特許ウォッチ

公開番号2025165390
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-04
出願番号2025067487
出願日2025-04-16
発明の名称樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、樹脂複合シート、プリント配線板、および、半導体装置
出願人三菱瓦斯化学株式会社
代理人弁理士法人特許事務所サイクス
主分類C08L 25/02 20060101AFI20251027BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】熱膨張率が低い硬化物を提供可能な樹脂組成物、ならびに、硬化物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂複合シート、プリント配線板、および、半導体装置の提供。
【解決手段】本開示に係る樹脂組成物は、樹脂(A)10～90質量部に対し、式(BV)で表される化合物(B)90～10質量部を含み、樹脂(A)が、式(T)で表される樹脂である。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025165390000078.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">68</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image> 【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
樹脂（Ａ）１０～９０質量部に対し、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）９０～１０質量部を含み、
前記樹脂（Ａ）が、式（Ｔ）で表される樹脂である、樹脂組成物。
TIFF
2025165390000072.tif
39
170
（式（Ｔ）中、Ｍａはそれぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ｘ１は０～４の整数を表す。Ｒは２価の基である。）
TIFF
2025165390000073.tif
29
170
（式（ＢＶ）中、Ｍｄは、それぞれ独立に炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｗは０～４の整数を表す。ｒは０～６の整数を表す。）
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
前記Ｒは、インダン構造を含む基である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記Ｒは、下記構造を含む基である、請求項１に記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000074.tif
37
170
（式（Ｔｘ）中、ｎ、ｏ、およびｐは、平均繰り返し単位数であり、ｎは０超２０以下の数を表し、ｏおよびｐは、それぞれ独立して０～２０の数を表し、１．０≦ｎ＋ｏ＋ｐ≦２０．０である。Ｍａは、それぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｘは０～４の整数を表す。構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ＊で構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、または他の基と結合しており、各構成単位はランダムに結合していてもよい。）
【請求項４】
前記樹脂（Ａ）における、式（α）から算出されるパラメーターαが０．２０以上１．００以下であり、式（β）から算出されるパラメーターβが０．２０以上３．００以下であり、前記樹脂（Ａ）の数平均分子量が、４００～３０００である、請求項３に記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000075.tif
27
170
（式（α）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示し、式（β）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示す。）
【請求項５】
前記式（ＢＶ）中、ｒは１～４の整数を表す、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記Ｒは、下記構造を含む基であり、
前記樹脂（Ａ）における、式（α）から算出されるパラメーターαが０．２０以上１．００以下であり、式（β）から算出されるパラメーターβが０．２０以上３．００以下であり、前記樹脂（Ａ）の数平均分子量が、４００～３０００であり、
前記式（ＢＶ）中、ｒは１～４の整数を表す、請求項１に記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000076.tif
37
170
（式（Ｔｘ）中、ｎ、ｏ、およびｐは、平均繰り返し単位数であり、ｎは０超２０以下の数を表し、ｏおよびｐは、それぞれ独立して０～２０の数を表し、１．０≦ｎ＋ｏ＋ｐ≦２０．０である。Ｍａは、それぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｘは０～４の整数を表す。構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ＊で構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、または他の基と結合しており、各構成単位はランダムに結合していてもよい。）
脂組成物。
TIFF
2025165390000077.tif
27
170
（式（α）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示し、式（β）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示す。）
【請求項７】
前記樹脂（Ａ）４５～７５質量部に対し、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）５５～２５質量部を含み、前記樹脂組成物に含まれる樹脂固形分１００質量部に対し、樹脂（Ａ）と式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）の合計量が９０質量部以上であり、
前記樹脂組成物を厚さ１．０ｍｍのサンプルに成形し、ＪＩＳＣ２１８：２００７に準じて、空洞共振器摂動法により測定した周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が（Ｄｆ）が０．００１８以下である、請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
さらに、充填材を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
さらに、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光重合開始剤、蛍光増白剤、光増感剤、染料、顔料、増粘剤、流動調整剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、および、重合禁止剤よりなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
プリント配線板用である、請求項１～７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、樹脂複合シート、プリント配線板、および、半導体装置に関する。
続きを表示（約 4,900 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、携帯端末をはじめ、電子機器や通信機器等に用いられる半導体素子の高集積化および微細化が加速している。これに伴い、半導体素子の高密度実装を可能とする技術が求められており、その重要な位置をしめる半導体素子搭載用基板等のプリント配線板についても改良が求められている。
一方、電子機器等の用途は多様化し拡大をつづけている。これを受け、半導体素子搭載用基板等のプリント配線板やこれに用いる金属箔張積層板、プリプレグなどに求められる諸特性も多様化し、かつ厳しいものとなっている。そうした要求特性を考慮しながら、改善されたプリント配線板を得るために、各種の材料や加工法が提案されている。その１つとして、プリプレグや樹脂複合シートを構成する樹脂材料の改良開発が挙げられる。このような材料は、特許文献１～４に記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０５８４０９号公報
特開２０２１－１８７８９３号公報
国際公開第２０１９／１８８１８９号
特開２０１８－０９０７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の通り、電子機器等の用途は多様化し拡大をつづけており、プリプレグ等を構成する樹脂材料についても、新たな材質のものが求められている。特に、熱膨張率が低い硬化物を提供可能な樹脂組成物について、さらなる材料開発が求められている。
本発明は、上記課題を解決することを目的とするものであって、熱膨張率が低い硬化物を提供可能な樹脂組成物、ならびに、硬化物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂複合シート、プリント配線板、および、半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題のもと、本発明者が検討を行った結果、所定のイソプロペニル基を有する樹脂と、所定のジビニル芳香族化合物を併用することにより、熱膨張率が低い硬化物を提供可能な樹脂組成物が得られることを見出した。
具体的には、下記手段により、上記課題は解決された。
［１］樹脂（Ａ）１０～９０質量部に対し、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）９０～１０質量部を含み、
前記樹脂（Ａ）が、式（Ｔ）で表される樹脂である、樹脂組成物。
TIFF
2025165390000002.tif
39
170
（式（Ｔ）中、Ｍａはそれぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ｘ１は０～４の整数を表す。Ｒは２価の基である。）
TIFF
2025165390000003.tif
29
170
（式（ＢＶ）中、Ｍｄは、それぞれ独立に炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｗは０～４の整数を表す。ｒは０～６の整数を表す。）
［２］前記Ｒは、インダン構造を含む基である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］前記Ｒは、下記構造を含む基である、［１］または［２］に記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000004.tif
37
170
（式（Ｔｘ）中、ｎ、ｏ、およびｐは、平均繰り返し単位数であり、ｎは０超２０以下の数を表し、ｏおよびｐは、それぞれ独立して０～２０の数を表し、１．０≦ｎ＋ｏ＋ｐ≦２０．０である。Ｍａは、それぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｘは０～４の整数を表す。構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ＊で構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、または他の基と結合しており、各構成単位はランダムに結合していてもよい。）
［４］前記樹脂（Ａ）における、式（α）から算出されるパラメーターαが０．２０以上１．００以下であり、式（β）から算出されるパラメーターβが０．２０以上３．００以下であり、前記樹脂（Ａ）の数平均分子量が、４００～３０００である、［３］に記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000005.tif
27
170
（式（α）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示し、式（β）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示す。）
［５］前記式（ＢＶ）中、ｒは１～４の整数を表す、［１］～［４］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［６］前記Ｒは、下記構造を含む基であり、
前記樹脂（Ａ）における、式（α）から算出されるパラメーターαが０．２０以上１．００以下であり、式（β）から算出されるパラメーターβが０．２０以上３．００以下であり、前記樹脂（Ａ）の数平均分子量が、４００～３０００であり、
前記式（ＢＶ）中、ｒは１～４の整数を表す、［１］～［５］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
TIFF
2025165390000006.tif
37
170
（式（Ｔｘ）中、ｎ、ｏ、およびｐは、平均繰り返し単位数であり、ｎは０超２０以下の数を表し、ｏおよびｐは、それぞれ独立して０～２０の数を表し、１．０≦ｎ＋ｏ＋ｐ≦２０．０である。Ｍａは、それぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｘは０～４の整数を表す。構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ＊で構成単位（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、または他の基と結合しており、各構成単位はランダムに結合していてもよい。）
脂組成物。
TIFF
2025165390000007.tif
27
170
（式（α）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示し、式（β）における括弧内は、
１
Ｈ－ＮＭＲにおける該当する化学シフト値間の積分値を示す。）
［７］前記樹脂（Ａ）４５～７５質量部に対し、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）５５～２５質量部を含み、前記樹脂組成物に含まれる樹脂固形分１００質量部に対し、樹脂（Ａ）と式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）の合計量が９０質量部以上であり、
前記樹脂組成物を厚さ１．０ｍｍのサンプルに成形し、ＪＩＳＣ２１３８：２００７に準じて、空洞共振器摂動法により測定した周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が（Ｄｆ）が０．００１８以下である、［６］に記載の樹脂組成物。
［８］さらに、充填材を含む、［１］～［７］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［９］さらに、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光重合開始剤、蛍光増白剤、光増感剤、染料、顔料、増粘剤、流動調整剤、滑剤、消泡剤、レベリング剤、光沢剤、および、重合禁止剤よりなる群より選択される少なくとも１種を含む、［１］～［８］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［１０］プリント配線板用である、［１］～［９］のいずれか１つに記載の樹脂組成物。
［１１］［１］～［１０］のいずれか１つに記載の樹脂組成物の硬化物。
［１２］基材と、［１］～［７］のいずれか１つに記載の樹脂組成物から形成されたプリプレグ。
［１３］少なくとも１枚の［１２］に記載のプリプレグと、前記プリプレグの片面または両面に配置された金属箔とを含む、金属箔張積層板。
［１４］支持体と、前記支持体の表面に配置された［１］～［１０］のいずれか１つに記載の樹脂組成物から形成された層を含む樹脂複合シート。
［１５］絶縁層と、前記絶縁層の表面に配置された導体層とを含むプリント配線板であって、
前記絶縁層が、［１］～［１０］のいずれか１つに記載の樹脂組成物から形成された層を含むプリント配線板。
［１６］［１５］に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、熱膨張率が低い硬化物を提供可能な樹脂組成物、ならびに、硬化物、プリプレグ、金属箔張積層板、樹脂複合シート、プリント配線板、および、半導体装置を提供可能になった。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
合成例１の
1
Ｈ-ＮＭＲチャートを示す。
合成例１で得られた樹脂の
1
Ｈ-ＮＭＲチャートに、パラメーターα、パラメーターβのピーク値を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という）について詳細に説明する。なお、以下の本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施形態のみに限定されない。
なお、本明細書において「～」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、各種物性値および特性値は、特に述べない限り、２３℃におけるものとする。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。本明細書では、置換および無置換を記していない表記は、無置換の方が好ましい。
本明細書において、比誘電率とは、物質の真空の誘電率に対する誘電率の比を示す。また、本明細書においては、比誘電率を単に「誘電率」ということがある。さらに、本明細書における比誘電率は、特に述べない限り、空洞共振摂動法に従って測定した周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率を意味する。
本明細書において、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルの双方、または、いずれかを表す。「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタアリルの双方、またはいずれかを表す。
本明細書で示す規格が年度によって、測定方法等が異なる場合、特に述べない限り、２０２４年１月１日時点における規格に基づくものとする。
【０００９】
本明細書において、樹脂固形分とは、充填材および溶剤を除く成分をいい、樹脂（Ａ）、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）、および、必要に応じて配合される他の熱硬化性化合物、およびその他の樹脂添加剤成分（難燃剤等の添加剤等）を含む趣旨である。
【００１０】
本実施形態の樹脂組成物は、樹脂（Ａ）１０～９０質量部に対し、式（ＢＶ）で表される化合物（Ｂ）９０～１０質量部を含み、前記樹脂（Ａ）が、式（Ｔ）で表される樹脂であることを特徴とする。
TIFF
2025165390000008.tif
39
170
（式（Ｔ）中、Ｍａはそれぞれ独立にハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ｘ１は０～４の整数を表す。Ｒは２価の基である。）
TIFF
2025165390000009.tif
29
170
（式（ＢＶ）中、Ｍｄは、それぞれ独立に炭素数１～１２の炭化水素基を表す。ｗは０～４の整数を表す。ｒは０～６の整数を表す。）
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許