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公開番号2024151434
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023064749
出願日2023-04-12
発明の名称処理システム及び処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類C02F 1/02 20230101AFI20241018BHJP(水,廃水,下水または汚泥の処理)
要約【課題】有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。
【解決手段】PFAS無毒化システム1は、半導体製造装置100のリソラグラフィー装置111から排出されたPFASを含むレジスト廃液を濃縮する濃縮器11を備える。また、PFAS無毒化システム1は、濃縮器11によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる硫酸処理槽12を備える。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
半導体製造装置から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する現像液濃縮部と、
前記現像液濃縮部によって濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える処理システム。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記ポジ型現像液を含む廃液を、前記現像液濃縮部に供給する第１供給路を備え、
前記第１供給路は、前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液を、該廃液に対応する分解処理部に供給する第２供給路とは区別して設けられている、請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記薬液処理部は、熱により前記第１濃縮液を分解及び揮発させる、請求項１記載の処理システム。
【請求項４】
前記薬液処理部は、前記第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解処理部に接して設けられている、請求項３記載の処理システム。
【請求項５】
有機フッ素化合物を燃焼除害する燃焼除害装置を更に備え、
前記燃焼除害装置は、前記薬液処理部によって揮発させられた前記第１濃縮液に係るガスと、前記分解処理部によって揮発させられた前記第２濃縮液に係るガスとを混合して燃焼する燃焼室を有する、請求項４記載の処理システム。
【請求項６】
前記ポジ型現像液を含む廃液を前記現像液濃縮部に供給する供給路であってその途中に前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタが設けられた第１供給路と、
前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液の濃縮に係るフィルタを通過したろ液が流れるろ液流路と、
前記ろ液流路及び前記第１供給路を接続するバイパス流路と、
前記バイパス流路内のろ液を加圧することにより、前記第１供給路において該液を逆流させ、該ろ液を、前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタの出口側から流入させる送液部と、を更に備える、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。
【請求項７】
前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液を貯留する廃液貯留部と、
前記ろ液が、前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタの出口側から流入した状態において、該フィルタの入口側から流れ出た逆流液を貯留する逆流液貯留部と、
前記逆流液貯留部と前記廃液貯留部とを接続し、前記逆流液貯留部から前記廃液貯留部へ前記逆流液を送り込む回収流路と、を更に備える、請求項６記載の処理システム。
【請求項８】
半導体製造装置から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する現像液濃縮ステップと、
前記現像液濃縮ステップにおいて濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理ステップと、を含む処理方法。
【請求項９】
前記薬液処理ステップでは、前記第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解に係る反応で生じた熱を用いて、前記第１濃縮液を分解及び揮発させる、請求項８記載の処理方法。
【請求項１０】
前記現像液濃縮ステップにおいて用いられるフィルタの出口側から、該フィルタとは別のフィルタであって前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液の濃縮に係るフィルタを通過したろ液を流入させることにより、前記現像液濃縮ステップにおいて用いられるフィルタを洗浄するフィルタ洗浄ステップを更に含む、請求項８又は９記載の処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、処理システム及び処理方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機フッ素化合物等の含有比率を低減する処理装置と、アニオン交換体を含むイオン交換体を充填したアニオン交換棟と、アニオン交換棟に流通した再生液を分解処理する分解装置と、を含む排水処理システムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１２５３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる処理システム及び処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る処理システムは、半導体製造装置から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する現像液濃縮部と、現像液濃縮部によって濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システムの概略図である。
図１に示されるＰＦＡＳ無毒化システムの構成図である。
ＰＦＡＳを含む液体のろ過について説明する図である。
ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。
ガスの分離について説明する図である。
ガスフィルタの機能を説明する図である。
取り込んだ外気の分離について説明する図である。
ポジ型現像液の濃縮及び分解について説明する図である。
ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。
ＳＰＭ廃液の排出を説明する図である。
ＳＰＭ廃液によるフィルタの洗浄を説明する図である。
変形例に係る分解処理室を説明する図である。
変形例に係るリターンラインを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
本実施形態に係る処理システムは、図１に示されるように、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを無毒化するＰＦＡＳ無毒化システム１である。なお、図１においては、ＰＦＡＳ無毒化システム１の構成の概略が示されており、一部の構成（例えば、後述するＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）廃液に係る構成）の図示が省略されている。ＰＦＡＳとは、有機フッ素化合物であるペルフルオロアルキル物質及びポリフルオロアルキル化合物（ＰＦＡＳ：Per- and PolyFluoroAlkyl Substances）である。
【００１０】
ＰＦＡＳとは、少なくとも１つ以上の-ＣＦ２-又は-ＣＦ３の脂肪族分子を含む化合物であり、テフロンのような有機高分子化合物（ポリマー）も含む。ＰＦＡＳは、例えば、泡消火剤、めっき液、航空機作動油、撥水剤、フロアワックス等に含まれている。また、ＰＦＡＳは、例えば、繊維、医療、電子基板、自動車、食品包装紙、石材、フローリング、皮革等に含まれている。半導体の製造工程においては、例えばノンポリマーのＰＦＡＳがフォトレジストで用いられている。また、ポリマーのＰＦＡＳが、半導体製造装置の配管、バルブ、ポンプ等の接液部材、反射防止膜等に用いられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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