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公開番号2025102688
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2024211886
出願日2024-12-05
発明の名称キャリア基板、及びそれを利用した半導体パッケージの製造方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人ITOH
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250701BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】キャリア基板、及びそれを利用した半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリア基板は、互いに反対になる第1面及び第2面を含むメイン層と、第1面上の第1トレンチと、第1トレンチ内の第1有機パターンと、を含むことを特徴とする。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
互いに反対になる第１面及び第２面と、
前記第１面及び前記第２面を含むメイン層と、
前記第１面上の第１トレンチと、
前記第１トレンチ内の第１有機パターンと、を含むことを特徴とする、キャリア基板。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記メイン層の熱膨張係数は、前記第１有機パターンの熱膨張係数より小さいことを特徴とする、請求項１に記載のキャリア基板。
【請求項３】
前記メイン層の熱膨張係数は、前記第１有機パターンの熱膨張係数より大きいことを特徴とする、請求項１に記載のキャリア基板。
【請求項４】
前記第２面上の第２トレンチと、
前記第２トレンチ内の第２有機パターンと、をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のキャリア基板。
【請求項５】
前記第１有機パターン及び前記第２有機パターンは、互いに異なる物質を含むことを特徴とする、請求項４に記載のキャリア基板。
【請求項６】
前記メイン層の熱膨張係数は、前記第２有機パターンの熱膨張係数より小さいことを特徴とする、請求項４に記載のキャリア基板。
【請求項７】
平面視において、前記第１トレンチは、格子形状であることを特徴とする、請求項１に記載のキャリア基板。
【請求項８】
平面視において、前記第１トレンチは、同心円形状であることを特徴とする、請求項１に記載のキャリア基板。
【請求項９】
キャリア基板を提供する段階と、
前記キャリア基板上に半導体チップを配する段階と、
前記半導体チップと電気的に連結される再配線層を形成する段階と、を含み、
前記キャリア基板は、
互いに反対になる第１面及び第２面と、
前記第１面及び前記第２面を含むメイン層と、
前記第１面上の第１トレンチと、
前記第１トレンチ内の第１有機パターンと、を含むことを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記メイン層の熱膨張係数は、前記第１有機パターンの熱膨張係数より小さいことを特徴とする、請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア基板、及びそれを利用した半導体パッケージの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
これまで数十年の間、技術、素材及び製造工程の見出しにより、コンピューティングパワーと無線通信技術とが急速に発展してきた。それにより、高性能トランジスタの直接具現化が可能になり、集積化の速度は、ムーアの法則により、約１８ヵ月ごとに２倍で増大した。システムの軽薄短小化及び電力効率化は、半導体製造業の永続的な目標であり、経済的、物理的な工程限界に至った現時点においては、三次元集積パッケージングが有効な解決手段として提示されている。
【０００３】
三次元的に集積された装置の開発は、１９８０年に提示されたＣＭＯＳ（complementary metal-oxide-semiconductor）集積素子から始まり、その後、３０年の持続的な研究開発を介して発展してきた。三次元集積技術の例として、ロジック回路とメモリ回路との集積、センサパッケージング、ＭＥＭＳ（micro-electromechanical system）とＣＭＯＳとの異種集積などがある。三次元集積技術は、フォームファクタの低減だけではなく、高信頼性、低電力消費及び低製造コストの達成を可能とする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、性能及び信頼性が向上されたキャリア基板を提供することである。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、また性能及び信頼性が向上された半導体パッケージの製造方法を提供することである。
【０００６】
本発明の技術的思想が解決しようとする課題は、以上で言及された課題に制限されるものではなく、言及されていない他の課題は、以下の記載から、当業者に明確に理解されうるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の技術的思想による実施形態により、キャリア基板が提供される。前記キャリア基板は、互いに反対となる第１面及び第２面を含むメイン層と、前記第１面上の第１トレンチと、前記第１トレンチ内の第１有機パターンと、を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の技術的思想による実施形態により、半導体パッケージの製造方法が提供される。前記半導体パッケージの製造方法は、キャリア基板を提供する段階と、前記キャリア基板上に半導体チップを配する段階と、前記半導体チップと電気的に連結される再配線層を形成する段階と、を含み、前記キャリア基板は、互いに反対となる第１面及び第２面と、前記第１面及び前記第２面を含むメイン層と、前記第１面上の第１トレンチと、前記第１トレンチ内の第１有機パターンと、を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の技術的思想による実施形態により、半導体パッケージの製造方法が提供される。前記半導体パッケージの製造方法は、キャリア基板を提供する段階と、前記キャリア基板の前面上に、再配線絶縁層、及び前記再配線絶縁層に取り囲まれる再配線パターンを含む再配線層を形成する段階と、前記再配線パターンと電気的に連結されるように、前記再配線層上に半導体チップを配する段階と、を含み、前記キャリア基板は、前記前面、及び前記前面と反対になる背面と、前記背面及び前記前面を含むメイン層と、前記前面上の前面トレンチと、前記前面トレンチ内の前面有機パターンと、を含み、前記メイン層の熱膨張係数は、前記前面有機パターンの熱膨張係数より小さく、前記メイン層の前記熱膨張係数は、前記再配線絶縁層の熱膨張係数より小さいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の技術的思想による実施形態により、撓みが改善されたキャリア基板が提供されうる。
（【００１１】以降は省略されています）

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