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公開日
2025-01-16
公報種別
公開商標公報
出願番号
2025000887
出願日
2025-01-07
区分
第9類(機械器具)
,
第42類(科学・技術)
商品役務
半導体メモリー装置
,
半導体記憶装置
,
半導体
,
集積回路用ウェハー
,
集積回路
,
半導体デバイス
,
トランジスター(電子部品)
,
半導体シリコンウェハー
,
ストラクチャード半導体ウェハー
,
コンピュータソフトウェア(記憶されたもの)
,
科学技術に関する研究
,
技術的課題の研究
,
半導体加工技術の分野における研究
,
半導体の設計
,
電子計算機用半導体基板の設計
,
プリント配線基板の設計
,
半導体パッケージの設計
,
科学技術に関する研究に関する助言
全 21 件を表示
,
技術開発に関する指導及び助言
,
集積回路の設計
,
受託による新製品の研究開発
出願人
ホアウェイ テクノロジーズ カンパニー リミテッド
,
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
代理人
個人
,
個人
OCRテキスト
DiMOS
OCRテキスト2
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