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公開番号2025169742
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2024074782
出願日2024-05-02
発明の名称半導体装置、マルチフェーズDC/DCコンバータ及び電源装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類H02M 3/155 20060101AFI20251107BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】半導体装置を含むマルチフェーズDC/DCコンバータ及び電源装置において、負荷に供給される電流の均一性を高める。
【解決手段】半導体装置(200)は、制御信号供給部(22)は、コントローラ部(21)を設定するための設定情報を取得し、設定情報と調整用電流値情報(Icp)とに基づいて、全ての出力部(300)から出力された電流を合成した負荷電流(Iout)の変動が抑制されるように制御信号(Scr)を調整する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
複数の出力部のそれぞれにＰＷＭ信号を出力するように構成されたコントローラ部と、
前記コントローラ部に対して前記ＰＷＭ信号を生成するための制御信号を供給するように構成された制御信号供給部と、
各前記出力部から出力される電流の電流値情報を取得し、調整用電流値情報として前記制御信号供給部に供給するように構成された処理部と、を有し、
前記制御信号供給部は、前記コントローラ部を設定するための設定情報を取得し、前記設定情報と前記調整用電流値情報とに基づいて、全ての前記出力部から出力された電流を合成した負荷電流の変動が抑制されるように前記制御信号を調整する構成を有する半導体装置。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
前記制御信号供給部は、前記設定情報として各前記出力部に対して出力されるＰＷＭ信号の位相情報を取得し、前記ＰＷＭ信号を調整するように前記制御信号を生成する構成の請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記制御信号供給部は、前記設定情報として各前記出力部に対して出力されるＰＷＭ信号の周波数情報を取得し、前記ＰＷＭ信号を調整するように前記制御信号を生成する構成の請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
最新の前記電流値から所定の回数前までに取得された前記電流値情報が出力部と対応して記憶するように構成された記憶部を有し、
前記処理部は、新たに前記電流値情報を取得したときに前記記憶部に記憶されている前記電流値情報と新たに取得された電流値情報とに応じて計算された平均値を前記調整用電流値情報として前記制御信号供給部に供給するように構成された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかの構成の半導体装置と、
ＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタを駆動するドライバ部とが統合されたドライバＭＯＳを有するように構成された複数の出力部と、を有し、
前記半導体装置は、各出力部にＰＷＭ信号を出力するように構成され、
複数の前記出力部の出力電流を合成するように構成されたマルチフェーズＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項６】
請求項５に記載のマルチフェーズＤＣ／ＤＣコンバータを有し、
前記出力電流を合成した負荷電流を負荷に供給するように構成された電源装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関するものであり、半導体装置を含むマルチフェーズＤＣ／ＤＣコンバータ及び電源装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
マルチフェーズＤＣ／ＤＣコンバータは、スイッチングトランジスタ、コイル及び整流素子を有する出力段回路を複数チャネル分設け、複数の出力段回路のスイッチングトランジスタに位相差をつけてスイッチング駆動することにより１つの安定化された出力電流を得るように構成される。（特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－１６５１３８号公報
【０００４】
［概要］
上述のようなマルチフェーズＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、負荷に供給される電流の均一性を高める要求が高まっている。
【０００５】
本開示の一態様による半導体装置は、複数の出力部のそれぞれにＰＷＭ信号を出力するコントローラ部と、前記コントローラ部に対して前記ＰＷＭ信号を生成するための制御信号を供給する制御信号供給部と、各前記出力部から出力される電流の電流値を取得し、電流値情報として前記制御信号供給部に供給する処理部と、を有する。前記制御信号供給部は、前記コントローラ部を設定するための設定情報を取得し、前記設定情報と前記電流値情報とに基づいて、全ての前記出力部から出力された電流を合成した負荷電流の変動が抑制されるように前記制御信号を調整するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、本開示の一実施形態にかかるＤＣ／ＤＣコンバータの全体構成図である。
図２は出力部の構成を示す回路図である。
図３は、出力部から出力される電流を調整している状態の各信号を示す図である。
図４は、コントローラ部による制御信号の調整手順を示すフローチャートである。
図５は、変形例の出力部の構成を示す回路図である。
【０００７】
［詳細な説明］
【０００８】
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。
【０００９】
まず、本開示の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明する。ラインとは電気信号が伝播又は印加される配線を指す。グラウンドとは、基準となる０Ｖ（ゼロボルト）の電圧を有する基準導電部を指す又は０Ｖの電圧そのものを指す。基準導電部は金属等の導体にて形成される。０Ｖの電圧を接地電圧と称することもある。本開示の実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧は、グラウンドから見た電圧を表す。
【００１０】
本明細書において、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）電界効果トランジスタとは、ゲートの構造が、「導電体または抵抗値が小さいポリシリコン等の半導体からなる層」、「絶縁層」、及び「Ｐチャネル型、Ｎチャネル型、又は真性の半導体層」の少なくとも３層からなるトランジスタをいう。つまり、ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲートの構造は、金属、酸化物、及び半導体の３層構造に限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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