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公開番号2025122143
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-20
出願番号2025087160,2021045496
出願日2025-05-26,2021-03-19
発明の名称キャパシタ
出願人住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H01G 4/33 20060101AFI20250813BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】キャパシタの破壊を抑制することが可能なキャパシタを提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極と、を備えるMIMキャパシタと、前記上部電極上に前記MIMキャパシタを覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜内において前記上部電極の外周から離間して上方に設けられ、外周が前記上部電極の外周より外側に位置し、前記上部電極と接続された付加電極と、前記付加電極と接続される外部電極と、を備え、前記付加電極は、前記外部電極と接続する接続領域を有し、前記付加電極の前記接続領域は、前記上部電極との間に前記絶縁膜を介さない、キャパシタ。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極と、を備えるＭＩＭキャパシタと、
前記上部電極上に前記ＭＩＭキャパシタを覆うように設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜内において前記上部電極の外周から離間して上方に設けられ、外周が前記上部電極の外周より外側に位置し、前記上部電極と接続された付加電極と、
前記付加電極と接続される外部電極と、を備え、
前記付加電極は、前記外部電極と接続する接続領域を有し、
前記付加電極の前記接続領域は、前記上部電極との間に前記絶縁膜を介さない、キャパシタ。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記上部電極の外周の全てにおいて、前記付加電極の外周は前記上部電極の外周より外側に位置する請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記付加電極の外周は前記上部電極の外周より前記付加電極の下面と前記上部電極の下面との距離以上外側に位置する請求項１または請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記下部電極の外周は前記上部電極の外周より外側に位置する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記付加電極の下面は前記下部電極の上面から前記誘電体膜の厚さの２倍以上上方に位置する請求項４に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記誘電体膜は無機絶縁体膜であり、前記絶縁膜は有機絶縁体膜である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記付加電極は中央部において前記上部電極と接合する請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記付加電極は、前記上部電極の上面との間に前記絶縁膜が設けられている領域に開口を有する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のキャパシタ。
【請求項９】
前記外部電極は、前記付加電極の中央領域に接続されている請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のキャパシタ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタに関し、例えばＭＩＭキャパシタを有するキャパシタに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
基板上に下部電極、誘電体膜および上部電極を積層したＭＩＭ（ＭｅｔａｌＩｎｓｕｌａｔｏｒＭｅｔａｌ）キャパシタが知られている。ＭＩＭキャパシタは、例えば半導体層上に設けられたトランジスタ等の能動素子と集積し、ＭＭＩＣ（ＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００１－１５６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＭＩＭキャパシタを通電試験すると上部電極の外周付近においてキャパシタが破壊されることがある。
【０００５】
本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、キャパシタの破壊を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態は、下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極と、を備えるＭＩＭキャパシタと、前記上部電極上に前記ＭＩＭキャパシタを覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜内において前記上部電極の外周から離間して上方に設けられ、外周が前記上部電極の外周より外側に位置し、前記上部電極と接続された付加電極と、前記付加電極と接続される外部電極と、を備え、前記付加電極は、前記外部電極と接続する接続領域を有し、前記付加電極の前記接続領域は、前記上部電極との間に前記絶縁膜を介さない、キャパシタである。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、キャパシタの破壊を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施例１に係るキャパシタの平面図および断面図である。
図２Ａは、キャパシタＣ１の構造を示す断面図である。
図２Ｂは、キャパシタＣ２の構造を示す断面図である。
図３Ａは、ケースＢ１の構造を示す断面図である。
図３Ｂは、ケースＢ２の構造を示す断面図である。
図４は、実施例２に係るキャパシタの平面図および断面図である。
図５Ａは、実施例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その１）である。
図５Ｂは、実施例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その２）である。
図５Ｃは、実施例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その３）である。
図６Ａは、実施例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その４）である。
図６Ｂは、実施例２に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その５）である。
図７は、実施例３に係るキャパシタの平面図および断面図である。
図８Ａは、実施例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その１）である。
図８Ｂは、実施例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その２）である。
図８Ｃは、実施例３に係るキャパシタの製造方法を示す断面図（その３）である。
図９は、実施例３の変形例１に係るキャパシタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
（１）本開示の一実施形態は、下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられた上部電極と、を備えるＭＩＭキャパシタと、前記上部電極上に前記ＭＩＭキャパシタを覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜内において前記上部電極の外周から離間して上方に設けられ、外周が前記上部電極の外周より外側に位置し、前記上部電極と接続された付加電極と、前記付加電極と接続される外部電極と、を備え、前記付加電極は、前記外部電極と接続する接続領域を有し、前記付加電極の前記接続領域は、前記上部電極との間に前記絶縁膜を介さない、キャパシタである。これにより、付加電極が電界を遮蔽するため、通電試験等におけるキャパシタの破壊を抑制することができる。
（２）前記上部電極の外周の全てにおいて、前記付加電極の外周は前記上部電極の外周より外側に位置することが好ましい。
（３）前記付加電極の外周は前記上部電極の外周より前記付加電極の下面と前記上部電極の下面との距離以上外側に位置することが好ましい。
（４）前記下部電極の外周は前記上部電極の外周より外側に位置することが好ましい。
（５）前記付加電極の下面は前記下部電極の上面から前記誘電体膜の厚さの２倍以上上方に位置することが好ましい。
（６）前記誘電体膜は無機絶縁体膜であり、前記絶縁膜は有機絶縁体膜であることが好ましい。
（７）前記付加電極は中央部において前記上部電極と接合することが好ましい。
（８）前記付加電極は、前記上部電極の上面との間に前記絶縁膜が設けられている領域に開口を有することが好ましい。
（９）前記外部電極は、前記付加電極の中央領域に接続されていることが好ましい。
【００１０】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態にかかるキャパシタの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（【００１１】以降は省略されています）

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