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公開日2025-01-16
公報種別公開商標公報
出願番号2025000887
出願日2025-01-07
区分第9類(機械器具),第42類(科学・技術)
商品役務半導体メモリー装置,半導体記憶装置,半導体,集積回路用ウェハー,集積回路,半導体デバイス,トランジスター(電子部品),半導体シリコンウェハー,ストラクチャード半導体ウェハー,コンピュータソフトウェア(記憶されたもの),科学技術に関する研究,技術的課題の研究,半導体加工技術の分野における研究,半導体の設計,電子計算機用半導体基板の設計,プリント配線基板の設計,半導体パッケージの設計,科学技術に関する研究に関する助言全 21 件を表示,技術開発に関する指導及び助言,集積回路の設計,受託による新製品の研究開発
出願人ホアウェイ テクノロジーズ カンパニー リミテッド,HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
代理人個人,個人
OCRテキストDiMOS
OCRテキスト2
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