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公開番号2025105978
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2025077343,2024062152
出願日2025-05-07,2011-08-04
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10B 99/00 20230101AFI20250703BHJP()
要約【課題】半導体装置を小型化する。また、メモリセルを有する半導体装置の駆動回路の面
積を縮小する。
【解決手段】少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成層と、素子形成層上に設けら
れた第1の配線と、第1の配線上に設けられた層間膜と、層間膜を介して第1の配線と重
畳する第2の配線と、を有し、第1の配線と、層間膜と、第2の配線と、は、第2の半導
体素子を構成し、第1の配線と、第2の配線と、は、同電位が供給される配線である半導
体装置である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた第1の配線と、
前記第1の配線上に設けられた層間膜と、
前記層間膜を介して前記第1の配線と重畳する第2の配線と、を有し、
前記第1の配線と、前記層間膜と、前記第2の配線とは、第2の半導体素子を構成し、
前記第1の配線と、前記第2の配線とは、同電位が供給される配線である半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
開示する発明は、半導体素子を利用した半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
EEPROMやフラッシュメモリなどの、データの書き込みと消去を繰り返し行うことが
可能な不揮発性の記憶装置等の半導体装置は、利便性が高く、また、物理的な衝撃に強い
。そのため、主にUSBメモリ、メモリーカードなどの携帯型の記憶媒体や、無線で情報
の読み取りを行うRFID(Radio frequency identificat
ion)の媒体であるRFタグなどに用いられ、市場に広く出回っている。上記半導体装
置は、記憶素子として機能するトランジスタを各メモリセルに有する。そして、上記トラ
ンジスタは、フローティングゲートと呼ばれる電極を、ゲート電極と、活性層である半導
体膜との間に有しており、フローティングゲートにおける電荷の蓄積によりデータの記憶
を行うことができる。
【0003】
下記の特許文献1と特許文献2には、ガラス基板上に形成された、フローティングゲート
を有する薄膜トランジスタについて記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開平6-021478号公報
特開2005-322899号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、半導体装置の駆動回路において、複数の信号線を有する回路を形成する場合、
駆動回路の面積を縮小させるためには、配線層の数を増加させて各層に信号線を形成する
ことが望ましい。しかしながら、配線層の数を増加させるに当たって単純に配線マスクの
枚数を増加させるとコストが増大するので好ましくない。
【0006】
特に、記憶装置等の半導体装置は、メモリセルと、該メモリセルを駆動するための駆動回
路とを有し、駆動回路の面積によって半導体装置の大きさが制限される。つまり、メモリ
セルの面積だけを縮小させても、駆動回路の面積を縮小させることができなければ、半導
体装置全体の小型化を達成することはできない。よって、駆動回路の面積を縮小させるこ
とは、半導体装置の小型化を図るに当たって重要である。
【0007】
そこで、本発明の一態様は、半導体装置を小型化することを課題の一とする。
【0008】
また、本発明の一態様は、メモリセルを有する半導体装置の駆動回路の面積を縮小するこ
とを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
開示する発明に係る一態様は、少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成層と、素子
形成層上に設けられた第1の配線と、第1の配線上に設けられた層間膜と、層間膜を介し
て第1の配線と重畳する第2の配線と、を有し、第1の配線と、層間膜と、第2の配線と
、は、第2の半導体素子を構成し、第1の配線と、第2の配線と、は、同電位が供給され
る配線である半導体装置である。
【0010】
また、開示する発明に係る他の一態様は、少なくとも第1の半導体素子を有する素子形成
層と、素子形成層上に設けられた第1の配線と、第1の配線上に設けられた層間膜と、層
間膜を介して第1の配線と重畳する第2の配線と、を有し、第1の配線と、層間膜と、第
2の配線と、は、第2の半導体素子を構成し、第1の配線と、第2の配線と、は、同相の
信号が供給される配線である半導体装置である。
(【0011】以降は省略されています)

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