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公開番号2025181584
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-11
出願番号2024153434
出願日2024-09-05
発明の名称プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20251204BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】環状部材に付着する堆積物を好適に除去することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板を囲むように配置される環状部材と、前記環状部材を昇降可能なリフタと、前記プラズマ処理チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記リフタを制御して前記環状部材を上昇させ、前記制御部は、前記環状部材が上昇した状態で、前記プラズマ生成部を制御して第1のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記環状部材の下面と前記環状部材の載置面とをクリーニングするように構成される、プラズマ処理装置。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板を囲むように配置される環状部材と、
前記環状部材を昇降可能なリフタと、
前記プラズマ処理チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、前記リフタを制御して前記環状部材を上昇させ、
前記制御部は、前記環状部材が上昇した状態で、前記プラズマ生成部を制御して第１のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記環状部材の下面と前記環状部材の載置面とをクリーニングするように構成される、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記制御部は、前記リフタを制御して前記環状部材を下降させ、
前記制御部は、前記環状部材が下降した状態で、前記プラズマ生成部を制御して第２のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記環状部材の上面をクリーニングするように構成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記環状部材は、第１環状部材と、第２環状部材と、を有し、
前記第１環状部材は、前記第２環状部材の上に設けられ、
前記リフタは、前記第１環状部材を支持する支持ピンと、前記支持ピンを昇降させるアクチュエータと、を有し、
前記制御部は、前記リフタを制御して前記第１環状部材を前記第２環状部材から上昇させ、
前記制御部は、前記第１環状部材が前記第２環状部材から上昇した状態で、前記プラズマ生成部を制御して前記第１のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記第１環状部材の下面と前記第２環状部材の上面とをクリーニングし、
前記制御部は、前記リフタを制御して前記第１環状部材を前記第２環状部材に向けて下降させ、
前記制御部は、前記第１環状部材が前記第２環状部材に向けて下降した状態で、前記プラズマ生成部を制御して前記第２のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記第１環状部材の上面をクリーニングするように構成される、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１環状部材が前記第２環状部材から上昇した状態は、前記第１環状部材の下面が前記プラズマ処理チャンバの天板側のシースよりも上方外側に配置される、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ処理チャンバの天板に電力を供給する直流生成部をさらに備え、
前記第１環状部材の下面と前記第２環状部材の上面とのクリーニングにおいて、前記直流生成部から前記天板に電力を供給する、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１環状部材が前記第２環状部材に向けて下降した状態は、前記第１環状部材の上面が前記基板支持部側のシースよりも下方外側に配置される、
請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記基板支持部にバイアス電力を供給するバイアス電力生成部をさらに備え、
前記第１環状部材の下面と前記第２環状部材の上面とのクリーニング及び／又は前記第１環状部材の上面のクリーニングにおいて、前記バイアス電力生成部から前記基板支持部にバイアス電力を供給する、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記第１環状部材の下面と前記第２環状部材の上面とをクリーニングした後に前記プラズマ生成部を制御して、前記第１環状部材の上面をクリーニングするように構成される、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記第１環状部材の上面のクリーニング後に前記プラズマ生成部を制御して、前記第１環状部材の下面と前記第２環状部材の上面とをクリーニングするように構成される、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記環状部材のクリーニング後に前記リフタを制御して、前記アクチュエータのトルクに基づいて前記第１環状部材の消耗量を検出するように構成される、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、フォーカスリングが第１環状部材と第２環状部材とを有し、第２環状部材を上昇させることでシースを調整するプラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１１３７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、環状部材に付着する堆積物を好適に除去することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板を囲むように配置される環状部材と、前記環状部材を昇降可能なリフタと、前記プラズマ処理チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、前記プラズマ処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記リフタを制御して前記環状部材を上昇させ、前記制御部は、前記環状部材が上昇した状態で、前記プラズマ生成部を制御して第１のクリーニングガスのプラズマを生成し、前記環状部材の下面と前記環状部材の載置面とをクリーニングするように構成される、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、本開示は、環状部材に付着する堆積物を好適に除去することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。
第１実施形態に係るリングアセンブリの動作の一例を示す部分拡大断面図。
第２実施形態に係るリングアセンブリの動作の一例を示す部分拡大断面図。
基板処理時のプラズマ処理装置を示す部分拡大断面図の一例である。
参考例に係るクリーニング処理を説明するプラズマ処理装置の部分拡大断面図の一例。
クリーニング処理を説明するフローチャートの一例。
ステップＳ１０３におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図の一例。
第１環状部材の消耗補完を説明するフローチャートの一例。
第１環状部材を駆動する際のトルクの変化を示すグラフの一例。
第３実施形態に係るリングアセンブリの基板処理時における動作の一例を示す部分拡大断面図。
第３実施形態に係るリングアセンブリのクリーニング処理時における動作の一例を示す部分拡大断面図。
第４実施形態に係るリングアセンブリのクリーニング処理時における動作の一例を示す部分拡大断面図。
第５実施形態に係るリングアセンブリの基板処理時における動作の一例を示す部分拡大断面図。
第５実施形態に係るリングアセンブリのクリーニング処理時における動作の一例を示す部分拡大断面図。
第５実施形態に係るリングアセンブリを有する基板支持部におけるピンの配置の一例を説明する平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理システム］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置（基板処理装置）１の構成例を説明するための図の一例である。
【００１０】
プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源システム３０、排気システム４０及びリフタ５０（後述する図２，３等参照）を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
（【００１１】以降は省略されています）

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