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公開番号2025174985
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025145114,2023545570
出願日2025-09-02,2022-08-29
発明の名称研磨液、研磨方法、部品の製造方法、及び、半導体部品の製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C09K 3/14 20060101AFI20251120BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】銅の研磨速度を向上させることが可能な研磨液、前記研磨液を用いた研磨方法、前記研磨方法を用いた部品の製造方法、及び、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供する。
【解決手段】セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、を含有し、pHが9.00以上である、研磨液。前記研磨液を用いて、銅を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有し、
前記エーテル化合物が、１つのエーテル基を有する化合物を含み、
ｐＨが９．００以上である、研磨液。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有し、
前記エーテル化合物の含有量が前記砥粒１００質量部に対して３質量部以上であり、
ｐＨが９．００以上である、研磨液。
【請求項３】
セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、ヒドロキシ基を有するエーテル化合物と、を含有し、
前記エーテル化合物が、アルコキシアルコールと、ポリエーテルと、を含み、
ｐＨが９．００以上である、研磨液。
【請求項４】
前記ポリエーテルがポリグリセリンを含む、請求項３に記載の研磨液。
【請求項５】
前記ポリエーテルの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～３質量％である、請求項３に記載の研磨液。
【請求項６】
前記エーテル化合物が、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の研磨液。
【請求項７】
前記エーテル化合物がアルコキシアルコールを含む、請求項１又は２に記載の研磨液。
【請求項８】
前記アルコキシアルコールが３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含む、請求項７に記載の研磨液。
【請求項９】
前記アルコキシアルコールの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．２～０．８質量％である、請求項７に記載の研磨液。
【請求項１０】
前記アンモニウム塩が炭酸アンモニウムを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の研磨液。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、研磨液、研磨方法、部品の製造方法、半導体部品の製造方法等に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイスの製造工程では、高密度化、微細化等のための加工技術の重要性がますます高まっている。加工技術の一つであるＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学機械研磨）技術は、電子デバイスの製造工程において、シャロートレンチ分離（シャロー・トレンチ・アイソレーション：ＳＴＩ）の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成等に必須の技術となっている。ＣＭＰに用いられる研磨液としては、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する研磨液が知られている（例えば、下記特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１０－１０６９９４号公報
特開平０８－０２２９７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＭＰに用いることが可能な研磨液に対しては、銅を含有する被研磨部材を研磨して早期に除去することが求められる場合がある。このような研磨液に対しては、銅の研磨速度を向上させることが求められる。
【０００５】
本開示の一側面は、銅の研磨速度を向上させることが可能な研磨液を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法を用いた部品の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、いくつかの側面において、下記の［１］～［１７］等に関する。
［１］セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、を含有し、ｐＨが９．００以上である、研磨液。
［２］前記アンモニウム塩が炭酸アンモニウムを含む、［１］に記載の研磨液。
［３］前記アンモニウム塩が過硫酸アンモニウムを更に含む、［２］に記載の研磨液。
［４］前記アンモニウム塩の含有量が０．３～２質量％である、［１］～［３］のいずれか一つに記載の研磨液。
［５］アンモニアを更に含有する、［１］～［４］のいずれか一つに記載の研磨液。
［６］ヒドロキシ基を有するエーテル化合物を更に含有する、［１］～［５］のいずれか一つに記載の研磨液。
［７］前記エーテル化合物がアルコキシアルコールを含む、［６］に記載の研磨液。
［８］前記アルコキシアルコールが３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノールを含む、［７］に記載の研磨液。
［９］前記アルコキシアルコールの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．２～０．８質量％である、［７］又は［８］に記載の研磨液。
［１０］前記エーテル化合物が、２つ以上のヒドロキシ基を有する化合物を含む、［６］～［９］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１１］前記エーテル化合物がポリエーテルを含む、［６］～［１０］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１２］前記ポリエーテルがポリグリセリンを含む、［１１］に記載の研磨液。
［１３］前記ポリエーテルの含有量が、研磨液の全質量を基準として０．５～３質量％である、［１１］又は［１２］に記載の研磨液。
［１４］ｐＨが９．００～１１．００である、［１］～［１３］のいずれか一つに記載の研磨液。
［１５］［１］～［１４］のいずれか一つに記載の研磨液を用いて、銅を含有する被研磨部材を研磨する、研磨方法。
［１６］［１５］に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。
［１７］［１５］に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一側面によれば、銅の研磨速度を向上させることが可能な研磨液を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨液を用いた研磨方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法を用いた部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法を用いた半導体部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、銅を含有する被研磨部材の研磨への研磨液の応用を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について説明する。但し、本開示は下記実施形態に限定されるものではない。
【０００９】
本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「Ａ以上」とは、Ａ、及び、Ａを超える範囲を意味する。数値範囲の「Ａ以下」とは、Ａ、及び、Ａ未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「膜」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状、分岐又は環状のいずれであってもよい。「砥粒」とは、複数の粒子の集合を意味するが、便宜的に、砥粒を構成する一の粒子を砥粒と呼ぶことがある。
【００１０】
＜研磨液＞
本実施形態に係る研磨液は、セリウム酸化物を含む砥粒と、アンモニウム塩と、を含有し、ｐＨが９．００以上である。本実施形態に係る研磨液は、ＣＭＰ研磨液として用いることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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