ポストに重なる第２バンプをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記第２半導体チップと前記放熱部材との間に配置され、前記第２半導体チップと前記放熱部材とが互いに対向する方向に延在され、前記放熱部材に電気的に連結される第２導電性ポストをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記第１半導体チップの一部分は、前記第１導電性ポストが貫通する方向に前記第２半導体チップに重なり、
前記放熱部材において前記第２半導体チップに対向する面のサイズは、前記第１半導体チップにおいて前記第１導電性ポストに対向する面のサイズより小さい、請求項２又は３に記載の半導体パッケージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップは、ＷＬＰ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ）やＰＬＰ（ＰａｎｅｌＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ）のような半導体パッケージで実現されることができ、半導体パッケージは機器の電子部品として使用されることができる。
【０００３】
半導体パッケージは、半導体チップを機器やプリント回路基板に電気的に連結させるための再配線層（ＲｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＬａｙｅｒ）を含むことができる。再配線層は、一般的なプリント回路基板の配線層の配線よりも微細に実現された再配線が水平方向に延長された構造を有することができる。
【０００４】
再配線層は、電気的連結経路を垂直方向に延長するためにバンプ（ｂｕｍｐ）に電気的に連結されることができ、ＵＢＭ（ＵｎｄｅｒＢｕｍｐＭｅｔａｌｌｕｒｇｙ）は、再配線層とバンプとの間における電気的連結の効率を向上させることができる。
【０００５】
半導体チップが提供することができるシステムはますます複雑になり、半導体チップの性能は徐々に高くなっているため、半導体パッケージの集積度は次第に高く要求され、半導体パッケージの単位性能に対するサイズはさらに小さく要求される可能性がある。しかし、半導体パッケージの集積度が高くなる又は単位性能に比べてサイズが小さくなるほど、半導体パッケージの放熱性能確保の難易度が高くなり得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、放熱性能の確保に有利な半導体パッケージを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による半導体パッケージは、少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、上記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとを電気的に連結し、上記封止材を貫通する第１導電性ポストと、少なくとも一部分が、上記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に上記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、少なくとも一部分が、上記第１再配線構造物と上記放熱部材との間に配置され、上記封止材によって封止される第２半導体チップと、を含み、上記第１半導体チップは、上記第１導電性ポストが貫通する方向に上記第１導電性ポストに重なり、上記第２半導体チップに重ならないように配置されることができる。
【０００８】
本発明の一実施形態による半導体パッケージは、少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、上記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとを電気的に連結し、上記封止材を貫通する第１導電性ポストと、少なくとも一部分が、上記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に上記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、少なくとも一部分が上記第１再配線構造物と上記放熱部材との間に配置され、上記封止材によって封止される第２半導体チップと、上記第２半導体チップと上記放熱部材との間に配置され、少なくとも一つの第２再配線層と少なくとも一つの第２絶縁層とが交互に積層された第２再配線構造物と、を含むことができる。
【０００９】
本発明の一実施形態による半導体パッケージは、少なくとも一つの第１再配線層と少なくとも一つの第１絶縁層とが交互に積層された第１再配線構造物と、上記第１再配線構造物の一面上に配置された第１半導体チップと、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとの間に配置された封止材と、上記第１再配線構造物と上記第１半導体チップとを電気的に連結し、上記封止材を貫通する第１導電性ポストと、少なくとも一部分が、上記第１導電性ポストが貫通する方向に垂直な方向に上記第１半導体チップに重なるように配置される放熱部材と、少なくとも一部分が、上記第１再配線構造物と上記放熱部材との間に配置され、上記封止材によって封止される第２半導体チップと、上記第２半導体チップと上記放熱部材との間に配置され、上記封止材によって封止される第３半導体チップと、上記第１再配線構造物の他面上に配置され、上記第１及び第２半導体チップのうち少なくとも一つに電気的に連結される第１バンプと、を含み、上記第１及び第２半導体チップは、上記第１再配線構造物を介して互いに電気的に連結され、上記第１導電性ポストは、上記封止材の中心から第１方向に偏って配置され、上記第２及び第３半導体チップは、上記封止材の中心から上記第１方向とは異なる第２方向に偏って配置されることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一実施形態による半導体パッケージは、放熱性能の確保に有利であり得る。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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