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公開番号2025119282
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-14
出願番号2024014080
出願日2024-02-01
発明の名称発光素子及び外観検査方法
出願人日機装株式会社
代理人弁理士法人平田国際特許事務所
主分類H10H 20/00 20250101AFI20250806BHJP()
要約【課題】外観検査が容易な発光素子及び外観検査方法を提供する。
【解決手段】発光素子1は、n型半導体層23と、n型半導体層23上に形成された活性層24と、活性層24上に形成されたp型半導体層25と、p型半導体層25上に形成されたp側電極3と、n型半導体層23上に形成されたn側電極4と、を備える。p側電極3及びn側電極4の少なくとも一方には、発光素子1を上側及び下側のいずれから見ても観測可能な観測孔40が形成されている。外観検査方法は、発光素子1を上側及び下側のそれぞれから見たときに確認される欠陥の大きさと観測孔40の大きさとの対比から、発光素子1を評価する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型半導体層上に形成されたｎ側電極と、を備える発光素子であって、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の少なくとも一方には、前記発光素子を上側及び下側のいずれから見ても観測可能な観測孔が形成されている、
発光素子。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記観測孔は、前記ｎ側電極に形成されている、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記ｐ側電極は、前記ｐ型半導体層に接触するｐ側コンタクト電極と、前記ｐ側コンタクト電極上に形成されたｐ側パッド電極とを備え、
前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層に接触するｎ側コンタクト電極と、前記ｎ側コンタクト電極上に形成されたｎ側パッド電極とを備え、
上下方向から見たとき、前記ｐ側コンタクト電極と前記ｎ側コンタクト電極とは互いに間隔をあけて形成されており、
上下方向から見たとき、前記観測孔は、前記ｎ側コンタクト電極の前記ｐ側コンタクト電極側の端縁から、前記間隔よりも大きく離れた位置に形成されている、
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ｐ側電極は、前記活性層から発される光を反射する反射電極を有する、
請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項５】
上下方向に直交する前記観測孔の断面形状は、円形である、
請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項６】
上下方向に直交する前記観測孔の断面形状は、一方向に長尺な形状である、
請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光素子は、実装基板に実装される側と反対側から見たとき、前記観測孔を除く部位が回転対称形状を有し、
前記観測孔は、前記発光素子を前記実装基板に実装される側と反対側から見たとき、前記発光素子を回転非対称形状とするよう形成されている、
請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項８】
前記観測孔は、前記実装基板に実装される側と反対側から見たときの前記発光素子の中央位置からずれた位置に形成されている、
請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
発光素子の不良の有無を外観検査する外観検査方法であって、
前記発光素子は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型半導体層上に形成されたｎ側電極と、を備え、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の少なくとも一方には、前記発光素子を上側及び下側のいずれから見ても観測可能な観測孔が形成されており、
前記発光素子を上側及び下側のそれぞれから見たときに確認される欠陥の大きさと前記観測孔の大きさとの対比から、前記発光素子を評価する、
外観検査方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び外観検査方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発光装置の外観検査方法が開示されている。特許文献１に記載の外観検査方法においては、発光装置を発光させたときの周囲の明るさに応じて、発光装置の欠陥の有無を判断している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－２０９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の外観検査方法においては、発光装置に通電して発光させなければ欠陥の有無が判断できない。
【０００５】
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、外観検査が容易な発光素子及び外観検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記の目的を達成するため、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型半導体層上に形成されたｎ側電極と、を備える発光素子であって、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の少なくとも一方には、前記発光素子を上側及び下側のいずれから見ても観測可能な観測孔が形成されている、発光素子を提供する。
【０００７】
本発明は、前記の目的を達成するため、発光素子の不良の有無を外観検査する外観検査方法であって、前記発光素子は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ側電極と、前記ｎ型半導体層上に形成されたｎ側電極と、を備え、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の少なくとも一方には、前記発光素子を上側及び下側のいずれから見ても観測可能な観測孔が形成されており、前記発光素子を上側及び下側のそれぞれから見たときに確認される欠陥の大きさと前記観測孔の大きさとの対比から、前記発光素子を評価する、外観検査方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、外観検査が容易な発光素子及び外観検査方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１の実施の形態における、発光素子の平面図である。
第１の実施の形態における、発光素子の底面図である。
図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線矢視断面図である。
第１の実施の形態における、第１中間体の断面図である。
第１の実施の形態における、第２中間体の断面図である。
第１の実施の形態における、第３中間体の断面図である。
第１の実施の形態における、第４中間体の断面図である。
第１の実施の形態における、第５中間体の断面図である。
第２の実施の形態における、発光素子の平面図である。
第３の実施の形態における、発光素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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