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公開番号2025082609
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-29
出願番号2023196055
出願日2023-11-17
発明の名称超純水製造方法及び超純水製造装置
出願人野村マイクロ・サイエンス株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類C02F 1/44 20230101AFI20250522BHJP(水,廃水,下水または汚泥の処理)
要約【課題】超純水製造に使用される原水として汽水を利用可能にする。
【解決手段】超純水製造方法は、汽水24を含む原水の懸濁物質を除去して前処理水を得る前処理と、前処理水中の全有機炭素成分やイオン成分を除去して1次純水を製造する1次処理と、1次純水中の不純物を除去して超純水を製造する2次処理と、を有し、原水のホウ素濃度が、超純水に求められるホウ素濃度より算出される許容値以下となるように調整する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
汽水を含む原水の懸濁物質を除去して前処理水を得る前処理と、
前記前処理水中の全有機炭素成分やイオン成分を除去して１次純水を製造する１次処理と、
前記１次純水中の不純物を除去して超純水を製造する２次処理と、を有し、
前記原水のホウ素濃度が、前記超純水に求められるホウ素濃度より算出される許容値以下となるように調整する超純水製造方法。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
汽水のホウ素濃度が前記許容値を上回る場合に、前記前処理の前に汽水に含まれるホウ素を除去する予備処理を行う、請求項１に記載の超純水製造方法。
【請求項３】
前記予備処理は、常時行われる１次予備処理と、汽水のホウ素濃度が所定値を超える場合に行われる２次予備処理とを有する、請求項２に記載の超純水製造方法。
【請求項４】
汽水を含む原水の懸濁物質を除去して前処理水を得る前処理装置と、
前記前処理水中の全有機炭素成分やイオン成分を除去して１次純水を製造する１次純水装置と、
前記１次純水中の不純物を除去して超純水を製造する２次純水装置と、
汽水のホウ素濃度を測定する計測部と、を有し、
前記原水のホウ素濃度が、前記超純水に求められるホウ素濃度より算出される許容値以下となるように調整する超純水製造装置。
【請求項５】
汽水からホウ素を除去する予備処理装置を備える、請求項４に記載の超純水製造装置。
【請求項６】
前記予備処理装置は、常時使用される１次予備処理装置と、汽水のホウ素濃度が所定値を超える場合に行われる２次予備処理装置とを有する、請求項５に記載の超純水製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、超純水製造方法及び超純水製造装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体等製造設備に対して超純水を供給する超純水製造装置において、原水として上水と、半導体等製造で使用した超純水の排水（回収水という場合もある。）とを利用する技術が開示されている（特許文献１－７参照）。
【０００３】
一般的に回収水は、元は超純水であり、これに、半導体製造の際に利用される物質、例えば、酸、アルカリ、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、界面活性剤、ＣＭＰ研磨剤などが混合したものである。したがって、比較的成分が明らかであり、これを処理して、原水と混合して利用することは比較的容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平６－２３３９９７号公報
特開平７－３１３９９４号公報
特開平１０－２７２４６５号公報
特開平１１－２２６５６９号公報
特開２０００－１８９７６０号公報
特開２００６－６１７７９号公報
特開２０１３－２０２５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体等製造には多くの超純水が使用されるため、超純水の製造に使用される上水の量も多くなっている。上水の供給量には限りがあるため、他の用途で上水が不足しないよう、超純水製造において上水の使用量を少なくするための対策が求められている。また、上記回収水の利用も限界があるため、原水の利用を減らす効果はあるものの、現在の半導体等製造工場の大型化へ十分に対応できるわけではない。
また、現在の環境問題や気候変動問題が生じてきたことにより、上水の供給も不安定な傾向となりつつあり、新たな原水源を確保する必要が生じてきた。
【０００６】
新たな原水源として、河川と海の境界領域に存在する汽水が考えられる。汽水には海水に含まれるホウ素が混ざり、その水質は潮流の影響で大きく変動する。しかしながら、従来の超純水製造装置では、このような汽水からホウ素を十分に除去することが難しかった。
汽水からホウ素を除去するための設備を設ける場合、設備の性能をホウ素濃度の高い海水に合わせると、汽水に対しては設備が過剰となり、超純水製造のコストが増加する。一方、当該設備の性能をホウ素濃度の低い河川水に合わせると、汽水のホウ素濃度が海水レベルに増加した場合に対応できないため、原水を安定供給できなくなり、その結果半導体製造用の超純水の安定供給が困難となる。半導体等製造プロセスは年単位で運転継続をすることが多く、超純水の安定供給は年単位で必要不可欠である。したがって、汽水を半導体等製造用の超純水の原水として利用することは、一般的ではなかった。
【０００７】
本発明は、超純水製造に使用される原水として汽水を利用可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の態様に係る超純水製造方法は、汽水を含む原水の懸濁物質を除去して前処理水を得る前処理と、前記前処理水中の全有機炭素成分やイオン成分を除去して１次純水を製造する１次処理と、前記１次純水中の不純物を除去して超純水を製造する２次処理と、を有し、汽水のホウ素濃度が、前記超純水に求められるホウ素濃度より算出される許容値以下となるように調整する。
【０００９】
この超純水製造方法では、汽水のホウ素濃度が、超純水に求められるホウ素濃度より算出される許容値以下となるように調整するので、原水として汽水を利用することができる。原水として汽水と上水を用いる場合には、原水として上水のみを使用する場合と比較して上水の使用量を抑制できる。
【００１０】
第２の態様は、第１の態様に係る超純水製造方法において、汽水のホウ素濃度が前記許容値を上回る場合に、前記前処理の前に汽水に含まれるホウ素を除去する予備処理を行う。
（【００１１】以降は省略されています）

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