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公開番号2025155970
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2025034457
出願日2025-03-05
発明の名称積層体の製造方法および積層体
出願人ダイキン工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】新たな積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】2つのシリコン基板を含む積層体の製造方法であって、
(a)表面の少なくとも一部に第1導電性領域を有する第1シリコン基板と、第2シリコン基板とを準備すること、および
(b)前記第1シリコン基板の前記第1導電性領域を含む面と前記第2シリコン基板とを接着層で接合すること
を含み、
前記接着層は、前記第1シリコン基板の前記第1導電性領域を含む面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第1活性化領域上に、前記第1活性化領域と反応可能な第1有機系材料に由来する第1反応生成物を含む、
導電性を有する積層体の製造方法。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
２つのシリコン基板を含む積層体の製造方法であって、
（ａ）表面の少なくとも一部に第１導電性領域を有する第１シリコン基板と、第２シリコン基板とを準備すること、および
（ｂ）前記第１シリコン基板の前記第１導電性領域を含む面と前記第２シリコン基板とを接着層で接合すること
を含み、
前記接着層は、前記第１シリコン基板の前記第１導電性領域を含む面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第１活性化領域上に、前記第１活性化領域と反応可能な第１有機系材料に由来する第１反応生成物を含む、
導電性を有する積層体の製造方法。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記第１導電性領域は、金属を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１導電性領域の前記金属は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つである、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１導電性領域の表面は、露出している、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１導電性領域の表面は、少なくとも一部が前記接着層と接触している、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記接着層は、２層以上から形成される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１活性化領域は、前記第１導電性領域の少なくとも一部および前記第１シリコン基板の少なくとも一部に設けられ、
前記第１導電性領域は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、
前記接着層は、前記第１活性化領域と接触し、
前記接着層の厚みは、５ｎｍ以下である、
請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
さらに、
前記第２シリコン基板は、表面の少なくとも一部に第２導電性領域を有し、
前記接着層は、前記第２シリコン基板の前記第２導電性領域側の面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第２活性化領域上に設けられ、第２有機系材料に由来する第２反応生成物を含む、
請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電性領域は、金属を含む、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２導電性領域の前記金属は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つである、請求項８に記載の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の製造方法および積層体に関する。
続きを表示（約 2,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体技術の分野において、例えば、特許文献１において、２つのシリコン基板を接合する方法として、シリコン基板間に接着層を設けることが検討されてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／２７６６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の課題は、新たな積層体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本開示は、以下の［１］～［２３］を提供する。
［１］
２つのシリコン基板を含む積層体の製造方法であって、
（ａ）表面の少なくとも一部に第１導電性領域を有する第１シリコン基板と、第２シリコン基板とを準備すること、および
（ｂ）前記第１シリコン基板の前記第１導電性領域を含む面と前記第２シリコン基板とを接着層で接合すること
を含み、
前記接着層は、前記第１シリコン基板の前記第１導電性領域を含む面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第１活性化領域上に、前記第１活性化領域と反応可能な第１有機系材料に由来する第１反応生成物を含む、
導電性を有する積層体の製造方法。
［２］
前記第１導電性領域は、金属を含む、［１］に記載の製造方法。
［３］
前記第１導電性領域の前記金属は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つである、［２］に記載の製造方法。
［４］
前記第１導電性領域の表面は、露出している、［１］～［３］のいずれか１つに記載の製造方法。
［５］
前記第１導電性領域の表面は、少なくとも一部が前記接着層と接触している、［１］～［３］のいずれか１つに記載の製造方法。
［６］
前記接着層は、２層以上から形成される、［１］～［５］のいずれか１つに記載の製造方法。
［７］
前記第１活性化領域は、前記第１導電性領域の少なくとも一部および前記第１シリコン基板の少なくとも一部に設けられ、
前記第１導電性領域は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、
前記接着層は、前記第１活性化領域と接触し、
前記接着層の厚みは、５ｎｍ以下である、
［１］～［６］のいずれか１つに記載の製造方法。
［８］
さらに、
前記第２シリコン基板は、表面の少なくとも一部に第２導電性領域を有し、
前記接着層は、前記第２シリコン基板の前記第２導電性領域側の面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第２活性化領域上に設けられ、第２有機系材料に由来する第２反応生成物を含む、
［１］～［７］のいずれか１つに記載の積層体の製造方法。
［９］
前記第２導電性領域は、金属を含む、［８］に記載の製造方法。
［１０］
前記第２導電性領域の前記金属は、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つである、［８］又は［９］に記載の製造方法。
［１１］
前記第２導電性領域の表面は、露出している、［８］～［１０］のいずれか１つに記載の製造方法。
［１２］
前記第２導電性領域の表面は、少なくとも一部が前記接着層と接触している、［８］～［１１］のいずれか１つに記載の製造方法。
［１３］
前記第１導電性領域と前記第２導電性領域との間の距離は、５ｎｍ以下である、［８］～［１２］のいずれか１つに記載の製造方法。
［１４］
前記接着層の厚みは、５ｎｍ以下である、［１］～［１３］のいずれか１つに記載の製造方法。
［１５］
前記第１活性化領域は、前記第１導電性領域の少なくとも一部および前記第１シリコン基板の少なくとも一部に設けられ、
前記第２活性化領域は、前記第２導電性領域の少なくとも一部および前記第２シリコン基板の少なくとも一部に設けられ、
前記第１導電性領域および前記第２導電性領域は、それぞれ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｗ、ＲｕおよびＨｆよりなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、
前記接着層は、前記第１活性化領域および前記第２活性化領域と接触し、
前記第１導電性領域と前記第２導電性領域との間の距離は、５ｎｍ以下である、
［８］～［１４］のいずれか１つに記載の製造方法。
［１６］
表面の少なくとも一部に第１導電性領域を有する第１シリコン基板と、
【発明の効果】
【０００６】
本開示によると、新たな積層体およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態における積層体の一部を示す概略模式断面図を示す。
第１実施形態における積層体の一部を示す概略模式断面図を示す。
第１実施形態における積層体の一部を示す概略模式断面図を示す。
第２実施形態における積層体の一部を示す概略模式断面図を示す。
変形例における積層体の一部を示す概略模式断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示の実施形態について、図面を参照しながら以下に詳述するが、本開示はこれら実施形態に限定されない。
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１Ａ，図１Ｂ，図１Ｃは、第１実施形態における積層体４０の断面の一部を模式的に示す断面図である。図１Ａ，図１Ｂ，図１Ｃに示すように、積層体４０は、第１シリコン基板１０と第２シリコン基板２０とを有する。図１Ａ，図１Ｃに示すように、第１シリコン基板１０と第２シリコン基板２０との間に接着層３０が位置する。図１Ａ，図１Ｃに示すように、第１導電性領域１５と第２導電性領域２５とは、接着層３０を介して接合する。
【００１０】
図１Ａ～図１Ｃに示すように、上記積層体４０は、以下の工程を含む製造方法により得ることができる。
（ａ）表面の少なくとも一部に第１導電性領域１５を有する第１シリコン基板１０と、第２シリコン基板２０とを準備すること、および
（ｂ）前記第１シリコン基板１０の前記第１導電性領域１５側の面と前記第２シリコン基板２０とを接着層３０で接合すること
を含み、
前記接着層３０は、前記第１シリコン基板１０の前記第１導電性領域１５を含む面の、少なくとも一部を活性化して設けられた第１活性化領域１５ａ上に、前記第１活性化領域１５ａと反応可能な第１有機系材料に由来する第１反応生成物を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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