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公開番号2024152865
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2024135228,2020127269
出願日2024-08-14,2020-07-28
発明の名称ウェーハ加工方法及びシステム
出願人株式会社東京精密
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20241018BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウェーハ割断後にチップの間に生じる間隙への研削屑の侵入を抑制することが可能なウェーハ加工方法及びシステムを提供する。
【解決手段】ウェーハ加工方法は、ボイド及びボイド上方領域を含むレーザ加工領域(R1、R2)の内のボイド上方領域がウェーハのターゲット厚(Ht)に位置するようにウェーハ(W)の裏面の研削で生じる研削屑を捕集するレーザ加工領域をウェーハの分割予定ライン(CL)に沿って形成するレーザ加工領域形成ステップを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ボイド及びボイド上方領域を含むレーザ加工領域の内の前記ボイド上方領域がウェーハのターゲット厚に位置するように前記ウェーハの裏面の研削で生じる研削屑を捕集する前記レーザ加工領域を前記ウェーハの分割予定ラインに沿って形成するレーザ加工領域形成ステップを備える、ウェーハ加工方法。
続きを表示（約 500 文字）【請求項２】
前記ウェーハの厚さが前記ターゲット厚となるように前記ウェーハの裏面から前記ボイド上方領域の一部まで研削して、前記ウェーハの裏面側及び側壁に前記ボイド上方領域を露呈させる研削ステップを備える、請求項１に記載のウェーハ加工方法。
【請求項３】
前記レーザ加工領域形成ステップは、前記ターゲット厚の位置が、前記レーザ加工領域の裏面側から３分の１までの範囲の領域に重なるように、前記レーザ加工領域を形成する、請求項２に記載のウェーハ加工方法。
【請求項４】
前記レーザ加工領域形成ステップは、前記ターゲット厚の位置が、前記ボイド上方領域の裏面側から３分の１までの範囲の領域に重なるように、前記レーザ加工領域を形成する、請求項２に記載のウェーハ加工方法。
【請求項５】
ボイド及びボイド上方領域を含むレーザ加工領域の内の前記ボイド上方領域がウェーハのターゲット厚に位置するように前記ウェーハの裏面の研削で生じる研削屑を捕集する前記レーザ加工領域を前記ウェーハの分割予定ラインに沿って形成するレーザ加工装置を備える、ウェーハ加工システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明はウェーハ加工方法及びシステムに係り、ウェーハの内部に形成されたレーザ加工領域を起点としてウェーハを分割するウェーハ加工方法及びシステムに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン等のウェーハの内部に集光点を合わせてレーザ光を分割予定ラインに沿って照射し、分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に切断の起点となるレーザ加工領域を形成するレーザ加工装置（レーザダイシング装置ともいう。）が知られている。レーザ加工領域が形成されたウェーハは、その後、エキスパンド又はブレーキングといった割断プロセスによって分割予定ラインで割断されて個々のチップに分割される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－０５７７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウェーハの割断プロセスでは、研削機（グラインダー）を用いてウェーハの裏面側を研削するときにウェーハに加わる荷重（圧力）を利用して、レーザ加工領域からの亀裂を進展させてウェーハを割断する。
【０００５】
図８は、ウェーハの割断プロセスを示す一部断面図であり、図８（ａ）は研削前のウェーハＷ、図８（ｂ）は研削時の荷重によりウェーハＷの内部でクラックが進展した状態、図８（ｃ）はクラックに沿ってウェーハＷが割断した状態を示している。図９は、図８（ｃ）の領域ＸＩの一部拡大図である。
【０００６】
まず、図８（ａ）に示すように、ウェーハＷは、電子回路等のデバイスが形成された表面Ｗａにバックグラインドテープ（図８では不図示。図１０のＢＧ）が貼着された後、不図示の吸着ステージ上に表面Ｗａを下側にして載置されて吸着保持される。ウェーハＷの内部には、レーザ加工によりレーザ加工領域Ｒ１及びＲ２が形成される。レーザ加工領域Ｒ１及びＲ２は、ウェーハＷの内部の亀裂Ｋの起点となるものであり、ウェーハＷの深さ方向（Ｚ方向）の異なる位置に２段形成されている。なお、レーザ加工領域Ｒ１及びＲ２は、ウェーハＷの分割予定ラインに沿って複数形成されるが、図８では２つに簡略化して示している。
【０００７】
次に、研削機５０によりウェーハＷの裏面Ｗｂが研削される。研削機５０の回転研削盤５２には砥石５４が取り付けられており、ウェーハＷの裏面Ｗｂに砥石５４を当接させて回転研削盤５２を回転させることにより、ウェーハＷの研削を行う。
【０００８】
ウェーハＷの研削の進行に伴い、砥石５４を介してウェーハＷの裏面Ｗｂに加えられる荷重により、図８（ｂ）に示すように、亀裂ＫがウェーハＷの深さ方向に進展する。そして、ウェーハＷの表面Ｗａ及び裏面Ｗｂに到達した後、図８（ｃ）に示すように、ウェーハＷが分割予定ラインに沿って割断して、割断したチップＣ１及びＣ２の間が押し広げられて微小な間隙Ｇａｐが生じる。
【０００９】
図９に拡大して示すように、研削により生じた研削屑（スラッジともいう。）ＳＬは、チップＣ１及びＣ２の間の間隙Ｇａｐに侵入し、チップＣ１及びＣ２の表面に到達する場合がある（図１０参照）。
【００１０】
図１０は、割断後のチップをピックアップした後のバックグラインドテープの表面を示す画像である。図１０に示すように、バックグラインドテープＢＧの表面には、ウェーハＷの分割予定ラインに沿って略格子状に研削屑ＳＬが付着している。このような研削屑ＳＬは、チップＣ１及びＣ２の表面に形成されたデバイスの汚染の原因になる。
（【００１１】以降は省略されています）

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