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公開番号2025155954
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2025031668
出願日2025-02-28
発明の名称偏光積層体
出願人住友化学株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G02B 5/30 20060101AFI20251002BHJP(光学)
要約【課題】耐久性に優れた偏光積層体を提供する。
【解決手段】偏光積層体は、直線偏光子、第二貼合層、第一液晶位相差層、第一貼合層、及び、第二液晶位相差層をこの順に備える。第一液晶位相差層及び第二液晶位相差層の少なくとも一方又は両方がSi原子を含む。Si原子を含む液晶位相差層の少なくとも1つにおける前記第一貼合層側の表面のSi原子の原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から偏光積層体の積層方向に10nm地点のSi原子の原子濃度よりも大きい。第二貼合層の23℃、1Hzにおける貯蔵弾性率が0.03MPa以上である。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
直線偏光子、第二貼合層、第一液晶位相差層、第一貼合層、及び、第二液晶位相差層をこの順に備える偏光積層体であって、
前記第一液晶位相差層及び前記第二液晶位相差層の少なくとも一方又は両方がＳｉ原子を含み、
Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度よりも大きく、
前記第二貼合層の２３℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上である、偏光積層体。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、請求項１に記載の偏光積層体。
【請求項３】
Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％未満である、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項４】
前記第一液晶位相差層及び前記第二液晶位相差層の両方がＳｉ原子を含有する、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項５】
前記第一貼合層がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含有する、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項６】
前記第一貼合層がＳｉ原子を含有する、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項７】
下記式（１）及び（２）の関係を満たす、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
１００≦Ｒｅ（５５０）≦１８０（１）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００（２）
［式（１）及び式（２）中、
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する偏光積層体の面内位相差値ｎｍを表し、
Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する偏光積層体の面内位相差値ｎｍを表す。］
【請求項８】
前記直線偏光子と、前記第二貼合層との間にさらに保護層を備え、前記保護層の厚みが３０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項９】
前記直線偏光子の視感度補正透過率Ｔｙが４１．５％以上である、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
【請求項１０】
前記第二液晶位相差層の前記第一貼合層とは反対側にさらに外側粘着剤層を含み、前記外側粘着剤層がシラン化合物を含む、請求項１又は２に記載の偏光積層体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は偏光積層体に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来より、直線偏光子、貼合層、第一液晶位相差層、及び、第二液晶位相差層をこの順に備える偏光積層体が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１５１８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の偏光積層体において、クロスハッチ試験における耐久性に改善の余地がある。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れた偏光積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］直線偏光子、第二貼合層、第一液晶位相差層、第一貼合層、及び、第二液晶位相差層をこの順に備える偏光積層体であって、
前記第一液晶位相差層及び前記第二液晶位相差層の少なくとも一方又は両方がＳｉ原子を含み、
Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度よりも大きく、
前記第二貼合層の２３℃、１Ｈｚにおける貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上である、偏光積層体。
［２］Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、［１］に記載の偏光積層体。
［３］Ｓｉ原子を含む液晶位相差層の少なくとも１つにおける前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％未満である、［１］又は［２］に記載の偏光積層体。
［１Ａ］各Ｓｉ原子を含む液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が、前記液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度よりも大きい、［１］の光学積層体。
［２Ａ］各Ｓｉ原子を含む液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、［１Ａ］に記載の偏光積層体。
［３Ａ］各Ｓｉ原子を含む液晶位相差層における前記第一貼合層側の表面から前記偏光積層体の積層方向に１０ｎｍ地点のＳｉ原子の原子濃度が０．５ａｔ％未満である、［１Ａ］又は［２Ａ］に記載の偏光積層体。
［４］前記第一液晶位相差層及び前記第二液晶位相差層の両方がＳｉ原子を含有する、［１］～［３］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［５］前記第一貼合層がＦ原子及び／又はＳｉ原子を含有する、［１］～「３」のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［６］前記第一貼合層がＳｉ原子を含有する、［１］～［５］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［７］下記式（１）及び（２）の関係を満たす、［１］～［６］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
１００≦Ｒｅ（５５０）≦１８０（１）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．００（２）
［式（１）及び式（２）中、
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する偏光積層体の面内位相差値ｎｍを表し、
Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する偏光積層体の面内位相差値ｎｍを表す。］
［８］前記直線偏光子と、前記第二貼合層との間にさらに保護層を備え、前記保護層の厚みが３０μｍ以下である、［１］～［７］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［９］前記直線偏光子の視感度補正透過率Ｔｙが４１．５％以上である、［１］～［８］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［１０］前記第二液晶位相差層の前記第一貼合層とは反対側にさらに外側粘着剤層を含み、前記外側粘着剤層がシラン化合物を含む、［１］～［９］のいずれか一項に記載の偏光積層体。
［１１］［１］又は［２］に記載の偏光積層体と、画像表示セルと、を備える画像表示装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、耐久性に優れた偏光積層体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、偏光積層体４００の一実施形態を示す概略断面図である。
図２は、偏光積層体４００の他の一実施形態を示す概略断面図である。
図３は、光学積層体１００の一実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（偏光積層体（円偏光板）４００）
実施形態にかかる偏光積層体４００は、図１に示すように、偏光板２００、第二貼合層１５０、及び、位相差層積層体３００を備え、円偏光板として機能しうる。
【００１０】
（偏光板２００）
偏光板２００は、直線偏光子２２０、及び、直線偏光子２２０の一方面に設けられた第一保護層１８０及び反対面に設けられた第二保護層１９０を有している。なお、保護層はいずれか一方面側のみに設けられていてもよい。本実施形態では、第二貼合層１５０側を第二保護層１９０とし、第二貼合層１５０とは反対側を第一保護層１８０とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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