特許ウォッチ

公開番号2025099831
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216781
出願日2023-12-22
発明の名称ガス導入管及びガス導入管の製造方法
出願人クアーズテック合同会社
代理人弁理士法人航栄事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ガス導入管におけるデポ膜の局所的な生成を抑制すること。
【解決手段】ガス導入管6は、半導体処理装置1にガスを導入するためのガス導入管である。ガス導入管6は、Si-SiC基材61と、CVD-SiC膜62,63と、を有している。Si-SiC基材61は、複数の空隙61aを有する、管状のSi-SiC基材である。CVD-SiC膜62,63は、Si-SiC基材61の面上に形成されたCVD-SiC膜である。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
半導体処理装置にガスを導入するためのガス導入管であって、
複数の空隙を有し管状のＳｉ－ＳｉＣ基材を有する、
ガス導入管。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
請求項１に記載のガス導入管であって、
前記空隙のサイズは１μｍ以上１５０μｍ以下である、
ガス導入管。
【請求項３】
請求項１に記載のガス導入管であって、
前記Ｓｉ－ＳｉＣ基材のうち前記Ｓｉ－ＳｉＣ基材の外面を含む領域を外側管状領域とし、
前記Ｓｉ－ＳｉＣ基材のうち前記外側管状領域と異なる領域であって前記Ｓｉ－ＳｉＣ基材の内面を含む領域を内側管状領域とした場合、
前記外側管状領域の空隙率は３％以上である、
ガス導入管。
【請求項４】
請求項３に記載のガス導入管であって、
前記外側管状領域の空隙率は３％以上１０％以下であり、
前記内側管状領域の空隙率は０％以上２％以下である、
ガス導入管。
【請求項５】
請求項３又は４に記載のガス導入管であって、
前記外側管状領域及び前記内側管状領域のそれぞれは、前記Ｓｉ－ＳｉＣ基材の厚さの半分の厚さを有する管状領域である、
ガス導入管。
【請求項６】
半導体処理装置にガスを導入するためのガス導入管の製造方法であって、
複数の空隙を有し管状のＳｉ－ＳｉＣ基材を形成する工程を含む、
ガス導入管の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理装置にガスを導入するためのガス導入管に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体のＬＰ－ＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）、アニール等の熱処理工程は、縦型半導体熱処理炉を用いて行われている。この縦型半導体熱処理炉には、縦型に配置された炉心管の処理空間に、処理ガスを導入するためのガス導入管が設けられている。従来のガス導入管は、例えば純度、加工性に優れていることから石英ガラス製の管体でほぼＬ字形状をなし、炉心管内に延伸する垂直部と屈曲部と炉心管の底部近傍に配置される水平部とを有している。
【０００３】
ガス導入管内にデポ膜（堆積膜）が成膜し、ガス導入管の内径に対しデポ膜の厚さが大きくなると、ガス導入管によるガスの供給能力が低下してしまい、最終的には詰まりが生じる。デポ膜の生成自体を抑制することは困難であるため、詰まりが生じる前に、デポ膜の除去のための洗浄を実施する必要がある。特許文献１や特許文献２には、この洗浄による導入管の寿命短縮を避けるために、導入管の内外面にＣＶＤ－ＳｉＣ膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平４－１０５３１号公報
特開２０１９－１７６０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガス導入管が長いほど、外界の温度ばらつきの影響で、ガス導入管の軸方向におけるデポ膜の生成速度のばらつきが大きくなり、ガス導入管内でデポ膜が局所的に生成され、ガス導入管の詰まりが生じやすくなる。ガス導入管に詰まりが生じると、洗浄でもデポ膜を除去しきるのが困難になり、また完全に詰まっていなくともガス導入管のガス供給能力が低下し、ウエハの膜厚異常の原因となるリスクがある。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、ガス導入管におけるデポ膜の局所的な生成を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示のガス導入管は、
半導体処理装置にガスを導入するためのガス導入管であって、
複数の空隙を有し管状のＳｉ－ＳｉＣ基材を有する、
ものである。
【０００８】
開示のガス導入管の製造方法は、
半導体処理装置にガスを導入するためのガス導入管の製造方法であって、
複数の空隙を有し管状のＳｉ－ＳｉＣ基材を形成する工程を含む、
ものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ガス導入管におけるデポ膜の局所的な生成を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施の形態にかかるガス導入管を適用可能な半導体処理装置の一例である半導体処理装置１を示す断面図である。
本実施の形態にかかるガス導入管の一例であるガス導入管６をガス導入管６の軸を通る平面で切断して示す断面図である。
ガス導入管６をガス導入管６の軸と直交する平面で切断して示す断面図である。
ガス導入管６の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許