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公開番号2025105907
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2025075965,2023200787
出願日2025-05-01,2014-06-13
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250703BHJP()
要約【課題】新しいレイアウトの提供。
【解決手段】第1の導電層を有し、前記第1の導電層の上方に第1の絶縁層を有し、前記
第1の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層と電気的に接続された
第2の導電層を有し、前記酸化物半導体層と電気的に接続された第3の導電層を有し、前
記第1の絶縁層の上方に第4の導電層を有し、前記酸化物半導体層の上方と前記第2の導
電層の上方と前記第3の導電層の上方と前記第4の導電層の上方とに第2の絶縁層を有し
、
前記第2の絶縁層の上方に第5の導電層を有し、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁
層に第1の開口を有し、前記第2の絶縁層に第2の開口を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１の導電層を有し、
前記第１の導電層の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第２の導電層を有し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第４の導電層を有し、
前記酸化物半導体層の上方と前記第２の導電層の上方と前記第３の導電層の上方と前記第４の導電層の上方とに第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に第５の導電層を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の開口を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の開口を有し、
前記第２の絶縁層は、第３の開口を有し、
前記第５の導電層は、前記第１の開口及び前記第２の開口を介して、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第５の導電層は、前記第３の開口を介して、前記第４の導電層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能することができる第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の導電層及び前記第５の導電層と重なる第２の領域を有する、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
技術分野は半導体装置等に関する。
続きを表示（約 690 文字）【背景技術】
【０００２】
レイアウトの改善は永遠の課題である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、新しいレイアウトを有する半導体装置が開示されている。
【０００４】
特許文献１には、２つのトランジスタのレイアウトが開示されている。
【０００５】
特許文献１のコンセプトは、２つのトランジスタの一方を２つのトランジスタの他方の
上方に配置することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１３－１２７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のコンセプトは秀逸であるがプロセスの数は増える。
【０００８】
特許文献１と異なるコンセプトに基づく、新しいレイアウトを提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
＜トランジスタの基本要素＞
トランジスタは、少なくとも、第１のゲート電極、第１のゲート電極の上方の第１の絶
縁層、第１の絶縁層の上方の半導体層、半導体層と電気的に接続されたソース電極、及び
半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を有する。
【００１０】
＜回路の基本要素＞
第１のトランジスタの第１のゲート電極は、第２のトランジスタのソース電極又はドレ
イン電極の一方に電気的に接続されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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