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公開番号2025122465
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-21
出願番号2024017977
出願日2024-02-08
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人日清紡マイクロデバイス株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H01L 21/56 20060101AFI20250814BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂部から露出するインナーリード部の樹脂バリの発生を抑制する、および/または、インナーリード部の封止樹脂部からの剥離を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子1が搭載されたリードフレーム2を第1金型4Aおよび第2金型4Bで挟んで、第1金型4Aの型締め部6Aからリードフレーム2の被型締め部2cに、キャビティ5の側壁部5aの形状に沿う方向に沿って加えられる第1押力と、キャビティ5と反対側に傾斜する方向に沿って加えられる第2押力と、を含む押力を加え、リードフレーム2のインナーリード部2bが第2金型4Bに向かう方向の応力を生じさせて型締めし、キャビティ5内に樹脂を注入して封止樹脂部を形成する半導体装置の製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子が搭載されたリードフレームを一対の金型で挟んで型締めし、キャビティ内に樹脂を注入して封止樹脂部を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記一対の金型の一方の型締め部から前記リードフレームの被型締め部に、前記キャビティの側壁部の形状に沿う方向に沿って加えられる第１押力と、前記キャビティと反対側に傾斜する方向に沿って加えられる第２押力と、を含む押力を加え、前記被型締め部から前記キャビティ内に延出する前記リードフレームのインナーリード部が前記一対の金型の他方に向かう方向の応力を生じさせる型締め工程と、
前記キャビティ内に樹脂を注入して前記封止樹脂部を形成する樹脂封止工程と、を含む半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 370 文字）【請求項２】
前記型締め工程は、前記型締め部から前記被型締め部に、前記第１押力より大きい前記第２押力を加える工程である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記一対の金型は、前記キャビティ、および前記キャビティの前記側壁部の傾斜と反対方向に傾斜する壁部を備える前記一方の金型と、平板状の前記他方の金型とで構成され、
前記型締め工程は、前記側壁部と前記壁部の間で構成される前記型締め部から、前記被型締め部に、前記壁部の形状に沿う方向に沿って加えられる前記第２押力を含む前記押力を加える工程である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記一方の金型は、前記キャビティおよび凹部を備え、
前記凹部は、前記壁部を備える、請求項３記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止樹脂部からインナーリード部の一部が露出する半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置を実装する電子機器の小型化、軽量化に伴い、半導体装置の小型化、軽量化が要求されている。リードフレームを用いた半導体装置では、半導体素子を搭載するリードフレームの上面側を樹脂封止し、封止樹脂部からリードフレームの下面を露出させる片面封止構造とすることで小型化、軽量化が図られている。
【０００３】
図８は、一般的な半導体装置の製造方法を説明する図で、リードフレームを型締めした状態の断面模式図である。図８に示すように、封止樹脂部を形成するため、半導体素子１がダイパッド部２ａに搭載され、半導体素子１の電極とインナーリード部２ｂが金属ワイヤ３で接続されたリードフレーム２が、金型４ｂに当接するように配置され、一対の金型４ａおよび４ｂで挟まれて型締めされる。その後、キャビティ５内に樹脂を注入することで封止樹脂部が形成される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－９６６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようにリードフレーム２が型締めされると、キャビティ５内のリードフレーム２が金型４ｂから浮き上がるように変形することがある。図９は、図８に示す型締めされたリードフレームの変形を説明する断面模式図である。リードフレーム２が、キャビティ５を備える金型４ａと平板状の金型４ｂで挟まれて型締めされると、金型４ａの型締め部６からリードフレーム２の被型締め部２ｃに押力が加えられる。この押力は、矢印Ａで示す被型締め部２ｃの上面に対して垂直方向に沿って被型締め部２ｃに加えられる押力と、矢印Ｂで示すキャビティ５の側壁部５ａの形状に沿う方向に沿って被型締め部２ｃに加えられる押力を含む押力となる。これらの押力が型締め部６から被型締め部２ｃに加えられると、リードフレーム２に生じる応力によって、被型締め部２ｃからキャビティ５内に延出するリードフレーム２のインナーリード部２ｂが金型４ｂから離れる方向に変形する。
【０００６】
図１０は、図９に示すリードフレームが樹脂封止された半導体装置の断面模式図である。図９で説明したように金型４ｂに当接するように配置されるリードフレーム２のインナーリード部２ｂが変形し、インナーリード部２ｂの先端が金型４ｂから離れた状態でキャビティ５内に樹脂が注入されると、図１０に示すように、封止樹脂部７が形成されるとともにインナーリード部２ｂの下面に薄い樹脂バリ８が発生してしまう。
【０００７】
また、型締めにより生じる変形は弾性変形のため、リードフレーム２が型締めから外されると、リードフレーム２が元の形状に戻ろうとする。これは、インナーリード部２ｂが封止樹脂部７から離れる方向に変形すること、または変形しようとする応力が残ることとなり、インナーリード部２ｂと封止樹脂部７のせん断応力が接着力より大きくなると、インナーリード部２ｂが封止樹脂部７から剥離してしまう。
【０００８】
上記のような型締めによるリードフレーム２の変形は、図９に示す形状のインナーリード部２ｂの型締めに限らず、ダイパッド部２ａに連結するインナーリード部にも生じる。このように金型４ｂに当接するように配置されるインナーリード部２ｂ、ダイパッド部２ａに連結するインナーリード部が変形すると、インナーリード部２ｂ等が金型４ｂから離れた状態で樹脂が注入され、インナーリード部２ｂ等の下面に樹脂バリ８が発生するという問題がある。またリードフレーム２が型締めから外されると、インナーリード部２ｂ等が封止樹脂部７から剥離してしまうという問題がある。
【０００９】
そこで本発明は、封止樹脂部から露出するインナーリード部の樹脂バリの発生を抑制する、および／または、インナーリード部の封止樹脂部からの剥離を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されたリードフレームを一対の金型で挟んで型締めし、キャビティ内に樹脂を注入して封止樹脂部を形成する半導体装置の製造方法であって、前記一対の金型の一方の型締め部から前記リードフレームの被型締め部に、前記キャビティの側壁部の形状に沿う方向に沿って加えられる第１押力と、前記キャビティと反対側に傾斜する方向に沿って加えられる第２押力と、を含む押力を加え、前記被型締め部から前記キャビティ内に延出する前記リードフレームのインナーリード部が前記一対の金型の他方に向かう方向の応力を生じさせる型締め工程と、前記キャビティ内に樹脂を注入して前記封止樹脂部を形成する樹脂封止工程と、を含む。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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