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公開番号2025174920
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025081325
出願日2025-05-14
発明の名称塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20251120BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】パターン倒れ耐性(PCM)が良好なレジストパターンを形成する。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
JPEG
2025174920000200.jpg
52
170
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
１Ａ
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ
２
－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１０
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｌ
１Ａ
、Ｌ
１Ｂ
、Ｌ
２
及びＬ
３
は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ
５Ａ
及びＲ
５Ｂ
は、それぞれ独立に、－Ｘ
１
－Ｒ
１０
又は－Ｘ
２
－Ｌ
１１
－Ｘ
１
－Ｒ
１０
を表す。
Ｘ
１
は、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－（但し、＊は、Ｌ
１Ａ
もしくはＡｒ
１
との結合部位、Ｌ
１Ｂ
もしくはＡｒ
２
との結合部位、又はＬ
１１
との結合部位を表す。）を表す。
Ｘ
２
は、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－（但し、＊は、Ｌ
１Ａ
もしくはＡｒ
１
との結合部位、又はＬ
１Ｂ
もしくはＡｒ
２
との結合部位を表す。）を表す。
Ｌ
１１
は、置換基を有してもよい炭素数１～２８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
続きを表示（約 2,000 文字）【請求項２】
Ｌ
１Ａ
、Ｌ
１Ｂ
、Ｌ
２
及びＬ
３
は、それぞれ独立に、単結合又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～４のアルカンジイル基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項３】
ｍ３が１以上の整数であり、少なくとも１つのＲ
３
がフッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～４のヒドロキシアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基又は炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項４】
ｍ６が１以上の整数であり、少なくとも１つのＲ
６
がフッ素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～４のヒドロキシアルキル基、炭素数１～４のアルコキシ基又は炭素数１～３のペルフルオロアルキル基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項５】
（ｍ２＋ｍ４）が、１又は２である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項６】
Ａｒ
１
及びＡｒ
２
が、それぞれ独立に、炭素数６～１４の芳香族炭化水素基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項７】
Ｌ
１０
が、単結合、置換基を有してもよい炭素数１～１０の鎖式炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基又は置換基を有してもよい炭素数１～８の鎖式炭化水素基と置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基とを組み合わせてなる基であり、
前記鎖式炭化水素基及び前記環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項８】
Ｒ
１０
の置換基を有してもよい酸安定炭化水素基が、式（１０ａ－１）で表される基である請求項１に記載の酸発生剤。
JPEG
2025174920000201.jpg
8
170
［式（１０ａ－１）中、
Ｌ
１２
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ａｒ
１１
は、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ
１１ａ
は、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ１１ａは、０～８のいずれかの整数を表し、ｍ１１ａが２以上のとき、複数のＲ
１１ａ
は互いに同一であっても異なってもよい。
＊は、結合部位を表す。］
【請求項９】
Ｒ
１０
の置換基を有してもよい酸安定炭化水素基が、式（１０ａ－２）で表される基である請求項１に記載の酸発生剤。
JPEG
2025174920000202.jpg
16
170
［式（１０ａ－２）中、
Ｌ
１２
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ
１１ｂ
、Ｒ
１１ｃ
及びＲ
１１ｄ
は、
Ｒ
１１ｂ
及びＲ
１１ｃ
が、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、Ｒ
１１ｄ
が、水素原子であるか、
Ｒ
１１ｂ
及びＲ
１１ｃ
が、互いに結合し、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）を有してもよい炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を形成し、Ｒ
１１ｄ
が、水素原子であるか、
Ｒ
１１ｂ
、Ｒ
１１ｃ
及びＲ
１１ｄ
が、互いに結合し、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）を有してもよい炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を形成する。
＊は結合部位を表す。］
【請求項１０】
請求項１～９のいずれか１項に記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 910 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表される塩及び該塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
【０００３】
JPEG
2025174920000001.jpg
69
170
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－１１７３９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パターン倒れ耐性（ＰＣＭ）が良好なレジストパターンを形成することができる技術が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の発明を含む。
［発明１］
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
【０００７】
JPEG
2025174920000002.jpg
52
170
【０００８】
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
【０００９】
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数の括弧内の基は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
１Ａ
は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ
２
－、－ＮＲ
７
－又はこれらを組み合わせた基を表す。
【００１０】
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１０
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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