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公開番号2025159717
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-21
出願番号2025063186
出願日2025-04-07
発明の名称レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びに塩
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/004 20060101AFI20251014BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好なCD均一性(CDU)のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤と、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、クエンチャーとを含有するレジスト組成物。
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[式中、R¹⁰はH原子又は-L¹-R¹¹、L¹は単結合又はアルカンジイル基、該アルカンジイル基中の-CH₂-は-O-又は-CO-に置き換わっていてもよい。R¹¹は式(1a)又は式(2a)で表される基;X^aはO又はS原子を表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤と、
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、
クエンチャーと、を含有するレジスト組成物。
TIFF
2025159717000162.tif
36
79
［式（Ｉ）中、
Ｒ
１０
は、水素原子又は－Ｌ
１
－Ｒ
１１
を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１１
は、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基を表す。
Ｒ
２
は、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
ｍ２は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ２が２以上のとき、複数のＲ
２
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｚ
＋
は、有機カチオンを表す。］
TIFF
2025159717000163.tif
21
56
［式（１ａ）中、
Ｒ
ａａ１
、Ｒ
ａａ２
及びＲ
ａａ３
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～２０の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらの基を組み合わせた基を表すか、又はＲ
ａａ１
及びＲ
ａａ２
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の脂環式炭化水素基を形成し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
＊は結合部位を表す。］
TIFF
2025159717000164.tif
21
61
［式（２ａ）中、
Ｒ
ａａ１’
及びＲ
ａａ２’
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
ａａ３’
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、又はＲ
ａａ２’
及びＲ
ａａ３’
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｘ
ａ
－とともに炭素数３～２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよく、該炭化水素基及び該複素環基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｘ
a
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合部位を表す。］
続きを表示（約 4,600 文字）【請求項２】
Ｒ
１０
が、水素原子、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基である請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）で表される塩の含有量が、前記樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上４０質量部以下である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
Ｒ
２
が、塩素原子又は炭素数１～３のアルコキシ基である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－４）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025159717000165.tif
44
145
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
ａ０１
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
ａ０１
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ０２
、Ｒ
ａ０３
及びＲ
ａ０４
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
ｍ１’は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025159717000166.tif
31
117
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
ａ１
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ１７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ１１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ１８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ１８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ１
は、単結合又はカルボニル基を表す。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
ｎａ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎａ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ１１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ１１が２以上のとき、複数のＲ
ａ１７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025159717000167.tif
45
58
［式（ａ１－５）中、
Ｒ
a8
は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
【請求項６】
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂が、式（ａ２－Ａ）で表される構造単位を含む請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025159717000169.tif
31
127
［式（ａ２－Ａ）中、
Ｒ
ａ２
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ２７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ２１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ２８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ２８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ２
は、単結合又はカルボニル基を表す。
ｎＡ２は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎＡ２が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ２１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ２１が２以上のとき、複数のＲ
ａ２７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
【請求項７】
（１）請求項１又は２に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【請求項８】
式（Ｉ’）で表される塩。
TIFF
2025159717000170.tif
36
84
［式（Ｉ’）中、
Ｒ
１０
は、水素原子又は－Ｌ
１
－Ｒ
１１
を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１１
は、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基を表す。
Ｒ
２２
は、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。(但し、Ｒ
１０
が、水素原子の場合、少なくとも１つのＲ
２２
は、ヒドロキシ基ではない。)
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
ｍ２２は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ２２が２以上のとき、複数のＲ
２２
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｚ
＋
は、有機カチオンを表す。］
TIFF
2025159717000171.tif
21
56
［式（１ａ）中、
Ｒ
ａａ１
、Ｒ
ａａ２
及びＲ
ａａ３
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～２０の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらの基を組み合わせた基を表すか、又はＲ
ａａ１
及びＲ
ａａ２
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の脂環式炭化水素基を形成し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
＊は結合部位を表す。］
TIFF
2025159717000172.tif
21
61
［式（２ａ）中、
Ｒ
ａａ１’
及びＲ
ａａ２’
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
ａａ３’
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、又はＲ
ａａ２’
及びＲ
ａａ３’
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｘ
ａ
－とともに炭素数３～２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよく、該炭化水素基及び該複素環基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｘ
a
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合部位を表す。］
【請求項９】
Ｒ
１０
が、水素原子、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基である請求項８に記載の塩。
【請求項１０】
Ｒ
２２
が、塩素原子又は炭素数１～３のアルコキシ基である、請求項８又は９に記載の塩。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 4,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表されるアニオンを含む塩及び該塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025159717000001.tif
18
36
特許文献２には、酸発生剤と該酸発生剤から発生する酸よりも弱い酸を発生し、酸拡散抑制剤として機能する塩として、下記式で表されるアニオンを含む塩を含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025159717000002.tif
18
26
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－０７５９０３号公報
ＷＯ２０２１／１３１５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の塩を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、ＣＤ均一性（ＣＤＵ）が良好なレジストパターンを形成する塩を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤と、
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂と、
クエンチャーと、を含有するレジスト組成物。
TIFF
2025159717000003.tif
36
79
［式（Ｉ）中、
Ｒ
１０
は、水素原子又は－Ｌ
１
－Ｒ
１１
を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１１
は、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基を表す。
Ｒ
２
は、ハロゲン原子、炭素数１～１２のハロアルキル基又は炭素数１～１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、置換基を有してもよく、該ハロアルキル基及び該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
ｍ２は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ２が２以上のとき、複数のＲ
２
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｚ
＋
は、有機カチオンを表す。］
TIFF
2025159717000004.tif
21
56
［式（１ａ）中、
Ｒ
ａａ１
、Ｒ
ａａ２
及びＲ
ａａ３
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～２０の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらの基を組み合わせた基を表すか、又はＲ
ａａ１
及びＲ
ａａ２
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の脂環式炭化水素基を形成し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
＊は結合部位を表す。］
TIFF
2025159717000005.tif
21
61
［式（２ａ）中、
Ｒ
ａａ１’
及びＲ
ａａ２’
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
ａａ３’
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、又はＲ
ａａ２’
及びＲ
ａａ３’
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｘ
ａ
－とともに炭素数３～２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよく、該炭化水素基及び該複素環基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｘ
a
は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合部位を表す。］
［２］Ｒ
１０
が、水素原子、式（１ａ）で表される基又は式（２ａ）で表される基である［１］に記載のレジスト組成物。
［３］式（Ｉ）で表される塩の含有量が、前記樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上４０質量部以下である［１］又は［２］に記載のレジスト組成物。
［４］Ｒ
【発明の効果】
【０００６】
本発明の塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも１種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の記載も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
Ｘ
－（Ｘは任意の符号）又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により－Ｃ－Ｃ－基（単結合）となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。「酸不安定基」とは、酸（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等）を形成する基を意味する。「塩基不安定基」とは、塩基（例えば、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等）を形成する基を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００８】
〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、式（Ｉ）で表される塩（以下「塩（Ｉ）」という場合がある。）を含有する酸発生剤と、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（以下、樹脂（Ａ）という場合がある。）と、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある。）とを含有する。ここで、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構成単位が親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等）を有する構成単位に変換する基を意味する。また、クエンチャーとしては、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等が挙げられる。
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂、塩（Ｉ）以外の酸発生剤を含有していてもよく、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。
【０００９】
〔酸発生剤〕
本発明における酸発生剤は、塩（Ｉ）を含有する。
＜式（Ｉ）又は式(Ｉ’)で表される塩＞
本発明は、式（Ｉ）で表される塩（以下「塩（Ｉ）」という場合がある）又は式（Ｉ’）で表される塩（以下、「塩（Ｉ’）」という場合がある。）に関する。
塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。また、塩（Ｉ’）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ’）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ’）」と称することがある。
TIFF
2025159717000014.tif
36
79
TIFF
2025159717000015.tif
36
84
［式中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
【００１０】
（アニオン（Ｉ）及びアニオン(Ｉ’)）
Ｒ
１０
におけるＬ
１
のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基の炭素数は、好ましくは１～４であり、より好ましくは１～３であり、さらに好ましくは１又は２である。
アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－が、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わった基としては、Ｒ
２
の炭化水素基のうちアルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－が、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わった基として例示する基と同様の基が挙げられる。
Ｌ
１
としては、単結合又は炭素数１～４のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）であることが好ましく、単結合又は炭素数１～３のアルカンジイル基（該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）であることがより好ましく、単結合、＊－ＣＯ－Ｏ－又は＊－ＣＨ
2
－ＣＯ－Ｏ－（＊は、酸素原子との結合部位を表す。）であることがさらに好ましい。
Ｒ
１０
におけるＲ
１１
の式（１ａ）で表される基（以下、場合により「酸不安定基（１ａ）」という。）及び式（２ａ）で表される基（以下、場合により「酸不安定基（２ａ）」という。）は、以下の通りである。
TIFF
2025159717000016.tif
21
56
［式（１ａ）中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
TIFF
2025159717000017.tif
21
61
［式（２ａ）中、全ての符号は、それぞれ前記と同じ意味を表す。］
（【００１１】以降は省略されています）

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