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公開番号2025165244
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-04
出願番号2024069239
出願日2024-04-22
発明の名称フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクスの製造方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク用基板の再利用方法、フォトマスク用基板、フォトマスクブランクス、フォトマスク、石英ガラス基板の加工装置
出願人株式会社ニコン
代理人弁理士法人湘洋特許事務所
主分類G03F 1/60 20120101AFI20251027BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】フォトマスク用基板の厚みを変えずにフォトマスク用基板を繰り返し再生するための方法が求められている。
【解決手段】フォトマスク用基板の製造方法は、第1面に凹部を有する石英ガラス基板にレーザを照射し、凹部の深さをより小さくする凹部処理工程と、凹部処理工程が行われた第1面を削り、第1面の算術平均高さSaをより小さくする基板平坦化工程と、を含み、凹部処理工程では、レーザの照射範囲は凹部を含み、照射範囲の少なくとも一部を熔融させることを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第1面に凹部を有する石英ガラス基板にレーザを照射し、前記凹部の深さをより小さくする凹部処理工程と、
前記凹部処理工程が行われた前記第１面を削り、前記第１面の算術平均高さＳａをより小さくする基板平坦化工程と、を含み、
前記凹部処理工程では、前記レーザの照射範囲は前記凹部を含み、前記照射範囲の少なくとも一部を熔融させる、フォトマスク用基板の製造方法。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記凹部処理工程では、前記凹部の深さを３０μｍ以下にする、請求項１に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板平坦化工程では、前記第１面の算術平均高さＳａを２０μｍ以下にする、請求項１または２に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記凹部処理工程では、前記レーザを照射された後の前記照射範囲の組成が二酸化ケイ素である、請求項１～３のいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１面における前記凹部の位置情報を取得する凹部位置特定工程を含み、
前記凹部処理工程では、前記位置情報に基づいて前記石英ガラス基板に前記レーザを照射する、請求項１～４のいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項６】
前記凹部処理工程では、波長９．２μｍ以上１０．８μｍ以下の前記レーザを用いる、請求項１～５のいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項７】
前記凹部処理工程では、前記レーザを照射されている期間の前記照射範囲の温度が１８００℃以上２３００℃以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１面に二酸化ケイ素層を形成する層形成工程を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項９】
前記二酸化ケイ素層を削り、前記二酸化ケイ素層が形成された前記第1面の算術平均高さＳａをより小さくする層平坦化工程を含む、請求項８に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記層形成工程は、前記凹部処理工程が行われる前の前記第1面に前記二酸化ケイ素層を形成する、請求項８または９に記載のフォトマスク用基板の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクスの製造方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク用基板の再利用方法、フォトマスク用基板、フォトマスクブランクス、フォトマスク、石英ガラス基板の加工装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１にはフォトマスク用基板上に膜を有するフォトマスクブランクスが開示されている。キズ等のついたフォトマスク用基板を、キズを削り取る従来方法により再生しようとすると、フォトマスク用基板の厚みが顕著に減耗してしまうため、再生回数はほぼ１回に限定されてしまう。フォトマスク用基板の厚みを変えずにフォトマスク用基板を繰り返し再生するための方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１０５１５８号公報
【発明の概要】
【０００４】
本発明に係る一の態様は、第1面に凹部を有する石英ガラス基板にレーザを照射し、前記凹部の深さをより小さくする凹部処理工程と、前記凹部処理工程が行われた前記第１面を削り、前記第１面の算術平均高さＳａをより小さくする基板平坦化工程と、を含み、前記凹部処理工程では、前記レーザの照射範囲は前記凹部を含み、前記照射範囲の少なくとも一部を熔融させる、フォトマスク用基板の製造方法である。
【０００５】
本発明に係る他の態様は、上記のフォトマスク用基板の製造方法によって生産されたフォトマスク用基板に対して、遮光膜、ハーフトーン膜、位相シフト膜の少なくとも１種類の膜を成膜し、フォトマスクブランクスを製造する、フォトマスクブランクスの製造方法である。
【０００６】
本発明に係る他の態様は、上記のフォトマスクブランクスの製造方法によって生産されたフォトマスクブランクスに対して細線回路加工を行い、フォトマスクを製造する、フォトマスクの製造方法である。
【０００７】
本発明に係る他の態様は、上記のフォトマスク用基板の製造方法を行うことにより、使用済みフォトマスク用基板を新たなフォトマスク用基板に繰り返し再生産するフォトマスク用基板の再利用方法である。
【０００８】
本発明に係る他の態様は、石英ガラス基板を含むフォトマスク用基板であって、前記石英ガラス基板上に５ｎｍ以上のリタデーションを１個以上有する、フォトマスク用基板である。
【０００９】
本発明に係る他の態様は、上記のフォトマスク用基板上に、遮光膜、ハーフトーン膜、位相シフト膜の少なくとも１種類の膜を有するフォトマスクブランクスである。
【００１０】
本発明に係る他の態様は、上記のフォトマスクブランクスにパターンが形成されたフォトマスクである。
（【００１１】以降は省略されています）

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