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公開番号2025099040
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023215382
出願日2023-12-21
発明の名称異物検査装置、ナノインプリントリソグラフィ装置、および物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】原版のパターンを基板に転写する成形装置において、基板上の高さの高い異物の検出を可能とし、生産性を向上させることができる異物検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原版のパターンを基板に転写する成形装置における前記基板上の異物を検出する異物検査装置は、光源、被検面、ピンホールが共役である共焦点光学系と、前記共焦点光学系の前記ピンホールを通過した光の光量を検出するセンサと、前記基板の高さより高い所定の高さに前記被検面を設定した状態での前記センサで検出された前記光量に基づいて前記基板上の異物の有無を判断する制御部とを有することを特徴とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
原版のパターンを基板に転写する成形装置における前記基板上の異物を検出する異物検査装置であって、
光源、被検面、ピンホールが共役である共焦点光学系と、
前記共焦点光学系の前記ピンホールを通過した光の光量を検出するセンサと、
前記基板の高さより高い所定の高さに前記被検面を設定した状態での前記センサで検出された前記光量に基づいて前記基板上の異物の有無を判断する制御部とを有することを特徴とする異物検査装置。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
前記基板の表面は、有機膜の処理層が設けられている第１の領域を含み、
前記所定の高さは前記第１の領域の特定の位置の高さに基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記制御部は前記光量が所定の閾値より大きい場合に異物が存在すると判断することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記基板の外周部を含む領域を走査する基板走査手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基板の処理層が設けられている第１の領域において前記センサにより検出された第１の光量に基づき、前記第１の光量が最大となる被検面の高さを第１の高さとして取得し、
前記制御部は、前記第１の高さより高い第２の高さを被検面として前記センサにより検出された第２の光量に基づき、異物の存在を判断することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第２の光量が閾値を超えた場合に異物が存在すると判断することを特徴とする請求項５に記載の異物検査装置。
【請求項７】
前記成形装置はナノインプリントリソグラフィ装置であり、
前記所定の高さは、前記原版を前記基板にインプリントしたときの欠陥が発生する高さに基づいて設定されることを特徴とする、請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項８】
前記所定の高さは、前記基板に塗布されている下地膜の厚さと弾性係数、及びパターン形成処理をした時に前記基板に形成される残膜厚の少なくとも何れかに基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項９】
前記制御部により前記異物が存在すると判断された座標を保存する記憶部を有することを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項１０】
請求項１から９までの何れか一項に記載の異物検査装置を有するナノインプリントリソグラフィ装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、異物検査装置、ナノインプリントリソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上（ウエハ）のインプリント材を型（マスク）で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
インプリント技術では、型を直接基板上のインプリント材と接触、剥離する工程が伴う。そのため型の寿命が大きな課題となっている。
【０００３】
型を基板に押印する時に、基板上にパーティクルが付着していると、押印時に型の微細なパターンが破損する、あるいは型にパーティクル等の異物が付着した状態となり、基板上のパターンに欠陥を発生させることになる。
【０００４】
特に、各種の半導体製造プロセスで基板のハンドリングは基板のエッジ、ベベルで行われるため、基板の中央部よりもこれら基板のエッジ、ベベルに異物が付着しやすい。
そこで押印する前に基板上に存在する異物をあらかじめ検出する技術が重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００８－２１６１０５号公報
特開２００８－２９８６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板のエッジを含む、いわゆるエッジショットを押印する場合、基板のエッジ、ベベルに存在する異物、汚れ、加工痕等の高さ情報が重要である。従来の検査方法で基板のエッジ、ベベルからの散乱光の強度が大きくても、その高さが押印動作で許容される高さよりも低い場合は、必ずしも基板上のパターンに欠陥を発生させて問題になるとは限らない。逆にこれらの散乱光の強度が小さくても、その高さが押印動作で許容される高さよりも高い場合は、型に欠陥の発生、型の微細パターンの破損が発生する虞がある。
そこで本発明は、原版のパターンを基板に転写する形成装置において、基板上の高さの高い異物の検出を可能とし、生産性を向上させることができる異物検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の一側面としての、原版のパターンを基板に転写する成形装置における前記基板上の異物を検出する異物検査装置は、光源、被検面、ピンホールが共役である共焦点光学系と、前記共焦点光学系の前記ピンホールを通過した光の光量を検出するセンサと、前記基板の高さより高い所定の高さに前記被検面を設定した状態での前記センサで検出された前記光量に基づいて前記基板上の異物の有無を判断する制御部とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、原版のパターンを基板に転写する形成装置において、基板上の高さの高い異物の検出を可能とし、生産性を向上させることができる異物検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の異物検査装置の要部概略図である。
本発明の異物検査装置を含むナノインプリントリソグラフィ装置を示した概略図である。
基板のエッジショットのインプリントを説明する図である。
ウエハのエッジショットのインプリントを説明する図である。
ウエハのインバリッドエリア平坦部の高さの検出を説明するための図である。
ウエハのインバリッドエリア平坦部の高さの検出を説明するための図である。
許容可能な高さの異物が存在しているウエハのベベルを示す図である。
ウエハのベベルの検査のためのθ方向の走査を説明する図である。
ウエハのベベルに許容可能な高さの異物が存在している場合の光量検出値を示す図である。
許容できない高さの異物が存在しているウエハのベベルを示す図である。
ウエハのベベルに許容できない高さの異物が存在している場合の光量検出値を示す図である。
実施例１のウエハのベベルに存在する異物の高さ検出方法のフローチャートを説明した図である。
実施例２のウエハのインバリッドエリアに許容できない高さの異物が存在している状態を示す図である。
実施例２のウエハのインバリッドエリアに許容できない高さの異物が存在している場合の光量検出値を示す図である。
実施例２のウエハのインバリッドエリアに許容できない高さの異物が存在している場合の光量検出値を示す図である。
実施例２のウエハのインバリッドエリアに存在する異物の高さ検出方法のフローチャートを説明した図である。
実施例３のウエハのインバリッドエリアで許容できない高さの異物が存在しているショット位置を示す図である。
実施例３のウエハのインバリッド領域で許容できない高さの異物が存在しているショット位置でのダミーインプリントを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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