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公開番号2025126693
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-29
出願番号2024023057
出願日2024-02-19
発明の名称基材処理方法
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人
主分類H01L 21/3205 20060101AFI20250822BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】環境負荷を低減しつつ、銅配線を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】銅配線形成プロセスは、膜形成工程S11と、光照射工程S12とを含む。膜形成工程S11は、基材9の表面に窒化銅を主成分とする膜10を形成する工程である。光照射工程S12は、膜10に選択的にレーザー光L1を照射することによって、銅を主成分とする配線を形成する工程である。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
基材に配線を形成する基材処理方法であって、
基材の表面に窒化銅を主成分とする膜を形成する膜形成工程と、
前記膜に選択的に光を照射することによって、銅を主成分とする配線を形成する光照射工程と、
を含む、基材処理方法。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基材処理方法であって、
前記膜形成工程は、スパッタ法により前記基材の表面に前記膜を形成する工程を含む、基材処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基材処理方法であって、
前記基材は、表面に溝を有しており、
前記膜形成工程は、少なくとも前記溝の表面に前記膜を形成する工程を含み、
前記光照射工程は、前記溝の表面に形成された前記膜に選択的に光を照射して、前記溝の表面に銅を主成分とする配線を形成する工程を含む、基材処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の基材処理方法であって、
前記光照射工程の後、電解めっき法により前記配線の表面に銅めっき層を形成する電解めっき工程、
をさらに含む、基材処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の基材処理方法であって、
前記光照射工程の後、前記膜を酸で除去する膜除去工程
をさらに含む、基材処理方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載の基材処理方法であって、
前記光照射工程は、近赤外線を照射する工程を含む、基材処理方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の基材処理方法であって、
前記膜は、チタンまたはニッケルを含む、基材処理方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の基材処理方法であって、
前記膜は、銅酸化物を含む、
をさらに備える、基材処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示される主題は、基材処理方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細配線の形成工程においては、銅めっきによるデュアルダマシンプロセスが高頻度で用いられている（例えば、特許文献１）。また、半導体チップ間を電気的に接続するＴＳＶ（Through Silicon Via）や再配線層（ＲＤＬ：Redistibution Line）等にもＣｕめっきが使用されている。さらには、プリント基板上の回路形成にも、銅めっきが使用されている。
【０００３】
銅めっきによる回路形成では、基板全面にめっき層を形成した後にフォトリソグラフィで回路部以外を除去する方法、あるいは、フォトリソグラフィでレジスト形成後開口部にめっき層を形成するなど種々の方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００４－３５６１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、銅めっき処理は、前処理や後処理などで、多種の薬品が使用される。このため、多種の薬品を使用あるいは廃棄することにより、環境負荷が大きくなるという課題があった。
【０００６】
本発明の目的は、環境負荷を低減しつつ、銅配線を形成することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、第１態様は、基材に配線を形成する基材処理方法であって、基材の表面に窒化銅を主成分とする膜を形成する膜形成工程と、前記膜に選択的に光を照射することによって、銅を主成分とする配線を形成する光照射工程と、を含む。
【０００８】
第２態様は、第１態様の基材処理方法であって、前記膜形成工程は、スパッタ法により前記基材の表面に前記膜を形成する工程を含む。
【０００９】
第３態様は、第１態様または第２態様の基材処理方法であって、前記基材は、表面に溝を有しており、前記膜形成工程は、少なくとも前記溝の表面に前記膜を形成する工程を含み、前記光照射工程は、前記溝の表面に形成された前記膜に選択的に光を照射して、前記溝の表面に銅を主成分とする配線を形成する工程を含む。
【００１０】
第４態様は、第３態様の基材処理方法であって、前記光照射工程の後、電解めっき法により前記配線の表面に銅めっき層を形成する電解めっき工程、をさらに含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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