特許ウォッチ

公開番号2025163179
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-28
出願番号2025130408,2024026453
出願日2025-08-05,2024-02-26
発明の名称エッチングガス
出願人ダイキン工業株式会社
代理人弁理士法人三枝国際特許事務所
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20251021BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体を製造する際に、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う為に使用するエッチングガスを提供する。
【解決手段】エッチングガスは、半導体を製造する際に、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う為に使用する1,2-ジフルオロエチレン(CHF=CHF)を含有する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
１，２－ジフルオロエチレン（ＣＨＦ＝ＣＨＦ）を含有するエッチングガス。
続きを表示（約 240 文字）【請求項２】
半導体の製造用基板に対して、請求項１に記載のエッチングガスを用いて、エッチングを行う方法。
【請求項３】
請求項１に記載のエッチングガスのガス噴出部を有する半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１に記載のエッチングガスを用いて、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う、半導体の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載のエッチングガスの、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う、半導体製造の為の使用。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、エッチングガスに関する。
続きを表示（約 810 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、特許文献１は、ＣＦ
３
ＣＯＣＦ
３
（ヘキサフルオロアセトン）、及びＣ
３
Ｆ
６
Ｏ（ヘキサフルオロプロペンオキシド）のエッチングガスと、これらエッチングガスとアルゴンガスとを１：１０～３０の流量比率で処理室内に導入し、プラズマ雰囲気の下で該処理室内の被処理基板上の酸化シリコン系材料層をエッチングする、エッチング方法を開示する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
公開番号特開平９－１２９６１２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、新たに、１，２－ジフルオロエチレン（ＣＨＦ＝ＣＨＦ）を含有するエッチングガスを提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、以下の構成を包含する。
【０００６】
項１．
１，２－ジフルオロエチレン（ＣＨＦ＝ＣＨＦ）を含有するエッチングガス。
【０００７】
項２．
半導体の製造用基板に対して、前記項１に記載のエッチングガスを用いて、エッチングを行う方法。
【０００８】
項３．
前記項１に記載のエッチングガスのガス噴出部を有する半導体製造装置。
【０００９】
項４．
前記項１に記載のエッチングガスを用いて、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う、半導体の製造方法。
【００１０】
項５．
前記項１に記載のエッチングガスの、半導体の製造用基板に対して、エッチングを行う、半導体製造の為の使用。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許