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公開番号2025098797
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-02
出願番号2023215169
出願日2023-12-20
発明の名称基板処理装置、基板処理方法、及び物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人近島国際特許事務所
主分類F26B 5/04 20060101AFI20250625BHJP(乾燥)
要約【課題】複数種の溶媒が塗布された基板の乾燥処理に有利な技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、飽和蒸気圧が互いに異なる複数種の溶媒が塗布された基板が内部に搬送される気密容器と、前記気密容器の前記内部を減圧する減圧機構と、前記減圧機構に前記気密容器の前記内部を減圧させた減圧環境下で、前記気密容器の前記内部に配置された前記基板に塗布された前記複数種の溶媒を蒸発させる乾燥処理を実行可能な制御部と、を備える。前記制御部は、前記乾燥処理において、前記気密容器の前記内部に導入される第1ガスの流量、及び前記気密容器の前記内部に導入される、前記第1ガスよりも分子量が小さい第2ガスの流量を独立して制御するよう構成されている。前記第1ガス及び前記第2ガスは、いずれも25℃及び1気圧の環境下において気体として存在する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
飽和蒸気圧が互いに異なる複数種の溶媒が塗布された基板が内部に搬送される気密容器と、
前記気密容器の前記内部を減圧する減圧機構と、
前記減圧機構に前記気密容器の前記内部を減圧させた減圧環境下で、前記気密容器の前記内部に配置された前記基板に塗布された前記複数種の溶媒を蒸発させる乾燥処理を実行可能な制御部と、を備え、
前記制御部は、前記乾燥処理において、前記気密容器の前記内部に導入される第１ガスの流量、及び前記気密容器の前記内部に導入される、前記第１ガスよりも分子量が小さい第２ガスの流量を独立して制御するよう構成され、
前記第１ガス及び前記第２ガスは、いずれも２５℃及び１気圧の環境下において気体として存在する、
ことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
前記制御部は、前記気密容器の前記内部に導入される前記第１ガス及び前記第２ガスの比率を、前記乾燥処理の進行に応じて変化させる、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記乾燥処理の進行に応じて前記第２ガスの割合が高くなるように前記比率を変化させる、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記比率を、前記気密容器の前記内部の圧力を計測する圧力計の計測結果に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記圧力計が示す圧力値の、単位時間当たりの低下量に応じて、前記第２ガスの割合が増加するように前記比率を決定する、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記比率を、前記基板から蒸発した前記複数種の溶媒のそれぞれの溶媒蒸気の分圧を測定するガス分析計の測定結果に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記比率を、前記基板を撮像する撮像装置の撮像結果に基づいて決定する、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記比率は、前記第１ガスの体積流量と前記第２ガスの体積流量との比率である、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記複数種の溶媒は、第１溶媒と、前記第１溶媒よりも飽和蒸気圧が低い第２溶媒と、を含み、
前記制御部は、前記乾燥処理において、前記気密容器の前記内部を、１気圧より低く、かつ前記第１溶媒の飽和蒸気圧より高い第１圧力に制御する第１処理を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１処理において、前記制御部は、前記第１ガス及び前記第２ガスの合計の流量を一定に制御する、
ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板を処理する技術に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であるＯＬＥＤ（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）を有するパネル（有機ＥＬパネル）などの物品を製造する際に、基板の上の所望の箇所に例えばインクジェット装置を用いて溶媒膜や溶液膜を塗布する方法が知られている。溶媒膜は、溶媒で構成される膜であり、溶液膜は、溶質と溶媒とを含む溶液で構成される膜である。基板の上に溶媒を塗布して基板の表面を乾燥させることで、基板の処理がなされる。また、基板の上に溶液を塗布して溶液膜を乾燥させることで、溶質の膜（層）を形成する基板の処理がなされる。溶液膜の乾燥には、基板処理装置である減圧乾燥装置が用いられる。
【０００３】
特許文献１には、基板処理中に、基板の周囲に、溶液膜に含まれる溶媒と同一の溶媒蒸気を含むガスを供給することにより、溶液膜の乾燥速度を制御することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－１８５９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板上に塗布される溶媒、又は基板上に塗布される溶液に含まれる溶媒は、特許文献１に記載されているような単独の溶媒であるとは限らず、飽和蒸気圧が互いに異なる複数種の溶媒の場合もある。しかし、特許文献１には、複数種の溶媒が基板の上に塗布される場合については、開示されていない。複数種の溶媒が基板の上に塗布される場合、飽和蒸気圧が高い溶媒から乾燥が進行していくため、基板の周辺雰囲気の溶媒蒸気の比率は変化し続け、溶媒又は溶液の乾燥速度が変化する。この乾燥速度の変化が、基板の表面、又は基板上に形成される膜の品質に影響を及ぼす。
【０００６】
本開示は、複数種の溶媒が塗布された基板の乾燥処理に有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、飽和蒸気圧が互いに異なる複数種の溶媒が塗布された基板が内部に搬送される気密容器と、前記気密容器の前記内部を減圧する減圧機構と、前記減圧機構に前記気密容器の前記内部を減圧させた減圧環境下で、前記気密容器の前記内部に配置された前記基板に塗布された前記複数種の溶媒を蒸発させる乾燥処理を実行可能な制御部と、を備え、前記制御部は、前記乾燥処理において、前記気密容器の前記内部に導入される第１ガスの流量、及び前記気密容器の前記内部に導入される、前記第１ガスよりも分子量が小さい第２ガスの流量を独立して制御するよう構成され、前記第１ガス及び前記第２ガスは、いずれも２５℃及び１気圧の環境下において気体として存在する、ことを特徴とする基板処理装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、複数種の溶媒が塗布された基板の乾燥処理に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態に係る減圧乾燥装置の一部の構成の断面図である。
第１実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。
第１実施形態に係る乾燥処理の説明図である。
第１実施形態に係る乾燥処理の一部の説明図である。
第２実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
第２実施形態に係る乾燥処理の一部の説明図である。
第３実施形態に係る基板処理装置の一例である減圧乾燥装置の構成を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態において、方向は直交座標系であるＸＹＺ座標系によって示される。ＸＹＺ座標系において、ＸＹ平面は水平面であり、Ｚ方向は上下方向であり、Ｚ軸のマイナス方向は鉛直方向（重力方向）である。
（【００１１】以降は省略されています）

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