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公開番号2025130555
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-08
出願番号2024027797
出願日2024-02-27
発明の名称半導体結晶ウェハの製造装置
出願人有限会社サクセス
代理人弁護士法人滝田三良法律事務所
主分類B28D 7/04 20060101AFI20250901BHJP(セメント,粘土,または石材の加工)
要約【課題】高精度なウェハが得られる半導体結晶ウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】半導体結晶インゴットWを保持する保持装置1と、半導体結晶インゴットWに対してスラリーを供給すると共に複数のワイヤーソー7を無端回動させつつ半導体結晶インゴットWの軸線に直交する方向に進行させて半導体結晶インゴットWを切断する切断装置2とを備える。保持装置1は、スライス用ベース3を介して半導体結晶インゴットWを保持する。スライス用ベース3は、半導体結晶インゴットWの軸線に沿って半導体結晶インゴットWの外周面に接着してワイヤーソーが半導体結晶インゴットWと共に切り込み可能となる保持ブロック8と、保持ブロック8から半導体結晶インゴットWの径方向に沿って延設されて、半導体結晶インゴットWの軸線方向の両端面に接着する保持片9とを備える。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
円柱状の半導体結晶インゴットから輪切り状にスライスしてウェハを製造する半導体結晶ウェハの製造装置において、
前記半導体結晶インゴットを保持する保持装置と、前記保持装置に保持された半導体結晶インゴットに対してスラリーを供給すると共に複数のワイヤーソーを無端回動させつつ前記半導体結晶インゴットの軸線に直交する方向に進行させて半導体結晶インゴットを切断する切断装置とを備え、
前記保持装置は、スライス用ベースを介して前記半導体結晶インゴットを保持し、
前記スライス用ベースは、前記半導体結晶インゴットの軸線に沿って前記半導体結晶インゴットの外周面に接着して前記ワイヤーソーが前記半導体結晶インゴットと共に切り込み可能となる保持ブロックと、前記保持ブロックから前記半導体結晶インゴットの径方向に沿って延設されて、前記半導体結晶インゴットの軸線方向の両端面に接着する保持片とを備えることを特徴とする半導体結晶ウェハの製造装置。
続きを表示（約 160 文字）【請求項２】
前記保持ブロックは、前記半導体結晶インゴットに接触して接着する接触部と、前記接触部における前記半導体結晶インゴットの周方向の両側に形成された一対の側面部とを備え、
両側面部は、前記半導体結晶インゴット側で互いに交差する方向に傾斜していることを特徴とする請求項１記載の半導体結晶ウェハの製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、円柱状の半導体結晶インゴットから輪切り状にスライスしてウェハを製造する半導体結晶ウェハの製造装置に関する。
続きを表示（約 950 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体結晶ウェハであるＳｉＣウェハは、結晶成長させた単結晶ＳｉＣの塊を円柱状のインゴットに加工した後、単結晶ＳｉＣのインゴットをスライスすることにより製造される（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
従来、インゴットのスライスは、ワイヤーソーを備える切断装置を用いることが知られている（例えば、下記特許文献２参照）。
【０００４】
この種の切断装置によってスライスされるインゴットは、保持装置によって保持される。保持装置は、スライス用ベースを介してインゴットを保持する。スライス用ベースは、インゴットに分離可能に接着された状態で設けられる。
【０００５】
インゴットを切り進んだワイヤーソーは、スライス用ベースにも切り込んでいく。これにより、インゴットに切残りが生じることなく輪切りにされて、薄板状のウェハが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２０－１５６４６号公報
特開２０２３－１６９６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、インゴットを切り進んでインゴットに接着されスライス用ベースに達したワイヤーソーは、スライス用ベースに接し、更にインゴットと共にスライス用ベースに切り込んでいく。
【０００８】
このとき、ワイヤーソーによる切断位置に供給されるスラリーが、スライス用ベースの側面に弾かれるように流下してしまい、ワイヤーソーと一緒に切断部分に侵入するスラリー量が少なくなる。
【０００９】
このため、ウェハの切断面は、スライス用ベースに達する前にインゴット単独で切断された部分の切断面に比べて、スライス用ベースと共に切断された部分の切断面が粗くなり、高精度なウェハが得られない不都合があった。
【００１０】
上記の点に鑑み、本発明は、高精度なウェハが得られる半導体結晶ウェハの製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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