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公開番号2024044445
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-02
出願番号2022149960
出願日2022-09-21
発明の名称有機EL表示装置
出願人東レ株式会社
代理人
主分類H05B 33/22 20060101AFI20240326BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】画素分割層にダム部を含み、有機EL層に金属ドープ層を含むことで、低電圧駆動し、漏れ電流が小さく、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に第一電極と画素分割層を有する基板、さらに有機EL層および第二電極を有する有機EL表示装置であって、該画素分割層に画素開口部と画素分割部とダム部を含み、該有機EL層にアルカリ金属ドープ層および/または希土類金属ドープ層を含む、有機EL表示装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基材上に第一電極と画素分割層を有する基板、さらに有機ＥＬ層および第二電極を有する有機ＥＬ表示装置であって、該画素分割層に画素開口部と画素分割部とダム部を含み、該有機ＥＬ層にアルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層を含む、有機ＥＬ表示装置。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格、トリアジン骨格、ビピリジン骨格、ターピリジン骨格およびホスフィンオキサイド骨格よりなる群から選ばれる一種以上の骨格を有する化合物を含む請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格を有する化合物を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格の多量体を有する化合物を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、ターピリジン骨格を有する化合物を含む、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記ダム部が凸状構造である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記ダム部が凹状構造である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記ダム部のテーパー角が９１～１２０°である、請求項６または７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記ダム部のテーパー角が５０～９０°である、請求項６または７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記ダム部のテーパー面における、アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層の膜厚が、０．５ｎｍ以上、かつ、画素分割部における膜厚の０．５倍以下である、請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に形成された複数の表示画素を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
続きを表示（約 2,900 文字）【背景技術】
【０００２】
次世代フラットパネルディスプレイとして有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬとは、２つの電極間に設けられた有機化合物からなる有機ＥＬ層の電界発光である。そして、有機ＥＬの発光素子を表示画素として利用した表示装置が有機ＥＬ表示装置である。自己発光型の有機ＥＬ表示装置は、広視野角、高速応答、高コントラストの画像表示が可能であり、薄型ガラスやプラスチック樹脂などの基板を用いることで、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能であることから、近年盛んに研究開発が進められている。
【０００３】
この有機ＥＬの発光素子においては、低消費電力の観点から、より低電圧で駆動することが求められている。有機ＥＬの発光素子を低電圧で駆動させるためには、発光に必要な正孔や電子といったキャリアの注入障壁を小さくすることが重要であり、そのために、有機層中に金属をドープして低電圧化を達成する技術も開発されている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１０－２７０１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機層中に金属をドープする技術を用いた場合、確かに低電圧化の効果があるが、同時に近接する表示画素間での漏れ電流による発光不良、いわゆるクロストークと呼ばれる問題が発生する。具体的には、本来発光させる必要がない表示画素まで発光し、表示品位が低下する課題である。そこで、本発明は、金属ドープされた有機層と、画素分割層にダム部を設けることによって、低電圧駆動かつクロストークを防止した、折り曲げ信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ表示装置は、次の構成を有する。
（１）基材上に第一電極と画素分割層を有する基板、さらに有機ＥＬ層および第二電極を有する有機ＥＬ表示装置であって、該画素分割層に画素開口部と画素分割部とダム部を含み、該有機ＥＬ層にアルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層を含む、有機ＥＬ表示装置。
（２）前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格、トリアジン骨格、ビピリジン骨格、ターピリジン骨格およびホスフィンオキサイド骨格よりなる群から選ばれる一種以上の骨格を有する化合物を含む（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（３）前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格を有する化合物を含む、（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（４）前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、フェナントロリン骨格の多量体を有する化合物を含む、（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（５）前記アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層が、ターピリジン骨格を有する化合物を含む、（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（６）前記ダム部が凸状構造である、（１）～（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（７）前記ダム部が凹状構造である、（１）～（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（８）前記ダム部のテーパー角が９１～１２０°である、（６）または（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（９）前記ダム部のテーパー角が５０～９０°である、（６）または（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（１０）前記ダム部のテーパー面における、アルカリ金属ドープ層および／または希土類金属ドープ層の膜厚が、０．５ｎｍ以上、かつ、画素分割部における膜厚の０．５倍以下である、（９）に記載の有機ＥＬ表示装置。
（１１）前記画素分割部の表面粗さＲａが０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である、（１）～（１０）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１２）前記凸状構造のダム部の頂面および／または凹状構造のダム部の底面の表面粗さＲａが、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である、（１）～（１１）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
（１３）前記画素分割層が、一次粒子径５～３０ｎｍのシリカ粒子を含む、（１）～（１２）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、低電圧駆動し、漏れ電流が小さく、折り曲げ信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明における有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
本発明の一例である基板の概略断面図である。
本発明における画素分割部のテーパー角の概略図である。
本発明における凸状構造の順テーパー形状の概略図である。
本発明における凸状構造の逆テーパー形状の概略図である。
本発明における凹状構造の順テーパー形状の概略図である。
本発明における凹状構造の逆テーパー形状の概略図である。
本発明における凸状構造の逆テーパー形状のテーパー角の概略図である。
本発明における凹状構造の逆テーパー形状のテーパー角の概略図である。
本発明における凸状構造の順テーパー形状のテーパー角の概略図である。
本発明における凹状構造の順テーパー形状のテーパー角の概略図である。
本発明における金属ドープ層膜厚の概略図である。
本発明におけるＲａ１とＲａ２の概略図である。
本発明におけるＲａ１とＲａ２の概略図である。
本発明における有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。
本発明の実施例による画素分割部およびダム部の概略図である。
本発明の実施例による折り曲げ試験の概略図である。
本発明の実施例による有機ＥＬ表示装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」という）について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施の形態によってのみ限定されるべきものではない。
【００１０】
＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置は、マトリックス状に形成された複数の表示画素を有する有機ＥＬ表示装置である。有機ＥＬ層での発光を取り出す方向により、トップエミッション型とボトムエミッション型に大別されるが、特に限定されない。また、駆動方式によっても、対向する電極を列と行に分けて電極間に挟まれている表示画素だけを発光させるパッシブ駆動型と、ＴＦＴなどの駆動回路をそれぞれの表示画素に設けて制御するアクティブ駆動型に大別されるが、特に限定されない。ただし、何れの場合においても本発明の課題であるクロストークは、基板側の電極である第一電極間において発生する漏れ電流に起因するものを言う。
（【００１１】以降は省略されています）

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