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公開番号2024053587
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-16
出願番号2022159900
出願日2022-10-04
発明の名称チップの製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20240409BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマエッチングのコストを低減することが可能なチップの製造方法を提供する。
【解決手段】分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法であって、被加工物の表面側又は裏面側にプラズマ化したガスを供給することにより、マスクを形成するマスク形成ステップと、被加工物のマスクが形成された面側に切削ブレードを所定の切り込み深さで分割予定ラインに沿って切り込ませることにより、分割予定ラインに沿ってマスクを除去しつつ切削溝を形成する切削ステップと、被加工物の切削溝が形成された面側にプラズマ化したガスを供給して被加工物にプラズマエッチングを施すことにより、被加工物を分割予定ラインに沿って除去して複数のチップに分割するプラズマエッチングステップと、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法であって、
該被加工物の表面側又は裏面側にプラズマ化したガスを供給することにより、マスクを形成するマスク形成ステップと、
該被加工物の該マスクが形成された面側に切削ブレードを所定の切り込み深さで該分割予定ラインに沿って切り込ませることにより、該分割予定ラインに沿って該マスクを除去しつつ切削溝を形成する切削ステップと、
該被加工物の該切削溝が形成された面側にプラズマ化したガスを供給して該被加工物にプラズマエッチングを施すことにより、該被加工物を該分割予定ラインに沿って除去して複数の該チップに分割するプラズマエッチングステップと、を含むことを特徴とするチップの製造方法。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
該切削ブレードは、幅が先端に向かって狭くなる先端部を有し、
該切削ステップでは、該先端部のみが該マスクと接触するように該切削ブレードを該マスクに切り込ませることを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項３】
該切削ステップでは、該切削ブレードの切り込み深さを１０μｍ未満とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のチップの製造方法。
【請求項４】
該プラズマエッチングステップでは、
該被加工物の該切削溝が形成された面側にプラズマ化したガスを供給することにより、該切削溝を保護膜で被覆する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップの後に、該切削溝にプラズマ化したガスを供給することにより、該保護膜を異方的にプラズマエッチングして該切削溝の底に被覆された該保護膜を除去する異方性エッチングステップと、
該異方性エッチングステップの後に、該切削溝にプラズマ化したガスを供給することにより、該切削溝の底を等方的にプラズマエッチングする等方性エッチングステップと、
を繰り返して、該被加工物を該分割予定ラインに沿って複数の該チップに分割することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のチップの製造方法。
【請求項５】
該プラズマエッチングステップの後に、該マスクを除去するマスク除去ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のチップの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
デバイスチップの製造プロセスでは、格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。
【０００３】
ウェーハの分割には、環状の切削ブレードで被加工物を切削する切削装置や、被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置等が用いられる。また、近年では、ウェーハにプラズマエッチングを施すことによってウェーハを分割する、プラズマダイシングと称されるプロセスの開発も進められている。プラズマダイシングでは、まず、分割予定ラインが露出するようにパターニングされたマスクがウェーハに形成される。その後、マスクを介してウェーハにプラズマ状態のエッチングガスを供給することにより、分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングが施され、ウェーハが分割される。
【０００４】
プラズマエッチングのマスクは、例えばフォトレジストを分割予定ラインに沿ってパターニングすることによって形成される。また、工程の簡略化及びコスト低減を図るため、レーザー加工装置を用いてマスクを形成する手法も提案されている。例えば特許文献１には、ウェーハに水溶性保護膜を形成した後、水溶性保護膜にレーザービームを分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインを露出させるエッチングマスクを形成する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１６－２０７７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、ウェーハ等の被加工物に対してプラズマエッチングを施す際には、マスクとしてフォトレジストや水溶性保護膜が形成される。ただし、フォトレジストによってマスクを形成する場合には、フォトレジストの塗布、露光、現像等の工程が必要となり、マスクの形成に手間がかかる。
【０００７】
一方、水溶性保護膜をレーザービームの照射によってパターニングする手法を用いると、フォトレジストを用いる場合と比較して少ない工程数でマスクを形成できる。また、レーザー加工装置はレーザービームの照射条件を簡易に変更できるため、プラズマエッチングが施される被加工物の種類が変更された場合にも、被加工物の種類に応じて速やかにマスクの設計変更を行うことができる。
【０００８】
しかしながら、レーザー加工装置で水溶性保護膜のパターニングを行う場合には、レーザービームの照射によって生じる熱が被加工物に悪影響を与えないように、短パルスレーザーを用いた緻密なレーザー加工が必要となる。これにより、レーザー加工装置の導入及び稼働に要するコストが増大し、プラズマエッチングの低コスト化が妨げられる。
【０００９】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、プラズマエッチングのコストを低減することが可能なチップの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を分割して複数のチップを製造するチップの製造方法であって、該被加工物の表面側又は裏面側にプラズマ化したガスを供給することにより、マスクを形成するマスク形成ステップと、該被加工物の該マスクが形成された面側に切削ブレードを所定の切り込み深さで該分割予定ラインに沿って切り込ませることにより、該分割予定ラインに沿って該マスクを除去しつつ切削溝を形成する切削ステップと、該被加工物の該切削溝が形成された面側にプラズマ化したガスを供給して該被加工物にプラズマエッチングを施すことにより、該被加工物を該分割予定ラインに沿って除去して複数の該チップに分割するプラズマエッチングステップと、を含むチップの製造方法が提供される。
（【００１１】以降は省略されています）

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