特許ウォッチ

公開番号2024061681
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-07
出願番号2023181213
出願日2023-10-20
発明の名称半導体製造工程用粘着テープ
出願人積水化学工業株式会社
代理人弁理士法人WisePlus
主分類H01L 21/301 20060101AFI20240425BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材層と、前記基材層の一方の面に第1の粘着層とを有し、前記第1の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、前記第1の粘着層の厚みは、20μm未満である半導体製造工程用粘着テープ。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
基材層と、前記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有し、
前記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、
前記第１の粘着層の厚みは、２０μｍ未満である
半導体製造工程用粘着テープ。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記第１の粘着層のゲル分率が４０質量％以上である請求項１記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項３】
前記ブロック共重合体中の前記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が３１質量％以下である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項４】
前記ブロック共重合体が、架橋性官能基を含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項５】
前記架橋生成物は、前記ベースポリマーがエポキシ系架橋剤及び／又はイソシアネート系架橋剤で架橋された架橋生成物である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項６】
前記第１の粘着層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項７】
前記紫外線吸収剤は、２０℃以上２５℃以下の温度範囲で液状である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項８】
前記第１の粘着層は、タッキファイヤーを含有する請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項９】
前記タッキファイヤーは、前記ベースポリマーを１００質量部に対して、１０質量部以上含む請求項８記載の半導体製造工程用粘着テープ。
【請求項１０】
前記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率が、０．９ＭＰａ以上である請求項１又は２記載の半導体製造工程用粘着テープ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程用粘着テープに関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、粘着層上に配置された多数のチップ部品を駆動回路基板上に転写することがある。
例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、画素を構成するチップの１つ１つが微細な発光ダイオード（ＬＥＤ、ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）チップであり、このＬＥＤチップ（マイクロＬＥＤチップ）が自発光して画像を表示する表示装置である。マイクロＬＥＤディスプレイは、コントラストが高く、応答速度が速く、また、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で使用されるカラーフィルターを必要としないこと等により薄型化も可能であることから、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイにおいては、多数のマイクロＬＥＤチップが平面状に高密度で敷き詰められている。
【０００３】
このようなマイクロＬＥＤディスプレイ等の半導体デバイスの製造工程においては、例えば、粘着層上に多数のチップ部品が配置された転写用積層体を、駆動回路基板と対向させ、転写用積層体からチップ部品を剥離させて駆動回路基板と電気的な接続を行う（転写工程）。
【０００４】
転写用積層体からチップ部品を剥離させる方法としては、例えば、転写用積層体の支持体の背面から粘着層に焦点をあててレーザー光を照射する方法が知られている（例えば、特許文献１）。このような方法は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒａｂｌａｔｉｏｎ）とも呼ばれる。また、粘着層に熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を配合し、転写用積層体と駆動回路基板との熱圧着により熱膨張性粒子、熱膨張性マイクロカプセル等を熱膨張させることで、粘着層の変形による接着面積低下によりチップ部品を剥離させる方法も知られている（例えば、特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１３８９４９号公報
特開２０１９－１５８９９号公報
特開２００３－７９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、チップの厚みが薄い場合、従来のテープでは、チップ部品の剥離不良により、歩留まりよくチップ部品を転写することが難しいという問題があった。
【０００７】
本発明は、チップの厚みが薄くても、チップ部品の剥離性能に優れる半導体製造工程用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示１は、基材層と、上記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有し、上記第１の粘着層は、芳香族ビニルモノマーに由来するブロックと共役ジエンモノマーに由来するブロックとを少なくとも有するブロック共重合体の水素添加体であるベースポリマーが架橋された架橋生成物、及び、紫外線吸収剤を含有し、上記第１の粘着層の厚みは、２０μｍ未満である半導体製造工程用粘着テープである。
本開示２は、上記第１の粘着層のゲル分率が４０質量％以上である本開示１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示３は、上記ブロック共重合体中の上記芳香族ビニルモノマーに由来するブロックの含有量が３１質量％以下である本開示１又は２の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示４は、上記ブロック共重合体が、架橋性官能基を含有する本開示１、２又は３の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示５は、上記架橋生成物は、前記ベースポリマーがエポキシ系架橋剤及び／又はイソシアネート系架橋剤で架橋された架橋生成物である本開示１、２、３又は４の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示６は、上記第１の粘着層は、波長３６５ｎｍでの紫外線吸収率が９０％以上である本開示１、２、３、４又は５の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示７は、上記紫外線吸収剤は、２０℃以上２５℃以下の温度範囲で液状である本開示１、２、３、４、５又は６の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示８は、上記第１の粘着層は、タッキファイヤーを含有する本開示１、２、３、４、５、６又は７の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示９は、上記タッキファイヤーは、上記ベースポリマーを１００質量部に対して、１０質量部以上を含む本開示８の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１０は、上記第１の粘着層の２３℃における引張弾性率が、０．９ＭＰａ以上である本開示１、２、３、４、５、６、７、８又は９の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１１は、上記基材層は、ポリエステルフィルムを含む本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１２は、上記第１の粘着層と上記基材層との間に更に樹脂層を有し、該樹脂層は極性官能基を有する樹脂を含有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１の半導体製造工程用粘着テープである。
本開示１３は、上記基材層の上記第１の粘着層を有する面と反対の面に、更に、第２の粘着層を有する本開示１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２の半導体製造工程用粘着テープである。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者らは、特定の組成を含有する厚みの薄い粘着層を用いることにより、チップの厚みが薄い場合であっても、レーザーアブレーションによるチップの剥離性能に優れた粘着テープを得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明の半導体製造工程用粘着テープは、基材層と、上記基材層の一方の面に第１の粘着層とを有する半導体製造工程用粘着テープである。
上記第１の粘着層の厚みは２０μｍ未満である。上記第１の粘着層の厚みが２０μｍ未満であれば、半導体製造工程用粘着テープがチップ部品の剥離性能に優れるものとなる。上記第１の粘着層の厚みの好ましい上限は１５μｍ、より好ましい上限は１０μｍ、更に好ましい上限は５μｍである。上記第１の粘着層の厚みの好ましい下限は特にないが、粘着テープの製造の観点から、実質的な下限は２μｍである。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許