特許ウォッチ

公開番号2025128458
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-03
出願番号2024025091
出願日2024-02-22
発明の名称めっき処理方法及びめっき処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C25D 3/56 20060101AFI20250827BHJP(電気分解または電気泳動方法;そのための装置)
要約【課題】基板の表面に卑金属を含む金属膜を形成できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様によるめっき処理方法は、減圧可能に構成され、金属製のターゲット材が配置された処理容器内にイオン液体を供給する工程と、前記処理容器内にガスを導入しつつプラズマを生成して前記プラズマのスパッタリング作用により、前記ターゲット材の粒子を放出させ、前記粒子を前記イオン液体に分散させることでめっき液を製造する工程と、前記めっき液に基板を浸漬させて前記基板の表面に金属膜を形成する工程と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
減圧可能に構成され、金属製のターゲット材が配置された処理容器内にイオン液体を供給する工程と、
前記処理容器内にガスを導入しつつプラズマを生成して前記プラズマのスパッタリング作用により、前記ターゲット材の粒子を放出させ、前記粒子を前記イオン液体に分散させることでめっき液を製造する工程と、
前記めっき液に基板を浸漬させて前記基板の表面に金属膜を形成する工程と、
を有する、めっき処理方法。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記イオン液体を供給する工程は、貯留容器内に前記イオン液体を貯留することを含む、
請求項１に記載のめっき処理方法。
【請求項３】
前記貯留容器内に貯留された前記イオン液体を加熱する工程をさらに有する、
請求項２に記載のめっき処理方法。
【請求項４】
前記めっき液に浸漬させる前に前記基板にシード層を形成する工程をさらに有する、
請求項１に記載のめっき処理方法。
【請求項５】
前記シード層を形成する工程は、前記処理容器内で行われる、
請求項４に記載のめっき処理方法。
【請求項６】
前記シード層を形成する工程は、前記処理容器内にガスを導入しつつプラズマを生成して前記プラズマのスパッタリング作用により、前記ターゲット材の粒子を放出させ、前記粒子を前記基板に堆積させることを含む、
請求項４に記載のめっき処理方法。
【請求項７】
前記めっき液を製造する工程は、前記イオン液体が貯留された前記貯留容器内に前記基板を浸漬させた状態で行われる、
請求項２に記載のめっき処理方法。
【請求項８】
前記めっき液を製造する工程は、前記イオン液体が貯留された前記貯留容器に前記基板を浸漬させない状態で行われる、
請求項２に記載のめっき処理方法。
【請求項９】
前記金属膜を形成する工程は、電界めっき法により前記金属膜を形成することを含む、
請求項１に記載のめっき処理方法。
【請求項１０】
表面に凹部が形成された前記基板を準備する工程をさらに有し、
前記金属膜を形成する工程は、前記凹部に前記金属膜を埋め込むことを含む、
請求項１に記載のめっき処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、めっき処理方法及びめっき処理装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
ダマシン法により銅配線を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－１１８１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の表面に卑金属を含む金属膜を形成できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によるめっき処理方法は、減圧可能に構成され、金属製のターゲット材が配置された処理容器内にイオン液体を供給する工程と、前記処理容器内にガスを導入しつつプラズマを生成して前記プラズマのスパッタリング作用により、前記ターゲット材の粒子を放出させ、前記粒子を前記イオン液体に分散させることでめっき液を製造する工程と、前記めっき液に基板を浸漬させて前記基板の表面に金属膜を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の表面に卑金属を含む金属膜を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係るめっき処理方法を示すフローチャートである。
実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図（１）である。
実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図（２）である。
実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図（３）である。
実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図（４）である。
実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図（５）である。
実施形態の第１例に係るめっき処理装置を示す概略図である。
実施形態の第２例に係るめっき処理装置を示す概略図である。
実施形態に係るめっき処理方法によって形成された金属膜のＥＤＸスペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔めっき処理方法〕
図１から図６を参照し、実施形態に係るめっき処理方法について説明する。図１は、実施形態に係るめっき処理方法を示すフローチャートである。図２から図６は、実施形態に係るめっき処理方法を示す断面図である。実施形態に係るめっき処理方法は、図１に示されるステップＳ１１からステップＳ１５を有する。
【００１０】
ステップＳ１１では、図２に示されるように、基板１００を準備する。基板１００は、下部配線１０１と、絶縁膜１０２とを有する。絶縁膜１０２は、下部配線１０１の上に形成される。絶縁膜１０２は、例えば層間絶縁膜である。絶縁膜１０２には、凹部１０３が設けられる。凹部１０３の底面には、下部配線１０１が露出する。凹部１０３は、ビアホール１０４と、トレンチ１０５とを含む。ビアホール１０４は、絶縁膜１０２の厚さ方向の下部に設けられる。トレンチ１０５は、絶縁膜１０２の厚さ方向の上部に設けられる。トレンチ１０５は、下部においてビアホール１０４の上部と連通する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許