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公開番号2025165751
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-05
出願番号2024070039
出願日2024-04-23
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 23/12 20060101AFI20251028BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】マウント材を安定的に塗布することが容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、基板20と、前記基板上に配置されたマウント材30と、前記マウント材上に配置された半導体素子10と、を備える。前記基板上の前記マウント材の周囲に沿って、壁状の堤防部と、当該堤防部が設けられていない非堤防領域と、が形成されている。マウント材30の材質は、例えば、Agペーストまたは半田であり、マウント材30の一部は、非堤防領域から配置領域の外側へ漏出した漏出部31として、隅角領域24上で固化している。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたマウント材と、
前記マウント材上に配置された半導体素子と、を備え、
前記基板上の前記マウント材の周囲に沿って、壁状の堤防部と、当該堤防部が設けられていない非堤防領域と、が形成されている、半導体装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
平面視において、前記堤防部は所定の矩形における四辺上に設けられ、
前記非堤防領域は、前記矩形における四隅の角部に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
平面視において、前記マウント材の一部は、前記非堤防領域から外側へ漏出して固化している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記堤防部の上端は、前記半導体素子と接触している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記堤防部の上端と、前記半導体素子との間には、前記マウント材が介在している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記堤防部は、前記基板の折り曲げられた部位である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記堤防部は、前記基板上に取り付けられた部材である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
平面視において、前記基板の面積は、前記半導体素子の面積よりも小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
基板上に配置されたマウント材と、当該マウント材上に配置された半導体素子と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の一部を折り曲げて、前記マウント材が配置される配置領域の周囲に、壁状の堤防部と、当該堤防部が設けられていない非堤防領域を形成することと、
前記配置領域に、前記マウント材を配置することと、
前記マウント材上に、前記半導体素子を配置すること、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体素子を配置することは、前記マウント材上に前記半導体素子を配置して、当該半導体素子の荷重により当該マウント材を押し広げて、前記非堤防領域から平面視における外側へ当該マウント材の一部を漏出させることを含む、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置、および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
ドレインコモン構造のＬＧＡ（Land Grid Array）半導体装置等において、マウント材を用いて半導体素子と金属基板とを接続する技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１０９２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、マウント材を安定的に塗布することが容易な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に配置されたマウント材と、前記マウント材上に配置された半導体素子と、を備える。前記基板上の前記マウント材の周囲に沿って、壁状の堤防部と、当該堤防部が設けられていない非堤防領域と、が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の斜視図である。
半導体装置の基板の斜視図である。
図１ＡのＩＩ－ＩＩ線における拡大断面図である。
半導体装置の製造方法を示すフロー図である。
基板加工工程における基板の斜視図である。
基板加工工程における基板の斜視図である。
マウント材配置工程における基板の斜視図である。
半導体素子配置工程における半導体装置の斜視図である。
変形例に係る半導体装置の斜視図である。
変形例に係る半導体装置の基板の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、たとえば、「平行」、「同じ」等の用語等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【０００９】
＜１．実施形態＞
（１．１．半導体装置１００）
図１Ａ～図２を参照して、本実施形態に係る半導体装置１００について説明する。図１Ａに示すように、半導体装置１００は、基板２０と、基板２０上に配置されたマウント材３０と、マウント材３０上に配置された半導体素子１０と、を備える。
【００１０】
半導体素子１０は、平面視において矩形状であり、一例としてＩＧＢＴである。なお、半導体素子１０の種類は特に限定されず、たとえば、半導体素子１０は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦＲＤなどであってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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