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公開番号2025101201
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-07
出願番号2023217866
出願日2023-12-25
発明の名称基板処理方法および基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250630BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】エッチング対象をエッチングするときに基板に供給される液体に含まれる成分の使用量を削減しながら、隙間の外および中に配置されたエッチング対象をエッチングすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、端面55eと、幅が深さよりも小さく端面55eで開口した隙間55を形成する内面55iと、隙間55の外に配置された外側部と隙間55の中に配置された内側部54iとを含むエッチング対象54と、を含む基板Wにエッチング液を供給することにより、外側部をエッチングする外側エッチング工程と、エッチング対象54の外側部をエッチングした後に、エッチング液よりも表面張力が小さい低表面張力液が溶解したエッチング液である混合エッチング液を基板Wに供給することにより、隙間55に入った混合エッチング液で内側部54iをエッチングする内側エッチング工程とを含む。
【選択図】図3D-F
特許請求の範囲【請求項１】
端面と、幅が深さよりも小さく前記端面で開口した隙間を形成する内面と、前記隙間の外に配置された外側部と前記隙間の中に配置された内側部とを含むエッチング対象と、を含む基板にエッチング液を供給することにより、前記エッチング対象の前記外側部をエッチングする外側エッチング工程と、
前記エッチング対象の前記外側部をエッチングした後に、前記エッチング液よりも表面張力が小さい低表面張力液が溶解した前記エッチング液である混合エッチング液を前記基板に供給することにより、前記隙間に入った前記混合エッチング液で前記エッチング対象の前記内側部をエッチングする内側エッチング工程と、を含む、基板処理方法。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記内側エッチング工程は、前記エッチング対象の前記外側部の全てをエッチングした後に、前記混合エッチング液を前記基板に供給する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記内側エッチング工程は、前記基板に供給すべき前記混合エッチング液における前記低表面張力液の濃度を変化させる工程を含む、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記低表面張力液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記エッチング対象の前記内側部をエッチングした後に、水を含むリンス液を前記基板に供給することにより、前記基板に接する前記混合エッチング液を前記リンス液で洗い流すリンス液供給工程をさらに含む、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記基板は、互いに離れた状態で前記基板の厚み方向に積み重ねられた２つのチャネルと、互いに離れた状態で前記２つのチャネルにそれぞれ接する２つのゲート絶縁膜と、を含み、
前記２つのゲート絶縁膜の表面は、前記隙間を形成している、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項７】
端面と、幅が深さよりも小さく前記端面で開口した隙間を形成する内面と、前記隙間の外に配置された外側部と前記隙間の中に配置された内側部とを含むエッチング対象と、を含む基板にエッチング液を供給することにより、前記エッチング対象の前記外側部をエッチングするエッチング液ノズルと、
前記エッチング対象の前記外側部をエッチングした後に、前記エッチング液よりも表面張力が小さい低表面張力液が溶解した前記エッチング液である混合エッチング液を前記基板に供給することにより、前記隙間に入った前記混合エッチング液で前記エッチング対象の前記内側部をエッチングする、前記エッチング液ノズルと同一または異なる混合エッチング液ノズルと、を備える、基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、トレンチ構造を有する基板に対してエッチング処理を施すための基板処理液を開示している。特許文献１の段落００１９には「金属（本実施形態ではＴｉ）のイオンと錯体を形成するアニオンを含む錯体形成剤を添加するとともに基板処理液のｐＨを１以上かつ６以下に調整することで、エッチャントの量を高めるとともに当該エッチャントをトレンチ構造の内部、つまり狭所空間１２ｆに効率的に侵入させることができる。」との記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－１２３９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、エッチング処理を開始してから終了するまで同じ成分の基板処理液を供給し続けている。
【０００５】
本発明の１つの目的は、エッチング対象をエッチングするときに基板に供給される液体に含まれる成分の使用量を削減しながら、隙間の外および中に配置されたエッチング対象をエッチングすることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、端面と、幅が深さよりも小さく前記端面で開口した隙間を形成する内面と、前記隙間の外に配置された外側部と前記隙間の中に配置された内側部とを含むエッチング対象と、を含む基板にエッチング液を供給することにより、前記エッチング対象の前記外側部をエッチングする外側エッチング工程と、前記エッチング対象の前記外側部をエッチングした後に、前記エッチング液よりも表面張力が小さい低表面張力液が溶解した前記エッチング液である混合エッチング液を前記基板に供給することにより、前記隙間に入った前記混合エッチング液で前記エッチング対象の前記内側部をエッチングする内側エッチング工程と、を含む、基板処理方法を提供する。
【０００７】
前記実施形態において、以下の特徴の少なくとも１つを前記基板処理方法に加えてもよい。
【０００８】
前記内側エッチング工程は、前記エッチング対象の前記外側部の全てをエッチングした後に、前記混合エッチング液を前記基板に供給する工程を含む。
【０００９】
前記内側エッチング工程は、前記基板に供給すべき前記混合エッチング液における前記低表面張力液の濃度を変化させる工程を含む。
【００１０】
前記低表面張力液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。
（【００１１】以降は省略されています）

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