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公開番号2025098277
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2025061604,2024115418
出願日2025-04-03,2014-12-09
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09G 3/3225 20160101AFI20250624BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】残像が表示されるのを防ぐことができる発光装置の提供。
【解決手段】n行m列(n、mは2以上の整数)に配列された複数の画素に、画像情報を
有する第1信号と、画素を初期化する第2信号が供給され、それぞれの画素は、第1信号
の入力を制御する第1トランジスタと、第2信号の入力を制御する第2トランジスタが含
まれている。第k行(kは1以上n以下の整数)の画素における第1トランジスタと、第
k+1行の画素における第2トランジスタが、同時にオンすることで、画素の初期化と画
像表示を効率良く行う。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、第３トランジスタと、第４トランジスタと、第５トランジスタと、第６トランジスタと、第１発光素子と、第２発光素子と、第１配線と、第２配線と、第３配線と、第４配線と、第５配線と、を有し、
前記第１トランジスタのゲートは、前記第２配線に接続され、
前記第１トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４配線に接続され、
前記第１トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３トランジスタのゲートに接続され、
前記第２トランジスタのゲートは、前記第１配線に接続され、
前記第２トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第５配線に接続され、
前記第２トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第３トランジスタのゲートに接続され、
前記第３トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１発光素子の第１端子に接続され、
前記第３トランジスタのソース及びドレインの他方は、第１電位が与えられ、
前記第１発光素子の第２端子は第２電位が与えられ、
前記第４トランジスタのゲートは、前記第３配線に接続され、
前記第４トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第４配線に接続され、
前記第４トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第６トランジスタのゲートに接続され、
前記第５トランジスタのゲートは、前記第２配線に接続され、
前記第５トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第５配線に接続され、
前記第５トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第６トランジスタのゲートに接続され、
前記第６トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２発光素子の第１端子に接続され、
前記第６トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１電位が与えられ、
前記第２発光素子の第２端子は前記第２電位が与えられ、
前記第４配線は画像情報を含む信号が与えられ、
前記第５配線は第３電位が与えられることを特徴とする発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。又は、本発明は、プロセス、マシン、マニ
ュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。また、本発明の
一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法又
はそれらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、酸化物半導体を含む半導体装置
、表示装置、又は発光装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【０００２】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。表示装置、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は、半導体装置を有する
場合がある。
【背景技術】
【０００３】
発光素子を用いた発光装置は視認性が高く、薄型化に最適であると共に、視野角にも制限
が無いため、ＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅｒａｙｔｕｂｅ）や液晶表示装置に替わる表示
装置として注目されている。発光素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置は、具
体的に提案されている構成がメーカーによって異なるが、通常、少なくとも発光素子と、
画素への画像信号の入力を制御するトランジスタ（スイッチング用トランジスタ）と、当
該発光素子に供給する電流値を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ）とが、各画
素に設けられている。
【０００４】
また、近年、ポリシリコンや微結晶シリコンによって得られる高い移動度と、アモルファ
スシリコンによって得られる均一な素子特性とを兼ね備えた新たな半導体として、酸化物
半導体に注目が集まっている。酸化物半導体は、ガラス基板などの歪み点の低い基板上に
おいても成膜が可能であり、また、第５世代（一辺が１０００ｍｍを超える）以上の大型
基板にも対応可能である。そして、シリコンやゲルマニウムなどの従来から用いられてき
た半導体の代わりに、上記酸化物半導体が画素のトランジスタに用いられた発光装置が、
実用化されつつある。
【０００５】
下記の特許文献１には、活性層に酸化物半導体を含有しているＴＦＴが、有機ＥＬ素子を
駆動するＴＦＴに用いられている例が記載されている。また、下記の特許文献２には、薄
膜トランジスタの活性層が酸化物半導体で形成されている、有機電界発光表示装置につい
て記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００９－０３１７５０号公報
特開２０１１－１０００９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流が著しく小さいという特性を
有する。上記特性を有するトランジスタを発光装置の画素に用いることで、一度、入力さ
れた画像情報を画素に保持し続けることができ、静止画像を表示し続ける限りにおいて、
画像情報の書き換え頻度を減らし、表示装置の省電力化を図ることができる。しかし、上
記発光装置では、長時間に渡って画像情報を保持し続けると、その後に、異なる画像情報
を画素に入力しても、完全に画像情報を書き換えることができず、書き換え前の画像情報
が画素に残ってしまい、残像として表示されてしまう場合がある。
【０００８】
上述したような技術的背景のもと、本発明の一態様は、新規な半導体装置などを提供する
こと、または、残像が表示されるのを防ぐことができる発光装置を提供すること、または
、残像が表示されるのを防ぐことができる発光装置の駆動方法を提供することを、課題の
一とする。
【０００９】
また、本発明の一態様は、走査周波数が高くても画像情報の表示が可能な発光装置を提供
すること、または、走査周波数が高くても画像情報の表示が可能な発光装置の駆動方法を
提供することを、課題の一とする。
【００１０】
なお、複数の課題の記載は、互いの課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全て解決する必要はない。また、列記した以外の課題が、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、これらの課題も、本発
明の一形態の課題となり得る。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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