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公開番号2025089637
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-16
出願番号2023204373
出願日2023-12-04
発明の名称研削方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類B24B 1/00 20060101AFI20250609BHJP(研削;研磨)
要約【課題】積層ウェーハに含まれるウェーハを研削中に、その面取りされている外周領域にクラックが形成され、又は、その外周領域が破片となることを抑制しながらウェーハの外周領域の少なくとも一部を除去可能な研削方法を提供する。
【解決手段】研削方法は、ウェーハが露出されるように積層ウェーハを保持する保持ステップと、保持ステップの後に、ウェーハの中央領域を部分的に除去し、かつ、中央領域を囲繞する外周領域を残存させるように、ウェーハの厚さ方向に沿ってウェーハを研削する第1研削ステップと、第1研削ステップの後に、ウェーハの外周領域の少なくとも一部を除去するように、ウェーハの厚さ方向に沿ってウェーハを研削する第2研削ステップと、を備える。そして、第2研削ステップの際に積層ウェーハに生じる負荷が第1研削ステップの際に積層ウェーハに生じる負荷よりも小さい。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
面取りされているウェーハを含む積層ウェーハを研削する研削方法であって、
該ウェーハが露出されるように該積層ウェーハを保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該ウェーハの中央領域を部分的に除去し、かつ、該中央領域を囲繞する外周領域を残存させるように、該ウェーハの厚さ方向に沿って該ウェーハを研削する第１研削ステップと、
該第１研削ステップの後に、該ウェーハの該外周領域の少なくとも一部を除去するように、該ウェーハの該厚さ方向に沿って該ウェーハを研削する第２研削ステップと、を備え、
該第２研削ステップの際に該積層ウェーハに生じる負荷が該第１研削ステップの際に該積層ウェーハに生じる負荷よりも小さい研削方法。
続きを表示（約 470 文字）【請求項２】
該第２研削ステップにおいては、円状の下段と該下段を囲む環状の上段とによって構成される段差を被研削面に形成するように該ウェーハが研削される請求項１に記載の研削方法。
【請求項３】
該第２研削ステップにおいては、被研削面を面一にするように該ウェーハが研削される請求項１に記載の研削方法。
【請求項４】
該第２研削ステップにおいては、円状の上段と該上段を囲む環状の下段とによって構成される段差を被研削面に形成するように該ウェーハが研削される請求項１に記載の研削方法。
【請求項５】
該第２研削ステップにおいては、該ウェーハの該外周領域の全部を除去するように該ウェーハが研削される請求項１に記載の研削方法。
【請求項６】
該積層ウェーハは、該ウェーハの被研削面の裏側の面に設けられている接着剤をさらに含み、
該第２研削ステップは、該積層ウェーハに生じる負荷に依存して変化する物理量の値が所定の閾値以上となった時に終了する請求項５に記載の研削方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、面取りされているウェーハを含む積層ウェーハを研削する研削方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、その中央領域の表面側に複数のデバイスが形成されているウェーハの裏面側を研削した後、複数のデバイスの境界に沿ってウェーハを分割することによって製造される。
【０００３】
ウェーハは、その中央領域を囲繞する外周領域においてクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、各種工程に先立って、ウェーハの外周領域が面取りされることが多い。ただし、このウェーハの厚さが半分以下になるまでウェーハの裏面側を研削すると、面取りされている外周領域がナイフエッジのような形状になる。
【０００４】
そして、このような形状を有するウェーハの裏面側の研削が続けられると、その外周領域に応力が集中してクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、面取りされた外周領域の表面側を除去するようにウェーハを切削した後に、ウェーハの裏面側を研削することがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
さらに、チップは、その高集積化等を目的として、積層された複数のウェーハ（以下「積層ウェーハ」ともいう。）を複数のデバイスの境界に沿って分割することによって製造されることがある。この積層ウェーハは、例えば、以下の順序で形成される。
【０００６】
まず、ウェーハの表面に設けられている接着剤を介して、当該ウェーハを支持ウェーハに接合する。次いで、支持ウェーハを保持した状態で、当該ウェーハの面取りされている外周領域を切削して除去する。次いで、当該ウェーハの裏面側を研削して薄化されたウェーハ（以下「第１薄化ウェーハ」ともいう。）を形成する。
【０００７】
次いで、別のウェーハの表面に設けられている接着剤を介して、当該別のウェーハを第１薄化ウェーハに接合する。次いで、支持ウェーハを保持した状態で、当該別のウェーハの面取りされている外周領域を切削して除去する。次いで、当該別のウェーハの裏面側を研削して薄化されたウェーハ（以下「第２薄化ウェーハ」ともいう。）を形成する。
【０００８】
さらに、上述した処理、すなわち、ウェーハの薄化ウェーハへの接合並びに当該ウェーハの切削及び研削を繰り返すことによって、３枚以上の薄化ウェーハと支持ウェーハとを含む積層ウェーハが形成される。そして、この積層ウェーハを複数のデバイスの境界に沿って分割することによって、例えば、高集積化されたチップが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開２０００－１７３９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ウェーハの切削及び研削は、一般的に、別の加工装置、すなわち、切削装置及び研削装置においてそれぞれ実施される。そのため、上述したように積層ウェーハが形成される場合には、手間がかかるとともに所要時間が長くなる。
（【００１１】以降は省略されています）

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